江凤仙，女，1979年9月生，博士，副教授，硕士生导师。2003年在山西师范大学获得学士学位，2011年在太原理工大学获得博士学位。目前主要从事自旋电子学材料方面的研究。近年来主持1项国家自然科学基金青年项目，1项高等学校博士学科点专项科研基金项目，1项山西省青年科技研究基金项目，参与2项国家863计划项目和1项国家自然科学基金重点项目。在Appl. Phys. Lett.，Phys. Rev. B和J. Appl. Phys.等学术期刊上发表SCI收录论文10余篇。

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研究工作经历：

1.2006/07月-2013/07，山西师范大学，化材学院，助教，讲师；

2.2013/07-至今，山西师范大学，化材学院，副教授；

3. 2014/12-至今，复旦大学，物理学系，博士后。

主持和参与的科研项目：

1.国家自然科学基金青年项目，**，Fe,Sn掺杂In2O3薄膜室温铁磁性的电场调控，2013/01-2015/12，26万元，主持；

2.2012年高等学校博士学科点专项科研基金项目，**003，电场调控In2O3基稀磁半导体室温铁磁性的研究，2013/01-2015/12，4万元，主持；

3.山西省青年科技研究基金项目，**-2，Fe掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的制备、磁性和自旋极化的研究，2011/01-2013/12，5万元，主持；

4.国家863计划项目，2014AA032904，高密度存储和磁电子材料关键技术，2014/01-2016/12，100万，参与；

5.国家自然科学基金重点项目，**，高居里温度氧化物稀磁半导体的非补偿p-n共掺杂及其对自旋与载流子的分离调控与优化，2015/01-2019/12，362万，参与。

代表性论文：

(1)Feng-Xian Jiang, Xiao-HongXu, Jun Zhang, Xiao-Chen Fan, Hai-Shun Wu, and G. A. Gehring, Role of carrier and spin in tuning ferromagnetism in Mn and Cr-dopedIn2O3thin films,Appl. Phys. Lett.,2010, 96, 052503.

(2)Feng-Xian Jiang, Xiao-HongXu, Jun Zhang, Xiao-Chen Fan, Hai-Shun Wu, Marzook Alshammari,Qi Feng,Harry J. Blythe,David S. Score,Kiri Addison,MohammedAl-Qahtani,and G. A. Gehring, Room temperature ferromagnetism inmetallicandinsulating(In1-xFex)2O3thin films,J. Appl. Phys.,2011, 109, 053907.

(3)Feng-Xian Jiang,Qi Feng, Zhi-Yong Quan, Rong-Rong Ma, S. M. Heald, G. A. Gehring,Xiao-HongXu, The role of Cu codoping on the Fe metal clustering and ferromagnetism in Fe-doped In2O3films,Mater. Res. Bull.,2013, 48, 3178-3182.

(4)Feng-Xian Jiang,Xiao-HongXu, Jun Zhang, Hai-Shun Wu, andG.A. Gehring, High temperature ferromagnetism of the vacuum-annealed (In1-xFex)2O3powders,Appl. Surf. Sci.,2009, 255, 3655-3658.

(5)Shifei Qi,Fengxian Jiang,Jiuping Fan, H. Wu, S. B. Zhang, Gillian A. Gehring, ZhenyuZhang, and Xiaohong Xu, Carrier-mediated nonlocal ferromagnetic coupling betweenlocal magnetic polarons in Fe-doped In2O3and Co-doped ZnO,Phys. Rev. B,2011,84, 205204.

(6)Xiao-Hong Xu,Feng-Xian Jiang, Jun Zhang, Xiao-Chen Fan, Hai-Shun Wu, andG. A. Gehring, Magnetic and transport properties of n-type Fe-doped In2O3ferromagneticthin films,Appl. Phys. Lett.,2009,94, 212510.