基本信息
雷天民 教授硕导或博导博士学科：硕士学科： 工作单位：先进材料与纳米科技学院
联系方式
通信地址：西安市太白南路2号西安电子科技大学207信箱邮编：710071电子邮箱：leitianmin@163.com办公电话：**办公地点：西大楼Ⅱ-206
个人简介
雷天民，1958年生，IEEEEDS、中国物理学会和中国电子学会会员，《中国物理快报》、《物理学报》、《中国物理B》、《半导体学报》、《光子学报》、《功能材料与器件》、ELSEVIER系列期刊和国内十余所高校学报特约审稿人。1982年元月大学毕业并在西安理工大学工作二十余年，先后担任应用物理系主任、电子工程系主任等职。1998年在香港科技大学物理系作访问学者，1999年获工学博士学位，2001年晋升为教授，2006年获“西安理工大学教学名师”称号。到西电工作后，先后任技术物理学院院长助理、材料科学与工程系主任等职，2012年获西安电子科技大学“师德标兵”称号。现供职于先进材料与纳米科技学院，任材料科学与工程系主任。
主要研究方向
1）电子材料计算与物性预测；
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基本信息
雷天民 教授硕导或博导博士学科：硕士学科： 工作单位：先进材料与纳米科技学院
联系方式
通信地址：西安市太白南路2号西安电子科技大学207信箱邮编：710071电子邮箱：leitianmin@163.com办公电话：**办公地点：西大楼Ⅱ-206
个人简介
雷天民，1958年生，IEEEEDS、中国物理学会和中国电子学会会员，《中国物理快报》、《物理学报》、《中国物理B》、《半导体学报》、《光子学报》、《功能材料与器件》、ELSEVIER系列期刊和国内十余所高校学报特约审稿人。1982年元月大学毕业并在西安理工大学工作二十余年，先后担任应用物理系主任、电子工程系主任等职。1998年在香港科技大学物理系作访问学者，1999年获工学博士学位，2001年晋升为教授，2006年获“西安理工大学教学名师”称号。到西电工作后，先后任技术物理学院院长助理、材料科学与工程系主任等职，2012年获西安电子科技大学“师德标兵”称号。现供职于先进材料与纳米科技学院，任材料科学与工程系主任。
主要研究方向
1）电子材料计算与物性预测；
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科学研究
作为课题负责人或主要参加者先后参加或主持了国家“863”项目、“973”项目、自然科学基金项目、机械工业部及陕西省自然科学基金项目、西安市科委攻关项目和陕西省教委自然科学基金项目等二十余项课题的研究。
目前研究团队承担的科研项目主要有国家重大专项、青年“973”项目以及教育部预研项目等课题的研究。
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学术论文
近年来发表EI或SCI检索论文如下：
1.雷天民,吴胜宝，张玉明，郭辉，陈德林，张志勇.La、Ce、Nd掺杂对单层MoS2电子结构的影响.物理学报.2014,63(6):067301doi:10.7498/aps.63.067301.(SCI:)
2.雷天民，吴胜宝，张玉明，刘佳佳，郭辉，张志勇.单层MoS2的电子结构及光学性质.稀有金属材料与工程.2013Vol.(12):2477-2480(SCI:**012)
3.LeiTian-Min,LiuJia-Jia,ZhangYu-Ming,GuoHui,andZhangZhi-Yong,QuantumexplanationformagneticpropertiesofMn-dopedgrapheme.Chin.Phys.BVol.22,No.11(2013)117502(SCI:**086)
4.DengPeng-Fei,LeiTian-Min,LuJin-Jun,LiuFu-Yan,ZhangYu-Ming,GuoHui,ZhangYi-Men,WangYue-Hu,TangXiao-Yan.FabricationofThinGraphenela[ant]yersonaStacked6H-SiCSurfaceinaGraphiteEnclosure[J].CHIN.PHYS.LETT.Vol.30,No.1(2013)018101.(SCI:**053)
5.LeiTian-Min,DengPeng-Fei,ZhangYu-Ming,GuoHui.Epitaxialgraphenegrowthon6H-SiC(0001)substratebyconfinementcontrolledsublimationofsiliconcarbide,AdvancedMaterialsResearch,v709,p62-65,2013(EI:**115)
6.MaPeiTing,LeiTianMin,ZhangYuMing,LiuJiaJia,ZhangZhiYong.First-principlestudyonmagneticpropertiesofTM-doped6H-SiC,AdvancedMaterialsResearch,v709,p197-200,2013(EI:**145)
7.LiuJiaJia,LeiTianMin,ZhangYuMing,MaPeiTing,ZhangZhiYong,First-principlecalculationsformagnetismofMn-dopedgrapheme.AdvancedMaterialsResearch,v709,p184-187,2013(EI:**142)
8.WangDang-Chao,ZhangYu-Ming),ZhangYi-Men,LeiTian-Min,GuoHu,WangYue-Hu,TangXiao-Yan,WangHang.ComparisonoftheformationprocessandpropertiesofepitaxialgraphenesonSi-andC-face6H-SiCsubstrates[J].ChinesePhysicsB,2012,03:480-483.(SCI:**084)
9.WangDang-Chao,ZhangYu-Ming),ZhangYi-Men,LeiTian-Min,GuoHu,WangYue-Hu,TangXiao-Yan,WangHang..Ramananalysisofepitaxialgraphenegrownon4H-SiC(0001)substrateunderlowpressurecondition[J].ChinesePhysicsB,2011,12:443-446.(SCI:**068)
10.WangDang-Chao,ZhangYu-Ming),ZhangYi-Men,LeiTian-Min,GuoHu,WangYue-Hu,TangXiao-Yan,WangHang.Ramananalysisofepitaxialgrapheneon6H-SiC(000-1)substratesunderlowpressureenvironment[J].JournalofSemiconductors,2011,11:39-42.(EI:**634)
11.刘德福,雷天民,马卓,李颖,王旸.LTE系统中可配置FFT/IFFT的设计与实现[J].西安电子科技大学学报,2010,05:813-816+824.(EI:**689)
12.LiZhimin,ZhouWancheng,LeiTianmin,LuoFa,HuangYunxia,CaoQuanxi.MicrowavedielectricpropertiesofSiC(B)solidsolutionpowderpreparedbysol-gel.JournalofAlloysandCompounds,v475,n1-2,p506-509,May5,2009.(SCI:**107).
已被EI或SCI检索期刊录用待发表的论文：
1.雷天民，吴胜宝，张玉明，刘佳佳，姜海青，张志勇.空位缺陷对单层MoS2电子结构的影响.稀有金属材料与工程.(SCI:).
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荣誉获奖
12006年获西安理工大学“教学名师”称号；
22008年作为主持人之一所负责的《固态电子器件》课程被评为省级精品课程；
32009年作为主持人所负责的《电子材料》课程被评为省级精品课程；
42011年作为主持人所负责的《计算材料学》课程被评为校级研究生精品课程；
52012年获西安电子科技大学“师德标兵”称号；
6作为主编之一，参加了国家重点图书项目《中国材料工程大典》第13卷第14篇《传感器材料》的编撰工作，该大典已由化学工业出版社出版。
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科研团队
本科研团队主要由先进材料与纳米科技学院和微电子技术学院的相关老师和研究生构成的，主要根据国家国民经济和国防发展需求、围绕团队所承担的国家重大科技专项、国防预研项目以及教育部预研项目展开深入、细致的研究工作。目前研究内容主要涉及宽禁带半导体材料与器件、低维半导体材料的制备与表征以及纳米结构材料物性计算与分析等领域。
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课程教学
课程教学：
到西电工作后，先后承担过本科生“量子力学”、“固体物理学”、“半导体物理学”、“半导体表面”和“固态电子器件”课程教学工作，目前主要承担“半导体物理学”、“固态电子器件”两门本科生专业课程以及“计算材料学”、“半导体材料及其制备工艺”和“现代功能材料”等三门研究生课程的教学任务。
精品课程：
“固态电子器件”2008年被评为省级精品课程；“半导体物理学“2009年被评为省级精品课程；“计算材料学”2011年被评为校级研究生精品课程。教材编著：
作为主要参编者编著的《固体物理学基础》2008年由西安电子科技大学出版社公开出版，该教材2011年荣获西安电子科技大学第十二届优秀教材一等奖；作为主要参编者编著的《半导体物理简明教程》2011年由机械工业出版社公开出版。
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招生要求
本人从事的研究方向涉及学科领域较宽，欢迎对电子材料计算与物性预测、纳米材料制备与表征或半导体器件设计与仿真三个方向或其中之一感兴趣并希望在半导体材料与器件等相关领域进行深入研究的物理、材料、电子科学与技术、微电子或化学类专业的优秀本科毕业生报考。
