基本信息

李聪副教授
硕导
博士学科：电子科学与技术
硕士学科：微电子学与固体电子学
工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：西安市太白南路2号415信箱
电子邮箱：cong.li@mail.xidian.edu.cn
办公电话：**-801
办公地点：北校区东大楼210

个人简介

李聪1981年生，博士、副教授、硕士导师。分别于2003年、2006年及2011年在西安电子科技大学取得学士、硕士以及博士学位。2006年留校参加工作，主要研究方向为新型半导体器件及电路研究。2011年6月～9月在比利时IMEC进修学习。目前主持国家自然科学基金一项，中央高校基本科研业务费一项，发表学术论文十余篇，其中以第一作者发表论文6篇，已被SCI检索5篇，EI检索5篇。目前是IEEEMember。
主要研究方向
1．新型半导体器件建模与工艺设计
2．低噪声CMOS电路设计
3．量子器件与量子计算
4．
5．


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基本信息

李聪副教授
硕导
博士学科：电子科学与技术
硕士学科：微电子学与固体电子学
工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：西安市太白南路2号415信箱
电子邮箱：cong.li@mail.xidian.edu.cn
办公电话：**-801
办公地点：北校区东大楼210

个人简介

李聪1981年生，博士、副教授、硕士导师。分别于2003年、2006年及2011年在西安电子科技大学取得学士、硕士以及博士学位。2006年留校参加工作，主要研究方向为新型半导体器件及电路研究。2011年6月～9月在比利时IMEC进修学习。目前主持国家自然科学基金一项，中央高校基本科研业务费一项，发表学术论文十余篇，其中以第一作者发表论文6篇，已被SCI检索5篇，EI检索5篇。目前是IEEEMember。
主要研究方向
1．新型半导体器件建模与工艺设计
2．低噪声CMOS电路设计
3．量子器件与量子计算
4．
5．


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科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
1.国家自然科学基金：《无结围栅纳米线MOSFET的短沟道效应研究》，批准号：61204092，2013年1月至2015年12月。
2.中央高效基本科研业务费：《高k栅介质异质围栅MOSFET器件研究》，批准号：K**，2011年至2013年。
3.国家自然科学基金：《高k介质MOS器件共振隧穿低频噪声模型及应用研究》，批准号：61016107，2011年1月至2013年12月。


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学术论文
2013年：

R.HanandC.Li（通讯作者）,“Analyticalmodelfordirecttunnelinggatecurrentinlong-channelundopedcylindricalsurroundinggateme[ant]tal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistors,”JapaneseJournalofAppliedPhysics,vol.52,no.2,2013.(SCI:**022)C.Li,Y.-Q.ZhuangandL.Zhang,"SimulationstudyonFinFETwithtri-materialgate"20128thIEEEInternationalConferenceonElectronDevicesandSolid-StateCircuits,EDSSC2012,Bangkok,Thailand,(EI:**866)C.Li,Y.Zhuang,S.Di,andR.Han,“SubthresholdBehaviorModelsforNanoscaleShort-ChannelJunctionlessCylindricalSurrounding-GateMOSFETs,”IEEETrans.ElectronDevices,vol.60,no.11,pp.3655–3662,Nov.2013.(SCI:**007)C.Li,Y.Zhuang,L.Zhang,G.Jin,"Quasi-two-dimensionalthresholdvoltagemodelforjunctionlesscylindricalsurroundinggateme[ant]tal-oxide-semiconductorfield-effecttransistorwithdual-materialgate,"ChinesePhysicsB,vol.23,no.1,p.018501C.Li,Y.Zhuang,L.Zhang,G.Jin,"Atwo-dimensionalanalayticalsubthresholdbehaviormodelforjunctionlessdual-materialcylindricalsurrounding-gateMOSFETs,"ChinesePhysicsB,vol.23,no.3,p.**年：
C.Li,Y.-Q.Zhuang,L.Zhang,andJ.-L.Bao,“Analyticalmodelincludingthefringing-inducedbarrierloweringeffectforadual-materialsurrounding-gateMOSFETwithahigh-kgatedielectric,”ChinesePhysicsB,vol.21,no.4,p.048501,2012.(SCI:**093)C.Li,Y.Zhuang,R.Han,L.Zhang,andJ.Bao,“AnalyticalmodelingofasymmetricHALO-dopedsurrounding-gateMOSFETwithgateoverlappedlightly-dopeddrain,”ActaPhysicaSinica（物理学报）,vol.61,no.7,p.078504,2012.(SCI:**077)2011年：
C.Li,Y.Zhuang,R.Han,G.Jin,andJ.Bao,“Analyticalthresholdvoltagemodelforcylindricalsurrounding-gateMOSFETwithelectricallyinducedsource/drainextensions,”MicroelectronicsReliability,vol.51,no.12,pp.2053–2058,2011.(SCI:**005)C.Li,Y.Zhuang,andR.Han,“Newanalyticalthresholdvoltagemodelforhalo-dopedcylindricalsurrounding-gateMOSFETs,”JournalofSemiconductors,vol.32,no.7,p.074002,2011.(EI:**400)C.Li,Y.Zhuang,andR.Han,“Cylindricalsurrounding-gateMOSFETswithelectricallyinducedsource/drainextension,”MicroelectronicsJournal,vol.42,no.2,pp.341–346,2011.(SCI:**015)R.Han,B.Han,D.H.Wang,andC.Li,“TemperaturedependenceofRamanscatteringfrom4H-SiCwithhexagonaldefects,”Appl.Phys.Lett.,vol.99,no.1,Jul.2011.(SCI:**025)2010年：
C.Li,Y.-Q.Zhuang,andR.Han,“Analyticalthresholdmodelfornanoscalecylindricalsurrounding-gateme[ant]tal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistorwithhigh-kgatedielectricandtri-materialgatestack,”JapaneseJournalofAppliedPhysics,vol.49,no.12,p.124202,2010.(SCI:**043)2010年之前：
R.Han,C.Li,Y.Yang,andH.Jia,“Analysisofearlyvoltagein4H-SiCBJTs,”JournalofSemiconductors,vol.28,no.9,pp.1433–1437,2007.J.-L.Bao,Y.-Q.Zhuang,L.Du,Z.-F.Ma,W.-H.Li,andC.Li,“Effectsofpoweragingon1/fnoisecharacteristicsforGaAlAsIRLED,”HongwaiYuHaomiboXuebao/JournalofInfraredandMillimeterWaves,vol.25,no.1,pp.33–36,2006.J.-L.Bao,Y.Zhuang,L.Du,Z.Ma,W.Li,andC.Li,“Investigationofmechanismson1/fNoiseandG-RNoiseinoptoelectroniccoupledDevices,”GuangziXuebao/ActaPhotonicaSinica,vol.34,no.6,pp.857–860,2005.


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荣誉获奖
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科研团队
团队教师
博士研究生

硕士研究生

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课程教学
目前本人承担的教学任务：
主讲：Physicsofsemiconductordevices（双语）


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招生要求
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关于研究生招生的信息：
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2013年起招收微电子学与固体电子学硕士研究生。


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