基本信息

段宝兴　教授
硕士生/博士生导师
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：材料物理与化学　
工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：电子邮箱：bxduan@163.com;bx_duan@yahoo.com.cn;bxduan@xidian.edu.cn办公电话：**办公地点：西安电子科技大学北校区东大楼223室
个人简介
陕西大荔人，博士，教授，博士生导师。2000年、2004年在哈尔滨理工大学材料物理与化学专业获学士和硕士学位；2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。2007年至2009年在西安电子科技大学做博士后研究，主要与杨银堂教授合作从事宽带隙半导体SiC功率器件设计，期间在台湾国立大学进行学术交流八个月，主要负责应变硅应变量表征技术研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大学作访问研究，从事宽带隙半导体GaN功率器件设计、仿真和工艺研究。2009年博士后出站以人才引进方式评为副教授，2012年7月破格评为教授，2012年12月聘为博士生导师。国际重要学术期刊《IEEEElectronDeviceLetters》、《Solid-StateElectronics》、《Micro&NanoLetters》、《IEEETransactionsonPowerElectronics》、《IETETechnicalReview》审稿人。国内期刊《半导体学报》、《微电子期刊》、《北京理工大学学报》审稿人。
主要研究方向
主要从事：（1）硅基功率器件与集成；（2）宽带隙半导体功率器件；（3）45nm后CMOS关键技术研究。首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计；与合作者提出的SOI高压器件介质场增强ENDILF技术成功解决了高压器件纵向耐压受限问题；最近首次在国际上提出了完全3-DRESURF概念并已被国际同行认可。

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基本信息

段宝兴　教授
硕士生/博士生导师
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：材料物理与化学　
工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：电子邮箱：bxduan@163.com;bx_duan@yahoo.com.cn;bxduan@xidian.edu.cn办公电话：**办公地点：西安电子科技大学北校区东大楼223室
个人简介
陕西大荔人，博士，教授，博士生导师。2000年、2004年在哈尔滨理工大学材料物理与化学专业获学士和硕士学位；2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。2007年至2009年在西安电子科技大学做博士后研究，主要与杨银堂教授合作从事宽带隙半导体SiC功率器件设计，期间在台湾国立大学进行学术交流八个月，主要负责应变硅应变量表征技术研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大学作访问研究，从事宽带隙半导体GaN功率器件设计、仿真和工艺研究。2009年博士后出站以人才引进方式评为副教授，2012年7月破格评为教授，2012年12月聘为博士生导师。国际重要学术期刊《IEEEElectronDeviceLetters》、《Solid-StateElectronics》、《Micro&NanoLetters》、《IEEETransactionsonPowerElectronics》、《IETETechnicalReview》审稿人。国内期刊《半导体学报》、《微电子期刊》、《北京理工大学学报》审稿人。
主要研究方向
主要从事：（1）硅基功率器件与集成；（2）宽带隙半导体功率器件；（3）45nm后CMOS关键技术研究。首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计；与合作者提出的SOI高压器件介质场增强ENDILF技术成功解决了高压器件纵向耐压受限问题；最近首次在国际上提出了完全3-DRESURF概念并已被国际同行认可。

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科学研究
目前主要的研究方向：
（1）硅基功率器件与集成
（2）宽带隙半导体微波、功率器件
（3）45nm后CMOS关键技术


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学术论文
先后在《IEEEELECTRONDEVICELETTERS》、《IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES》、《Solid-StateElectronics》、《ScienceinChinaSeriesF:InformationSciences》、《ChinesePhysics》、《ChinesePhysicsLetters》、《中国科学》、《半导体学报》等国际国内重要期刊上发表论文40余篇，其中30篇次被SCI、EI检索。2012年：(1)DUANBaoXing&YANGYinTang.BreakdownvoltageanalysisforthenewRESURFAlGaN/GaNHEMTs,SciChinaInfSci,VOL.55(2),2012:473-479.SCI:**022SCIENCECHINA-INFORMATIONSCIENCES(2)BaoxingDuan,YintangYang.NewAl0.25Ga0.75N/GaNHEMTsstructurewiththepartialsilicondoping,Micro&NanoLetter,vol.7(1),2012,pp.9-11.SCI:**003;EI:**093(3)BaoxingDuanandYintangYang.ADevelopmentSummarizationofthePowerSemiconductorDevicesΠ,IETETechnicalReview,vol.29(1),JAN-FEB2012,pp.36-43.SCI:**003;EI:**209(4)DuanBao-Xing（段宝兴）,YangYin-Tang（杨银堂）.BreakdownvoltageanalysisofAl0.25Ga0.75N/GaNhighelectronmobilitytransistorswiththepartialsilicondopinginAlGaNla[ant]yer,ChinesePhysicsB,2012,21(5),PP.057201(1-8).SCI:**084;EI:**430(5)BaoxingDuanandYintangYang.TheapplicationoftheelectricfieldmodulationandchargeshieldingeffectstotheHighVoltageSiLDMOS,IETETechnicalReview,vol.29(4),Jul-Aug2012,pp.276-281.(6)段宝兴杨银堂陈敬.F离子注入新型Al0.25Ga0.75N/GaNHEMT器件耐压分析.物理学报ActaPhys.Sin.Vol.61,No.22(2012)227302(1-7).(7)段宝兴杨银堂陈敬.新型Si3N4层部分固定正电荷AlGaN/GaNHEMTs器件耐压分析.物理学报ActaPhys.Sin.Vol.62,No.24(2012)247302(1-6).(8)段宝兴，杨银堂.新型RESURFAlGaN/GaNHEMTs器件耐压分析.中国科学：信息科学，2012，42：770-777(9)ZhangXian-jun,YangYin-tang,DuanBao-Xing,ChenBin,ChaiChang-chunandSongKun.New4HSiliconCarbideme[ant]talSemiconductorFieldEffectTransistorwiththeBufferla[ant]yerbetweentheGateandChannel.ChinesePhysicsB,2012,21(1):017201-1~7(SCI:**064，EI:**302)(10)ZhangXian-Jun,YangYin-Tang,DuanBao-Xing,ChaiChang-Chun,SongKunandChenBin.Modelingofthedraininducedbarrierloweringeffectandoptimizationfordual-channel4Hsiliconcarbideme[ant]talsemiconductorfieldeffecttransistor.ChinesePhysicsB,2012,21(3):037303-1~5(SCI:**068;EI:**879)2011年：(1)BaoxingDuanandYintangYang.LowSpecificOn-ResistancePowerMOSTransistorwithMulti-la[ant]yerCarrierAccumulationbreaksthelimitlineofsilicon.IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES,VOL.58(7),2011:2057-2060.SCI:**031;EI:**036
(2)DUANBaoXing&YANGYinTang.Straincoefficientmeasurementforthe(100)uniaxialstrainsiliconbyRamanspectroscopy,SciChinaInfSci,VOL.54(8),2011:1762-1768.SCI:**020;
(3)BaoxingDuan,YintangYang.PowerVDMOSTransistorwiththeStepOxideTrenchBreakstheLimitLineofSilicon,Micro&NanoLetter,vol.6(9),2011,pp.777-780.SCI:**010;EI:12288398
(4)BaoxingDuan,YintangYang.REBULFSuperJunctionMOSFETwithN+buriedla[ant]yer,Micro&NanoLetter,vol.6(11),2011,pp.881-883.SCI:**002
(5)BaoxingDuanandYintangYang.ADevelopmentSummarizationofthePowerSemiconductorDevices,IETETechnicalReview,vol.28(6),NOV-DEC2011,pp.503-510.SCI:**0062010年：(1)BaoxingDuan,YintangYang,BoZhang.HighVoltageREBULFLDMOSwithN+-Buriedla[ant]yer《Solid-StateElectronics》,VOL.54;p:685-688,2010.
(2)段宝兴,杨银堂.利用Raman光谱测定硅(100)晶面单轴应变的应变系数.《中国科学:信息科学》.2010.40:1033-1038.
(3)段宝兴,杨银堂.CMOS双层可变功函数金属栅技术.《功能材料与器件学报》.2010.16(2):158-162.
(4)段宝兴,杨银堂.应变硅的应变量表征技术.《功能材料与器件学报》.2010.16(4):323-328.
(5)杨银堂耿振海段宝兴贾护军余涔任丽丽.具有部分超结的新型SiCSBD特性分析.《物理学报》.2010,59(1):566-570.2009年：
(1)BaoxingDuan,YintangYang,BoZhangandXufengHong.FoldedAccumulationLDMOST(FALDMOST):NewPowerMOSTransistorwithVeryLowSpecificOn-resistance.《IEEEELECTRONDEVICELETTERS》,VOL.30NO.12;p:1329-1331,2009.SCI:**027;EI:**366
(2)BaoxingDuan,YintangYangandBoZhang.NewSuperJunctionLDMOSwithN-TypeChargesCompensationla[ant]yer.《IEEEELECTRONDEVICELETTERS》,VOL.30NO.3;p:305-307,2009.SCI:**032;EI:**826
(3)段宝兴,杨银堂.利用KeatingModel计算Si(1-x)Gex及非晶硅的拉曼频移.《物理学报》.Vol.58(10)p:7114-7118,2009.SCI:**0732008年：
(1)BaoxingDuan,YangYintang,ZhangBoandLiZhaoji,AnUltra-lowSpecificOn-ResistanceVDMOSwithaStepOxide-BypassedTrenchStructure,《ChineseJournalofSemiconductors》,2008,29(04):677-681.EI:**098
(2)ChengJian-Bing,ZhangBo,DuanBao-XingandLiZhao-Ji.ANovelSuper-JunctionLateralDouble-Diffusedme[ant]tal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorwithn-TypeStepDopingBufferla[ant]yer.《ChinesePhysicsLetters》2008,25:262-265.SCI:**0712007年：
(1)DUANBao-Xing(段宝兴),ZHANGBo(张波),LIZhao-Ji(李肇基).NewCMOSCompatibleSuperJunctionLDMOSTwithN-TypeBuriedla[ant]yer,《ChinesePhysics》,Vol.16pp:3754-3759,2007.SCI:**033;EI:**031
(2)DUANBao-Xing(段宝兴),ZHANGBo(张波),LIZhao-Ji(李肇基).NewPowerLateralDoubleDiffusedme[ant]tal-Oxide-SemiconductorTransistorwithaFoldedAccumulationla[ant]yer.《ChinesePhysicsLetters》2006,24(5):1342-1345.SCI:**060
(3)BaoxingDuan,BoZhangandZhaojiLi.NewLateralSuperJunctionMOSFET’swithN+-Floatingla[ant]yeronaHigh-resistanceSubstrate.《ChineseJournalofSemiconductors》,2007,28(02):166-170.EI:**658
(4)段宝兴,黄勇光,张波,李肇基.REBULFLDMOS实验结果及具有部分N+浮空层结构的分析.《半导体学报》.2007,28(08):85-89.EI:**194
(5)段宝兴,张波,李肇基.高压SOILDMOS设计的新技术－电场调制及电荷对局域场的屏蔽效应在高压SOILDMOS设计中的应用.《微电子学》,2007(4):459-465.

2006年：
(1)BaoxingDuan,BoZhang,ZhaojiLi.NewThin-FilmPowerMOSFET’SwithaBuriedOxideDoubleStepStructure.《IEEEELECTRONDEVICELETTERS》,VOL.27.NO.5;p:377-379,2006。SCI:**022；EI:**21
(2)段宝兴,张波,李肇基.双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析.《半导体学报》,2006,27(05):886-891.EI:**440
(3)段宝兴,张波,李肇基.一种新的低导通电阻折叠硅SOILDMOS,《半导体学报》.2006,27(10):1814-1817.EI:**685
(4)段宝兴,张波,李肇基.功率半导体器件发展概述.《电力电子与应用》.2006,No.1:11-18.
(5)张波,段宝兴,李肇基.具有N＋浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析,《半导体学报》.2006,27(04):730-734.EI:**38
2005年：
(1)BaoxingDuan,BoZhangandZhaojiLi.ANewPartialSOIPowerDeviceStructurewithP-typeBuriedla[ant]yer,《Solid-StateElectronics》,Vol49/12pp1965-1968.2005.SCI:**016；EI:**72
(2)段宝兴,张波,李肇基.阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析.《半导体学报》,2005,26(7):1396-1400.EI:**78
(3)段宝兴,张波,李肇基.埋空隙PSOI结构的耐压分析.《半导体学报》,2005,26(9):1818-1822.EI:**21
(4)段宝兴,张波,李肇基.具有P型埋层PSOI结构的耐压分析.《半导体学报》,2005,26(11):2149-2153.EI:**142004年：
(1)段宝兴,谢华,王暄.热处理对无机纳米聚酰亚胺复合物热激电流谱的影响.《哈尔滨理工大学学报》,2004,06:124-125.

国际国内会议：(1)BaoxingDuan,BoZhangandZhaojiLi.ANewReducedBulkField(REBULF)High-VoltageLDMOSwithN⁺-Floatingla[ant]yer.IEEEProceedingofICCCAS06,2006,pp.2709-2712.EI:**218；ISIP:**124(2)BaoxingDuan,BoZhangandZhaojiLi.ANewSuperJunctionLDMOSwithN⁺-Floatingla[ant]yer.IEEEProceedingofIPEMC’06,2006,pp.70-73.EI:**113(3)BaoxingDuan,BoZhangandZhaojiLi.NewConceptforImprovingCharacteristicsofHigh-VoltagePowerDevicesbyBuriedla[ant]yersModulationEffect.IEEEProceedingofICSICT’06,2006,pp.239-241.EI:**193(4)段宝兴,张波,李肇基.一种埋层阶梯型SOI结构的耐压分析.第六届全国SOI技术研讨会.(5)段宝兴,张波,李肇基.功率半导体器件发展概述.2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会.(6)黄勇光,段宝兴,罗萍.超薄硅层REBULFLDMOS的工艺仿真和设计.四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集.2006,10-13.


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荣誉获奖
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科研团队
团队教师博士研究生硕士研究生邵鸣张迪宇

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课程教学
目前本人承担的教学任务：
半导体物理Ⅱ
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招生要求
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关于研究生招生的信息：
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