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西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院导师教师师资介绍简介-周小伟

本站小编 Free考研考试/2021-07-10


基本信息
周小伟 副教授
硕导
硕士学科:材料学 
工作单位:先进材料与纳米科技学院

联系方式
通信地址:西安市太白南路2号
电子邮箱:xwzhou@mail.xidian.edu.cn
办公电话:**
办公地点:北校区东大楼218


个人简介
周小伟,西安电子科技大学副教授,2010年于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得博士学位.在氮化物半导体光电材料和异质结材料领域进行了十多年的MOCVD生长工作,主持和参与了包括国家863计划、国家重点研发计划、陕西省大功率半导体照明工程中心项目等多项国家及省部级项目。曾获陕西省科学技术一等奖3项,个人排名前三2项。

主要研究方向
1.AlGaN基紫外及深紫外LED材料与器件
2.新型GaN基HEMT结构材料生长方法研究。





基本信息
周小伟 副教授
硕导
硕士学科:材料学 
工作单位:先进材料与纳米科技学院

联系方式
通信地址:西安市太白南路2号
电子邮箱:xwzhou@mail.xidian.edu.cn
办公电话:**
办公地点:北校区东大楼218


个人简介
周小伟,西安电子科技大学副教授,2010年于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得博士学位.在氮化物半导体光电材料和异质结材料领域进行了十多年的MOCVD生长工作,主持和参与了包括国家863计划、国家重点研发计划、陕西省大功率半导体照明工程中心项目等多项国家及省部级项目。曾获陕西省科学技术一等奖3项,个人排名前三2项。

主要研究方向
1.AlGaN基紫外及深紫外LED材料与器件
2.新型GaN基HEMT结构材料生长方法研究。





科学研究
目前研究团队承担的科研项目:
深紫外LED材料及器件关键技术,陕西省重点产业创新链项目,(项目负责人)。
第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术,国家重点研发计划,(项目主要参加人员);
高效AlGaN基深紫外LED关键科学问题研究,国家自然科学基金重点项目,(项目主要参加人员)。
陕西省大功率半导体照明中心项目,陕西省13115工程项目,(项目主要参加人员)




学术论文
Y.L. Wang, P.X. Li, X.Y. Zhang, S.R. Xu, X.W. Zhou*, J.X. Wu, W.K. Yue and Y. Hao Using Multi-layer Stacked AlGaN/GaN Structure to Improve Current Spreading Performance of Ultraviolet Light Emitting Diodes.. Materials. 13(2), 454 (2020).
Jinxing Wu , Peixian Li , Shengrui Xu ,Xiaowei Zhou* , Hongchang Tao , Wenkai Yue , Yanli Wang , Jiangtao Wu , Yachao Zhang and Yue Hao.Epitaxial Growth of GaN on Magnetron Sputtered AlN/Hexagonal BN/Sapphire Substrates. Materials. 13(22),5188 (2020).
Wang, Yan Li ; Li, Pei Xian; Xu, Sheng Rui ; Xiaowei Zhou* ; Zhang, Xin Yu; Jiang, Si Yu; Huang, Ru Xue; Liu, Yang; Zi, Ya Li; Wu, Jin Xing; Hao, Yue,Double superlattice structure for improving the performance of ultraviolet light-emitting diodes, Chinese Physics B, 2019.3, 28(3):0~038502.
Zhou Xiaowei, Xu Shengrui,Hao Yue.Luminescence of GaN grain with nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural characterization.Chinese Physics B .Vol.21, No 6, 2012。
Zhou Xiaowei,Li Peixian,Xu Shengrui,Hao Yue. Growth and electrical properties of high-quality Mg-doped p-type Al0.2Ga0.8N films. Journal of Semiconductors. Vol 30, No 4, 2009. (EI 763).
周小伟,李培咸,郝跃. 基于AlN基板的不同Al组份AlGaN材料的生长. 功能材料与器件学报. Vol 15,No 6, 2009.
Zhang Yachao, Zhou Xiaowei, Xu Shengrui,Zhang jincheng,Hao Yue. Effects of interlayer growth condition on the transport properties of heterostructures with InGaN channel grown on sapphire by metal organic chemical vapor deposition .Applied Physics Letters, 106, 152101 ,2015.





荣誉获奖
2014.12, 项目“GaN基紫外LED技术”获陕西省科学技术一等奖,
个人排名第三;
2011.12, 项目“氮化物半导体器件材料技术”获陕西省科学技术一等奖,个人排名第三;
2008.1, 项目“氮化镓基半导体材料核心设备与生长技术”获教育部科技进步二等奖,个人排名第八;
2006.6, 项目“高亮度蓝光LED技术”获陕西省科技进步一等奖,
个人排名第十;




科研团队
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