基本信息
郝跃教授博士生导师博士学科：微电子学与固体电子学硕士学科：微电子学与固体电子学　工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：陕西省西安市太白南路2号电子邮箱：yhao@xidian.edu.cn办公地址：北校区新科技楼5层A507办公电话：**

个人简介
郝跃教授，西安电子科技大学副校长，微电子学与固体电子学博士生导师。1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位；现在是国际IEEE学会高级会员，陕西省科学技术协会副主席，国家自然科学基金委员会专家咨询委员会委员，中国电子学会常务理事，陕西省电子学会、陕西省半导体行业协会和陕西省半导体照明协会理事长。国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项总体专家组副组长，总装备部微电子技术专家组组长，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。他是第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表。
长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。主持的科研项目分别获得国家技术发明奖二等奖一项、国家科技进步奖二、三等奖各一项，2010年获得何梁何利科学与技术奖。

人物特写：http://kxwest.com/html/tebiebaodao/3938.html
人物访谈：http://www.xde6.net/view-22888.html
新闻：http://www.xde6.net/view-26601.html


主要研究方向
主要研究方向
1.宽禁带半导体材料与器件
2.微纳米半导体器件与器件物理
3.SoC设计与设计方法学4.半导体器件可靠性与失效物理

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基本信息
郝跃教授博士生导师博士学科：微电子学与固体电子学硕士学科：微电子学与固体电子学　工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：陕西省西安市太白南路2号电子邮箱：yhao@xidian.edu.cn办公地址：北校区新科技楼5层A507办公电话：**

个人简介
郝跃教授，西安电子科技大学副校长，微电子学与固体电子学博士生导师。1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位；现在是国际IEEE学会高级会员，陕西省科学技术协会副主席，国家自然科学基金委员会专家咨询委员会委员，中国电子学会常务理事，陕西省电子学会、陕西省半导体行业协会和陕西省半导体照明协会理事长。国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项总体专家组副组长，总装备部微电子技术专家组组长，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。他是第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表。
长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。主持的科研项目分别获得国家技术发明奖二等奖一项、国家科技进步奖二、三等奖各一项，2010年获得何梁何利科学与技术奖。

人物特写：http://kxwest.com/html/tebiebaodao/3938.html
人物访谈：http://www.xde6.net/view-22888.html
新闻：http://www.xde6.net/view-26601.html


主要研究方向
主要研究方向
1.宽禁带半导体材料与器件
2.微纳米半导体器件与器件物理
3.SoC设计与设计方法学4.半导体器件可靠性与失效物理

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科学研究

郝跃教授的科学研究：

·GaN异质材料与器件相关基础研究

·宽禁带半导体器件抗辐照特性研究

·宽禁带半导体器件可靠性研究

·宽禁带半导体专用设备研制

·宽禁带半导体应用与产业化

·微纳米半导体器件可靠性

·微纳米集成电路SoC设计

·GaN基电子材料基础研究

·MOS器件的热载流子效应

·薄栅氧化层的经时击穿

·NBTI和CHC效应

·MOS器件的NBTI效应

·非极性GaN材料研究

http://www.xidian.edu.cn/hyjsktz/index.htm



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出版专著

电子线路CAD技术与应用软件1992.12西安电子科技大学出版社.贾新章，郝跃著
集成电路全书(技术.经济.管理)1993.09电子工业出版社.合编（编委）
电子电路CAD技术1994.11西安电子科技大学出版社.贾新章，郝跃编
微电子技术概论1995.01国防工业出版社.全国统编教材,贾新章，郝跃编
集成电路制造动力学理论与方法1995.11北京教育出版社,河北教育出版社(高科技丛书).郝跃著
超高速化合物半导体器件1998.07宇航出版社.合编（编委）
碳化硅宽带隙半导体技术2000.05科学出版社.郝跃，彭军，杨银堂编著
电可改写非挥发存储器2002.03国防工业出版社.于宗光，郝跃著
微电子概论2003.12
高等教育出版社(普通高等教育“十五”国家级规划教材).郝跃，贾新章，吴玉广编著
微纳米MOS器件可靠性与失效机理2008.03科学出版社.郝跃，刘红侠编著
ComputeationalIntelligenceandSecurityPartI,PartII
2005.12Springer-VerlagPrinterinGermanyYueHao
学术论文
·科研论文(杂志和国际会议)-2003年

·科研论文(杂志和国际会议)-2004年

·科研论文(杂志和国际会议)-2005年

·科研论文(杂志和国际会议)-2006年

·科研论文(杂志和国际会议)-2007年

·科研论文(杂志和国际会议)-2008年

·科研论文(杂志和国际会议)-2009年

·科研论文(杂志和国际会议)-2010年

·科研论文(杂志和国际会议)-2011年


授权专利
·部分国家发明专利（1）

·部分国家发明专利（2）

·部分国家发明专利（3）



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荣誉获奖
郝跃教授相关科研获奖：◇2009年国家技术发明奖二等奖◇1998年国家科技进步三等奖

◇2008年国家科技进步二等奖◇1987年电子工业部科技进步一等奖

◇2005年陕西省科学技术一等奖◇2007年中国高等学校科学技术一等奖

◇2006年国防科学技术二等奖◇2001年国防科学技术二等奖

◇1999年信息产业部科技进步二等奖◇1989年机电部科技进步二等奖

◇2006年国防科学技术二等奖◇2006年国防科学技术二等奖

◇2007年陕西省科学技术二等奖◇2007年中国高等学校科学技术二等奖

◇2008年国防科学技术二等奖◇2009年国防科学技术奖一等奖
详情见http://www.xidian.edu.cn/hyjsktz/kxyj/kycg/index.htm

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科研团队

郝跃教授科研团队：

团队成员：

·郝跃

·张玉明张进成张义门

·刘红侠李培咸马晓华

·张金风杨林安冯倩王冲

·张乃千王省莲吕红亮

·汤晓燕马佩军史江一蔡觉平

·王东郑雪峰张春福曹艳荣

·毛维张弘李康王悦湖杜鸣

·许晟瑞

·学生梯队：王琳焦继业王晓飞吕玲

·学生梯队：毕志伟张伟薛军帅李亮

·学生梯队：杨传凯杜林谢元斌

·学生梯队：全思蒲石张月

·学生梯队：杨小峰杨丽媛陈永和

·学生梯队：曹梦逸常永明邸志雄





重点学科实验室有一支基础素质高、知识面宽，充满朝气、年轻有为的科研队伍。其中教授26人，副教授18人，讲师31人，
助教20人；大于50岁的人员有12人，小于30岁的人员有37人；35人具有博士学位，44人具有硕士学位。



详情见http://www.xidian.edu.cn/hyjsktz/kydw/zdbs/index.htm


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来访交流
与英国的曼彻斯特大学、谢菲尔德大学化合物半导体研发中心、日本的德岛大学、美国南卡罗来纳、加州大学圣芭芭拉分校、堪萨斯州立大学、乔治亚理工大学、香港科技大学以及以色列理工大学等进行了广泛的合作和交流。
与德国英飞凌公司中国研发中心，以及美国应用材料公司也就科研和人才培养进行了紧密的合作。

2005年10月，以色列理工大学校长YitzhakApeloig教授参观实验室

2006年9月，日本德岛大学大野泰夫教授及其夫人访问实验室

2004年6月，德国英飞凌公司罗建华受聘西电客座教授



2005年11月，德国英飞凌通信代表团访问实验室

2006年6月，德国英飞凌公司亚太区总裁潘先弟教授访问实验室



美国应用材料公司访问实验室

出访交流


2006年郝跃教授访问日本日亚化工

访问英国谢菲尔德大学Cullis



访问英国曼彻斯特大学





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招生要求
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关于研究生招生的信息：
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1、招收微电子学与固体电子学学科的博士研究生与硕士研究生
2、招收集成电路设计的博士研究生与硕士研究生
3、暂时不招收各类工程硕士研究生
欢迎对半导体物理、器件、材料和设计有研究兴趣、爱好和热情的同学。


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Profile

Prof.HaoYaoVicepresidentofXidianUniversity,Doctor,AdvisorofPhDcandidates
Majorresearchareas
1.wideforbiddenbandsemiconductormaterialsanddevices
2.reliabilityofultra-deepsubmicronsmall-sizeddevices
3.SoCdesignanditsdesignmethodology

Contact
OfficeAdd:Room507,5FoftheNewSci-techBuilding,NorthCampus
Tel:(029)88202207E-mail:yhao@xidian.edu.cn
Resume
Resume:VicepresidentofXidianUniversity,professor,doctor,advisorofPhDcandidates,borninthecityofChongqinginMarch,1958.GraduatedfromXidianUniversityin1982,majoringinthespecialtyofsemiconductorphysicsanddevices.EarnedhisdoctorateincomputationalmathematicsfromXi’anJiaotongUniversityin1990.SeniormemberoftheIEEE,executivedirectoroftheChineseAssociationofElectronics,chairmanoftheexecutivecouncilsoftheShaanxiProvincialAssociationofElectronics,theTradeAssociationofIntegratedCircuits,andtheShaanxiProvincialSemiconductorIlluminationAssociation.Leaderoftheexpertsgroupfortheimplementationofthemajorsci-techitemsof“coreelectronicdevices,high-enduniversalchipsandbasicsoftwareproducts”inthemedium-to-longtermprogram.LeaderofthemicroelectronictechnologyexpertsgroupoftheGeneralArmamentDepartmentofthePeople’sLiberationArmyofChina.Vicechairmanofthenationalsteeringcommitteeofthespecialtyofelectronicinformationscienceandengineering.MemberoftheNinthandTenthChinesePeople’sPoliticalConsultativeConferenceanddeputytotheEleventhNationalPeople’sCongressofthePeople’sRepublicofChina.
ProfessorHaohaslongbeenengagedinscientificresearchandtalentstraininginthefieldsofnew-typewide-forbidden-bandsemiconductormaterialsanddevices,micro-nanometersemiconductordevicesandhighlyreliableintegratedcircuits.Heisthechiefscientistfortheproductsofthenationalmajorbasicresearch“973”program,national“Young&Middle-agedExpertwithOutstandingContributions”,andrenownedexpertinthefieldofmicroelectronictechnology.Hehasmadesystematiccreativeachievementsbothinresearchonandpopularizationofthethird-generationgalliumnitride/siliconcarbide(wide-forbidden-band)semiconductorfunctionalmaterialsµwavedevices,andsemiconductorilluminatingshort-wavelengthphotoelectricmaterials&devicesandintheresearchonthereliabilityandfailuremechanismofmicro-nanometerCMOSdevices.
Teachingandresearchresults:TheachievementsoftheresearchprojectsProfessorHaotookchargeofwonasecondNationalInventionAward,andasecondandathirdNationalScience&TechnologyProgressAwards.ProfessorHaoreceivedmorethan10firstandsecondprovincial/ministerialsci-techresultsawards,andobtainedover20nationalinventionpatents.Hepublishedquiteafewbooks,suchas“SiliconCarbideWideBandGapSemiconductorTechnology”,“TheoryandMethodofIntegratedCircuitManufacturingDynamics”and“ReliabilityofMicronanometreCMOSDevicesandFailureMechanism”,andover300papersinthefamousjournalsathomeandabroad,ofwhichmorethan100havebeenindexedbySCI.Hewonthe“He-Liang-He-Li”ScienceandTechnologyAwardin2010.