基本信息
马晓华　教授，博士导师博士学科：微电子学与固体电子学、材料学硕士学科：　工作单位：技术物理学院
联系方式
通信地址：西安电子科技大学395信箱电子邮箱：Xhma@xidian.edu.cn办公电话：**办公地点：西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室

个人简介
马晓华，教授、博士生导师，1973年3月出生，陕西勉县人。1996年毕业于西安电子科技大学技术物理学院微电子专业，1996年－2001年在航天067基地16研究工作，2007年博士毕业于西安电子科技大学微电子学院微电子学与固态电子学专业，目前主要在宽带隙半导体国防重点实验室负责器件设计、工艺以及超深亚微米CMOS器件可靠性方面的研究工作。
主要研究方向
超深亚微米CMOS器件可靠性研究宽带隙半导体器件、工艺及其可靠性研究

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基本信息
马晓华　教授，博士导师博士学科：微电子学与固体电子学、材料学硕士学科：　工作单位：技术物理学院
联系方式
通信地址：西安电子科技大学395信箱电子邮箱：Xhma@xidian.edu.cn办公电话：**办公地点：西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室

个人简介
马晓华，教授、博士生导师，1973年3月出生，陕西勉县人。1996年毕业于西安电子科技大学技术物理学院微电子专业，1996年－2001年在航天067基地16研究工作，2007年博士毕业于西安电子科技大学微电子学院微电子学与固态电子学专业，目前主要在宽带隙半导体国防重点实验室负责器件设计、工艺以及超深亚微米CMOS器件可靠性方面的研究工作。
主要研究方向
超深亚微米CMOS器件可靠性研究宽带隙半导体器件、工艺及其可靠性研究

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科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
作为项目负责人，主要承担过国防预先研究项目、国家科技支撑项目、国家863项目以及国家重大专项的子专题，同时，作为项目主要研究人员，参与数十项国家重大项目的研制工作。


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学术论文
1.MaXiaohua,HaoYue,SunBaogangetal,FabricationandCharacterizationofGroove-gateMOSFETsBasedonaSelf-alignedCMOSProcess,ChinesePhysics.Vol.15,No.1,pp195-198,2006(SCI:**031，EI:**）2.MaXiao-Hua,HaoYue,WangJian-Pingetal,NewaspectsofHCItestforultra-shortchannelnMOSFETdevices,ChinesePhysics.Vol.15,No.11,2006.（SCI:**047，EI:**）3.[马晓华，郝跃，陈海峰，电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性.物理学报，Vol.55,No.11,pp6118-6122,2006（SCI:**091，EI:**）4.陈海峰，马晓华，郝跃，曹艳荣，黄建方，王文博，李康.90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性，半导体学报，2005，VOL.26.No.12.(EI：**)。5.GaoHaixia,MaXiaohua,YangYintang，AccurateInterconnectionLengthandRoutingChannelWidthEstimstesforFPGAs，半导体学报，2006年第7期，6.张晓菊,马晓华,任红霞，0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性，半导体学报，2005年第3期，7.张进城，马晓华，郝跃，范隆，李培咸，纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型,半导体学报,第24卷第10期20038.CaoYan-Rong,MaXiao-Hua,HaoYue,StudyontherecoveryofNBTIofultra-deepsub-microMOSFETs,ChinesePhysics,Vol.16,No.4，2007，SCI:EI:**9.曹艳荣，马晓华，郝跃，新型槽栅MOSFETs特性研究，半导体学报，第27卷第11期，2006，EI：**10.CaoYanrong,MaXiaohua,HaoYue,ModelsandRelatedMechanismsofNBTIDegradiationof90nmPMOSFETs，半导体学报，第28卷第5期，EI:**

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荣誉获奖
近年来发表论文30余篇，其中13篇被SCI检索。2007年获教育科技进步一等奖，2006年度获国防二等奖。

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科研团队
团队教师
博士研究生

硕士研究生

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课程教学
目前本人承担的教学任务：


课件下载示例

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招生要求
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关于研究生招生的信息：
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有志于从事微电子器件、工艺研究以及器件可靠性方面的学生，具有一定的半导体器件物理基础。