基本信息
杨林安　教授/博导博士学科：微电子学与固体电子学硕士学科：半导体物理与器件　工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：电子邮箱：layang@xidian.edu.cn办公电话：88201759办公地点：科技实验楼A512
个人简介
杨林安，男，1965年11月出生，籍贯河北省。1986年和1989获西北电讯工程学院半导体物理与器件专业学士与硕士学位；2003年获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。1989至2005年为空军工程大学电讯工程学院教师；2006年至今为西安电子科技大学微电子学院教授；2004至2005年从事博士后研究工作；2007年为日本德岛大学工学部客座研究员。多年来的研究工作包括纳米CMOS器件可靠性、碳化硅和氮化镓宽禁带半导体材料和微波大功率器件工艺等。主持和参与了国家863高科技VLSI重大专项课题、国防科技预先研究、国家自然科学基金等项目。在国际国内期刊上发表相关论文近50篇，被三大索引检索40余篇，其中在IEEETrans.ED、Appl.Phys.Lett.、J.Appl.Phys.、Solid-StateElectron.等国际期刊和国际会议上发表多篇论文，并获多项国家发明专利授权。多年来担任IEEE-Trans.ED和Solid-StateElectronics学术期刊的论文审稿人。
主要研究方向
半导体太赫兹（THz)关键技术与机理、SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。

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基本信息
杨林安　教授/博导博士学科：微电子学与固体电子学硕士学科：半导体物理与器件　工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：电子邮箱：layang@xidian.edu.cn办公电话：88201759办公地点：科技实验楼A512
个人简介
杨林安，男，1965年11月出生，籍贯河北省。1986年和1989获西北电讯工程学院半导体物理与器件专业学士与硕士学位；2003年获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。1989至2005年为空军工程大学电讯工程学院教师；2006年至今为西安电子科技大学微电子学院教授；2004至2005年从事博士后研究工作；2007年为日本德岛大学工学部客座研究员。多年来的研究工作包括纳米CMOS器件可靠性、碳化硅和氮化镓宽禁带半导体材料和微波大功率器件工艺等。主持和参与了国家863高科技VLSI重大专项课题、国防科技预先研究、国家自然科学基金等项目。在国际国内期刊上发表相关论文近50篇，被三大索引检索40余篇，其中在IEEETrans.ED、Appl.Phys.Lett.、J.Appl.Phys.、Solid-StateElectron.等国际期刊和国际会议上发表多篇论文，并获多项国家发明专利授权。多年来担任IEEE-Trans.ED和Solid-StateElectronics学术期刊的论文审稿人。
主要研究方向
半导体太赫兹（THz)关键技术与机理、SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。

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科学研究
国家自然科学基金项目：氮化物半导体THz电子器件关键技术研究（61274092），项目负责人国家自然科学基金项目：一种应用于AlGaN/GaN微波功率器件的场板栅结构理论模型和新工艺研究（61076079），项目负责人国家自然科学基金项目：新型AlGaN/GaN太赫兹耿氏二极管研究（60676048），项目负责人高等学校博士点专项基金项目（博导类）：氮化镓基太赫兹负阻器件结构及关键工艺研究（**012），项目负责人

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学术论文
国际期刊发表的代表性论文：2013年：[1]YingWang,Lin-AnYang,WeiMao,ShuangLong,andYueHao,Modulationofmulti-domaininAlGaN/GaNHEMT-likedplanarGunndiode.IEEETrans.ElectronDevices,60(5),1600-1606,2013;[2]HaoranChen,Lin’anYang,ShuangLong,andYueHao,ReproducibilityinthenegativedifferentialresistancecharacteristicofIn0.17Al0.83N/GaNresonanttunnelingdiodes-Theoreticalinvestigation.JournalofAppliedPhysics,113(19),194509,2013;[3]LiangLi,Lin'anYang,JinchengZhang,andYueHao,DislocationblockingbyAlGaNhotelectroninjectingla[ant]yerintheepitaxialgrowthofGaNterahertzGunndiode,JournalofAppliedPhysics,114(10),104508,2013;[4]HaoranChen,Lin'anYang,XiaoxianLiu,ZhangmingZhu,JunLuo,andYueHao,TheimpactoftrappingcentersonAlGaN/GaNresonanttunnelingdiode,IEICEElectronicsExpress,Vol.10,No.19,pp:1-6,2013;[5]L.Li,L.A.Yang,R.T.Cao,S.R.Xu,X.W.Zhou,J.S.Xue,Z.Y.Lin,W.Ha,J.C.Zhang,Y.Hao,ReductionofthreadingdislocationsinN-polarGaNusingapseudomorphicalygrowngraded-Al-fractionAlGaNinterla[ant]yer,JournalofCrystalGrowth387,1–5,2014;[6]L.Li,L.A.Yang,X.W.Zhou,J.C.Zhang,andY.Hao,Pointdefectdeterminationbyphotoluminescenceandcapacitance–voltagecharacterizationinGaNterahertzGunndiode,ChinesePhysicsB,Vol.22,No.8,pp:087103,2013.2012年：[1]Lin’anYang,ShuangLong,XinGuo,andYueHao,Acomparativeinvestigationonsub-micrometreInNandGaNGunndiodesworkingatterahertzfrequency,JournalofAppliedPhysics,111(10),104514,2012;[2]LiangLi,Lin-AnYang,Jin-ChengZhang,Jun-ShuaiXue,Sheng-RuiXu,LingLv,YueHao,andMu-TongNiu,ThreadingdislocationreductionintransitregionofGaNterahertzGunndiodes.AppliedPhysicsLetters,100(07),072104,2012;[3]LiangLi,Lin-AnYang,Jin-ChengZhang,Lin-XiaZhang,Li-ShaDang,Qian-WeiKuang,YueHao,PointdefectdeterminationbyeliminatingfrequencydispersioninC–VmeasurementforAlGaN/GaNheterostructure.Solid-StateElectronics,68,98-102,2012;2011年：[1]Lin'anYang,HanbingHe,WeiMao,andYueHao,"QuantitativeanalysisofthetrappingeffectonterahertzAlGaN/GaNresonanttunnelingdiode",AppliedPhysicsLetters,Vol,99,No.15,153501,2011;[2]Lin-AnYang,YueHao,QingyangYao,andJinchengZhang,“ImprovedNegativeDifferentialMobilityModelofGaNandAlGaNforaTerahertzGunnDiode,”IEEETrans.ElectronDevices，Vol.58,No.4,1076-1083,2011；[3]Lin’anYang,WeiMao,QingyangYao,QiLiu,XuhuZhang,JinchengZhang,andYueHao,“TemperatureeffectonthesubmicronAlGaN/GaNGunndiodesforterahertzfrequency”,JournalofAppliedPhysics,Vol.109,No.2,024503,2011;2010年以前：[1]Lin’anYang,YueHao,JinchengZhang,“UseofAlGaNinthenotchregionofGaNGunndiodes”,AppliedPhysicsLetters,Vol.95,No.14,:143507,2009;[2]Lin-AnYang,ChunliYu,YueHao,2008,“Anewmodelofsubthresholdswingforsub-100nmMOSFETs”,MicroelectronicsReliability,Vol.48,No.3,342-347,2008;[3]YueHao,Lin-AnYang,andJin-ChengZhang,“GaN-basedSemiconductorDevicesforTerahertzTechnology”,TerahertzScienceandTechnology,Vol.1,No.2,51-64,2008;[4]Lin-AnYang,YueHao,ChunliYu,FengyanHan,“Animprovedsubstratecurrentmodelforultra-thingateoxideMOSFETs”,Solid-StateElectronics,Vol.50,No.3,:489-495,2006;[5]YueHao,Lin-AnYang,ChunliYu,“Anoptimizationtechniqueforparameterextractionofultra-deepsubmicronLDDMOSFET's”,Solid-StateElectronics,Vol.50,No.9,1540-1544,2006;[6]Lin’anYang,YimenZhang,ChunliYu,“Acompactmodeldescribingtheeffectofp-bufferla[ant]yerontheI-Vcharacteristicsof4H-SiCpowerMESFETs”，Solid-StateElectronics,Vol.49,No.4,2005:517-523,2005;

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荣誉获奖
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科研团队
博士研究生宋贤征；李亮，陈庆，陈浩然，戴扬；汪瑛；赵洪亮；李秀圣，舒浩；硕士研究生赵乐，姚慧；高佳，黄永宏，翟慧芳；李月，田言，许详，陈安，吴凡；

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课程教学
目前本人承担的教学任务：
射频电路基础（本科）
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招生要求
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关于研究生招生的信息：
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