一、基本情况
职称：副教授
学位：工学博士
工作单位：太原理工大学 电气与动力工程学院
邮箱：renyu@tyut.edu.cn
二、研究方向
1）宽禁带半导体器件建模、封装、应用；
2）大功率半导体器件串联技术；
2）直流开断技术；直流微网保护；
三、教育经历
2009.09~2013.07 大连海事大学(211) 电气工程及其自动化（本科）
2013.09~2014.07 西安交通大学 电力电子与电力传动（硕士研究生）
2014.09~ 2018.12 西安交通大学 电力电子与电力传动（博士研究生）
2017.10~2018.10 美国田纳西大学 联合培养博士研究生
四、工作经历
2019.5~至今 太原理工大学 电气与动力工程学院 副教授 硕士生导师
五、学术及社会兼职
2016-至今 IEEE PELS，IES、PES、PELS会员
2016.12-至今 IEEE顶级期刊IEEE Trnsactions on Industrial Electronics、IEEE Transactions on Power Electronics，国内国际电力电子领域会议审稿专家
2020年1月-至今 太原理工大学“智慧能源”青年博士讲坛理事长
六、承担项目情况（以表格形式给出）

七、发表学术论文(论文题目/刊物/卷、期、页/作者顺序/收录情况)
[1]. R. Yu, X. Yang, F. Zhang, et al. "A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs," IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 34, no. 3, pp. 2002-2006, 2019.（一区SCI, IF=7.224）
[2]. R. Yu, X. Yang, F. Zhang, et al., "Voltage Suppression in Wire-Bond-Based Multichip Phase-Leg SiC MOSFET Module Using Adjacent Decoupling Concept," IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 64, pp. 8235-8246, 2017.（一区SCI 收录, IF=7.503）
[3]. R. Yu, X. Yang, F. Zhang, et al., "A Compact Gate Control and Voltage-Balancing Circuit for Series-Connected SiC MOSFETs and Its Application in a DC Breaker," IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 64, pp. 8299-8309, 2017. （一区SCI 收录, IF=7.503）
[4]. F. Zhang, X. Yang, Y. Ren, L. Feng, W. Chen, and Y. Pei, "A Hybrid Active Gate Drive for Switching Loss Reduction and Voltage Balancing of Series-Connected IGBTs," IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 32, pp. 7469-7481, 2017. （一区SCI 收录, IF=7.224）
[5]. F. Zhang, X. Yang, Y. Ren, Y. Pei, et al., "Advanced Active Gate Drive for Switching Performance Improvement and Overvoltage Protection of High-Power IGBTs," IEEE Transactions on Power Electronics, vol. PP, pp. 1-1, 2017. （一区SCI 收录, IF=7.224）
[6]. R. Yu, Y. Xu, Z. Fan, et al."A novel Solid-state DC-breaker based on cascaded SiC MOSFETs" in Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2017 IEEE, 2017.（EI收录）
[7]. R. Yu, Y. Xu, Z. Fan, L. Long, T. Linlin, and Z. Xiangjun, "A low-inductance packaging layout for 1.2kV, 40A Full-SiC power module embedding split damping capacitors," in Future Energy Electronics Conference (IFEEC), 2015 IEEE 2nd International, 2015, pp. 1-5.（EI收录）
[8]. R. Yu, Y. Xu, Z. Fan, T. Linlin, and Z. Xiangjun, "Analysis of A Low-Inductance Packaging Layout for Full-SiC Power Module Embedding Split Damping capacitors" in Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2016 IEEE, 2016.（EI收录）
[9]. R. Yu, Y. Xu, and Z. Fan, and C. Wenjie, "Analysis of series SiC MOSFETs stack using a single standard gate driver," in 2016 IEEE 8th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC-ECCE Asia), 2016, pp. 1664-1668.（EI收录）
[10]. R. Yu, Y. Xu, and Z. Fan, et al., et al."A novel gate control strategy for 3.4kV cascade SiC MOSFETs stack," in 2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'16 ECCE Europe), 2016, pp. 1-9.（EI收录）
[11]. R. Yu, Y. Xu, and Z. Fan, et al."Experimental results of the multichip SiC MOSFET module embedding split damping capaciors " in The 2016 International Workshop on Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronics Xi’an, China, in May 21-22, 2016.
[12]. F. Zhang, Y. Ren, and X. Yang, “Active Gate Charge Control Strategy for Series-Connected IGBTs,” Power Electronics and ECCE Asia (ICPE-ECCE Asia), 2015 9th International Conference on, Jun. 2015, pp. 1840-1845.（EI收录）
[13]. Z. Fan, R. Yu, T. Mofan, and Y. Xu, et al."A novel active gate drive for HV-IGBTs using feed-forward gate charge control strategy," in Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2015 IEEE, 2015, pp. 7009-7014. （EI收录）
[14]. Z. Fan, Y. Xu, R. Yu, L. chen, and G. Ruifeng, "Voltage balancing optimization of series-connected IGBTs in solid-state breaker by using driving signal adjustment technique" in Future Energy Electronics Conference (IFEEC), 2015 IEEE 2nd International, 2015, pp. 1-5. （EI收录）
[15]. F. Zhang, X. Yang and Y. Ren, et al."Active gate charge control strategy for series-connected IGBTs," in 2016 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2016, pp. 2071-2075.（EI收录）
[16]. L. Qiao, X. Yang, Y. Ren, et al., "Performance of a 1.2kV, 288A full-SiC MOSFET module based on low inductance packaging layout," in 2017 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2017, pp. 3038-3042.（EI收录）
[17]. 任宇，韩亚强，谭琳琳，杨旭, 卓放，裴云庆，“一种用于IGBT串联的简单可靠高压隔离驱动电源”，中国电源学会第二十一届学术年会， 深圳，2015年11月
[18]. 张帆, 杨旭, 任宇, 陈颖,苟锐锋, "一种适用于固态直流断路器的IGBT串联均压电路," 中国电机工程学报, pp. 656-663, 2016. （EI收录）
八、代表性学术成果
1、科技奖
2、发明专利
获得授权发明专利六项
[1]. 任宇，杨旭等，“一种可替换IGBT模块的SiC MOSFET智能功率集成模块”，国家发明专利授权。（ZL3.0[P]）
[2]. 任宇，杨旭等，“一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法”，国家发明专利授权。（ZL4.X[P]）
[3]. 任宇，杨旭等，“多SiC MOSFET芯片并联功率模块驱动控制电路及其印制电路板”，国家发明专利授权。
（ZL0.1[P]）
[4]. 任宇，杨旭等，“一种基于级联SiC MOSFET的全固态直流断路器拓扑结构”， 国家发明专利授权。（ZL6.0[P]）
[5]. 张帆，杨旭，任宇等，“一种用于IGBT串联均压的延时匹配电路及方法”， 国家发明专利授权。（ZL4.5[P]）
[6]. 张帆，杨旭，任宇等，“一种 IGBT串联均压电路及方法”，国家发明专利授权。（ZL3[P]）
3、专著
4、教材

九、所获得荣誉（荣誉名称/荣誉授予单位/级别/时间/角色）
十、研究生指导情况
2019级指导硕士生1名
2020级起每年指导硕士研究生3-4名
十一、联系方式
1）通讯地址 山西省太原市迎泽西大街79号
2）邮编 030024
3）邮箱 renyu@tyut.edu.cn




任宇副教授承担项目统计
类别
序号
项目名称
项目属性
项目状态（在研或结题）
金额
执行期
角色

科
技
项
目
1
宽禁带器件SiC MOSFET测试、模块封装、结构-功能集成
太原理工大学科研启动经费
在研
12万
2019.5-2022.5
主持

2
高开断速度全固态直流断路器拓扑结构及分断机理研究
山西省高等学校科技创新项目
在研
3万
2019.9-2021.9
主持

3
面向电力变换器的集成化碳化硅器件串联驱动研究
山西省回国留学人员科研资助项目
在研
5万
2019.9-2022.9
主持

4
面向直流配电网的碳化硅固态断路器拓扑结构稳定性分析及优化
山西省应用基础研究计划面上青年项目
在研
3万
2019.9-2022.9
主持