报告时间：2017年6月8日10:30
报告地点：实验楼四层报告厅
报告人简介：丁孙安，中科院苏州纳米所研究员，博士生导师。1986年和1988年分别获得清华大学电子工程系工学学士和硕士学位；1992年获得中科院半导体所物理学博士学位；1996于德国马普学会的弗里兹-哈伯研究所完成博士后工作，又先后在日本广岛大学和美国缅因大学从事科研工作；2000年后转入工业界，先后在美国朗讯科技和英特尔公司从事技术研究和产品开发工作；2014年加入中科院苏州纳米所，担任纳米真空互联实验站副总指挥。丁孙安研究员获得苏州工业园区高科技领军人才（2014年），江苏省双创人才（2015年）以及江苏省双创团队领军人才（2016年）等荣誉称号。
丁孙安研究员主要研究领域有半导体薄膜材料与器件物理、材料表征与测试、表面与界面分析、真空技术与应用等。目前，所负责的真空互联试验站是世界上规模最大的集材料生长、测试分析、器件工艺于一体的综合科学实验与技术开发的开放平台。他首次用实验方法测量和验证了氮化镓单晶薄膜的能带结构和异质结能带位错，以及纳米硅量子点的量子局限效应。在国际刊物上发表相关学术论文30多篇。(材料科学研究院、科技处)
