谷文萍 讲师 电子与控制工程学院




个人资料
个人概况
研究领域
开授课程
科研项目
论文
科技成果
荣誉奖励
工作经历










学位： 博士
毕业院校： 西安电子科技大学
邮件： wpgu@chd.edu.cn
电话： **
出生年月： 1982-11-23
办公地点： 长安大学雁塔校区二号教学楼307







个人资料
学院： 电子与控制工程学院
性别： 女
出生年月： 1982-11-23
职称： 讲师
学位： 博士
学历： 博士
毕业院校： 西安电子科技大学
联系电话： **
电子邮箱： wpgu@chd.edu.cn
通讯地址： 长安大学雁塔校区二号教学楼307
邮编： 710071
传真：
办公地址： 长安大学雁塔校区二号教学楼307
教育经历： 2006/09–2010/03，西安电子科技大学，微电子学院，博士，导师：郝跃院士
2005/09–2006/07，西安电子科技大学，微电子学院，硕士（硕博连读），导师：郝跃院士
2001/09–2005/07，西安电子科技大学，技术物理学院，学士，导师：马晓华教授




个人简介
谷文萍，女，1982年11月生，讲师。先后在西安电子科技大学电子科学与技术专业、西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业攻读学士、硕士、博士学位。长期从事电子信息类专业教学和科研工作。教学方面，主持教改项目1项，指导大学生创新创业项目2项，多次指导学生参加互联网+等竞赛，并获得优秀指导教师称号；科研方面，主持中央高校基金2项，参加国家自然科学基金1项，陕西省自然科学基金2项，西安市科技局项目1项，申请专利4项，并和他人合作获专利多项。公开发表学术论文数十篇，其中9篇SCI收录，4篇EI收录，3篇ISTP收录。


社会职务



研究领域
电子信息学科中的电子器件设计及应用



开授课程
半导体物理
集成电路制造工艺
纳米电子学概论
电子设计自动化



科研项目
[1]GaN基MOS-HEMT器件辐照损伤机理与可靠性研究，中央高校基金 NO.2，经费3万元，2016/01/?2017/12，主持人。
[2]新型高可靠AlGaN/GaN HEMT器件研究中央高校基金 NO.CHD2012JC095，经费3万元，2012/01/?2013/12，主持人。
[3]高性能薄膜SOI硅锗异质结晶体管机理研究，国家自然科学基金NO.**,经费23.6万元，2016.1-2018.12,主要参加人。
[4]新型结构半永久性碳化硅微型同位素电池研究，陕西省自然科学基金NO.2015JM6357,经费2万元，2014.1-2015.12,主要参加人。
[5]基于碳化硅材料的高温半导体温度传感器研究，西安市科技计划项目NO.CXY1441(9),经费6万元，2014.1-2015.12,主要参加人。
[6]GaN/SiC器件辐射效应及加固技术探索研究，国防预研项目NO.，经费100万，2007.1-2010.12，主要参与人。



论文
[1]谷文萍，张林，杨鑫，全思，徐小波，杨丽媛，刘盼芝，质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响，电子学报，2016,44(6)(EI)
[2]谷文萍，张进成，张林，徐小波，刘盼芝，GaN基材料和器件的质子辐照效应，半导体技术，2016（7）(ISTP)
[3]谷文萍，全思，张林，徐小波，刘盼芝，AlGaN/GaN 异质结材料的中子辐照效应，半导体技术，2015（3）(ISTP)
[4]谷文萍，全思，张林，徐小波，刘盼芝，杨丽媛，电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响，半导体技术，2015（4）(ISTP)
[5]谷文萍，张林，李清华，邱彦章，郝跃，全思，刘盼芝，中子辐射对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响，物理学报（优先出版），2014，63（4）：047202-1 ~047202-6(SCI)
[6]Wenping Gu,Yue Hao,Lin’an Yang, Chao Duan,Huantao Duan, Jincheng Zhang,Xiaohua Ma, The Effect of Neutron Irradiation on the Electrical Properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors, physica status solidic，2010, 7（7-8）: 1991-1996(EI)
[7]Wenping Gu,Huantao Duan,Jinyu Ni, Yue Hao*, Jincheng Zhang, Qian Feng, Xiaohua Ma, High-Electric-Field-Stress-Induced Degradation of SiN Passivated AlGaN/GaN HEMTs, Chinese PhysicsB,2009, 18(4):1601-1608(SCI)
[8]谷文萍，张进成，王冲，冯倩，马晓华，郝跃，60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响，物理学报，2009，58（2）：1161 ~ 1165(SCI)
[9]谷文萍，郝跃，张进成，王冲，冯倩，马晓华，高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究，物理学报，2009，58（1）：0511~0517(SCI)
[10]Wenping Gu,Chi Chen, Huantao Duan,Yue Hao*, Jincheng Zhang, Chong Wang, Qian Feng, Xiaohua Ma, 60Coγ-rays Irradiation Effect in DC Performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors, Chinese Journal of Semiconductors,2009, 30(4):044002-1-044002-5(EI)
[11]Gu W P,Hao Y, Zhang J C, Yang L A, Ma X H, Duan C, The Effect of Neutron Irradiation on the Electrical Properties of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors, ICNS-8, 2009, Jeju,Korea, 2009.10.18-10.23
[12]Gu W P,Hao Y, Zhang J C, Ma X H, DifferentHigh-Electric-Field-Stress-Induced Degradation of SiN Passivated AlGaN/GaN HEMTs, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices November 2008, Guangzhou,China.
[13]Xiaobo Xu, Xiaoyan Wang, Wenping Gu, and Si Quan, Current Crowding Effect of Equilateral Polygon Emitter Transistors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2017,64(6)(SCI)
[14]Xiaobo Xu, Wenping Gu, Si Quan, et al, Early effect of box, triangular and trapezoidal Ge profiles for SiGe HBTs, Superlattices and Microstructures, 2017,1-7.(SCI)
[15]Xiaobo Xu, Wenping Gu, Xiaoyan Wang, et al, Study on influences of CdZnS buffer layer on CdTe solar cells, Superlattices and Microstructures, 2017,1-7.(SCI)
[16]杨鑫，谷文萍，等，放电等离子烧结TiAl合金组织衍变机理研究，稀有技术学报，2017.（SCI已录用）
[17]张林，乔泽宇，谷文萍，等，铜钼叠层基板的热学特性仿真研究，微电子学，2016, 46(6):838.(ISTP)
[18]Shengrui Xu, Jinfeng Zhang, Wenping Gu, Yue Hao, Jincheng Zhang, Xiaowei Zhou, Zhiyu Lin, Wei Mao, Structural and optical investigation of nonpolar a-plane GaN grown by metal organic chemical vapour deposition on r-plane sapphire by neutron irradiation, Chinese PhysicsB,2012, 21(2):027802-1-027802-5(SCI)
[19]张林，杨霏，肖剑，谷文萍，邱彦章，双极模式SiC JFET功率特性的研究，物理学报，2011，60（10）：107304(SCI)
[20]Huantao Duan, Wenping Gu, Jincheng Zhang, Yue Hao, Chi Chen, Jinyu Ni, Shengrui Xu, CharacterizationofGaNgrownon4H-SiCandsapphirebyRamanspectroscopyandhighresolutionXRD,Journal of Semiconductors, 2009, 30(7):073001-1-073001-5(EI)



科技成果



荣誉奖励
[1]2015年指导学生获得中国（小谷围）“互联网+”运输服务创客大赛长安大学选拔赛三等奖；
[2]2016年指导学生荣获长安大学首届“互联网+”创新创业大赛银奖，并获优秀指导教师称号；
[3]2014年考核优秀
[4]2016年长安大学暑期社会实践活动“优秀指导老师”；
[5]2017年指导学生荣获长安大学“互联网+”创新创业大赛校级银奖，并获优秀指导教师称号；
[6]2017年指导学生荣获大学生创新创业计划项目国家级银奖；
[7]2016年度本科教学电科系学生最满意教师



工作经历
2010/07 至今，长安大学，电子与控制工程学院，讲师