刘翠霞，女，1977年生，博士,讲师。
2009年6月毕业于西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室，获工学博士学位。近年来参与了航空基金（04G53044）、“十一五”预研、国家自然科学基金（**）、国家重点基础研究计划（973计划2011CB61040）、凝固技术国家重点实验室自选课题基金（KP200906）资助等项目5项；已在ComputationalMaterialsScience、AppliedSurfaceScience、无机材料学报等期刊上发表学术论文20余篇，其中第一作者15篇，SCI已收录7篇，EI已收录5篇，出版教材一部。博士期间进行了化学气相沉积SiC膜生长过程的多尺度模拟，为化学气相沉积法制备高性能SiC材料奠定了一定的理论基础，并提供了相应技术指导，对尚处于起步阶段的我国SiC材料研究有积极的推动作用。目前主要研究领域：金属基复合材料、SiC晶体生长的模拟和计算、ZnSe晶体的生长等。
[1]CuixiaLiu,YanQingYang,ManZhu,ChenYang.InfluenceofCH3SiCl3ConsistencyonGrowthProcessofSiCFilmbyKineticMonteCarloMethod.JournalofWuHanuniversityoftechnologymaterialscience.2012(Accept)

[2]CuixiaLiu,YanqingYangXianLuo.Grain-scaleGrowthSimulationofSiCFilmwiththeChemicalVaporDeposition.Method.ComputationalMaterialsScience.2012(Accept)

[3]CuixiaLiu,YanqingYangXianLuo.Athree-dimensionalatomic-scalesimulationsofCVD-SiCfilmgrowthin{111},{110}and{100}familyofplanes.ComputationalMaterialsScience.2011,50(8):2338-2346(SCI773CD)

[4]Cui-xiaLiu,Yan-QingYang,Rong-JunZhang,XianLuo.GrainGrowthSimulationof{111}and{110}OrientedCVD-SiCFilmbyPottsMonteCarlo.ComputationalMaterialsScience.2009,44:1281~1285(SCI:412CA,EI:**)

[5]C.X.Liu,Y.Q.Yang,X.Luo,R.J.Zhong,B.Huang.Multi-lengthScaleMonteCarloSimulationoftheGrowthProcessofSiCFilmbyChemicalVaporDeposition.AppliedSurfaceScience.2008,255(5):3342~3349(SCI:378CR,EI:**)

[6]CuiXiaLiu,Y.Q.Yang,R.J.Zhang,X.X.Ren.KineticMonteCarloSimulationof{111}-OrientedSiCFilmwithChemicalVaporDeposition.ComputationalMaterialsScience.2008,43(4):1036~1041(SCI:372QR,EI:**)

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[11]CuixiaLiuYanqingYang,LuoXianEffectofcarboncoatingontensilestrengthofSiCfilamentbyChemicalVaporDeposition.AdvancedMaterialsResearch.2011,291-294:57~60(Ei**507)

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