姓名：郝兰众
系属：材料科学与工程学院材料物理系


学位：博士
职称：副教授

专业：材料物理与化学
导师类别：硕导

电子邮箱：haolanzhong@upc.edu.cn

通讯地址：山东省青岛市黄岛区长江西路66号

概况

研究方向
1、光电功能薄膜材料与器件
教育经历
2008.09-2012.12，电子科技大学，材料物理与化学，博士
2002.09-2005.04，电子科技大学，材料物理与化学，硕士
1998.09-2002.07，山东师范大学，物理学，学士
工作经历
2015.11-2016.11，美国加州大学伯克利分校，访问****
2012.12-至今，中国石油大学（华东），副教授
2008.01-2012.12，中国石油大学（华东），讲师
2005.04-2007.12，中国石油大学（华东），助教
学术兼职
AppliedPhysics Letters、ACSApplied Materials and Interface等十余个知名杂志评审人。
主讲课程
本科生《材料结构表征及应用》、《纳米材料与技术概论》、《材料综合实验》研究生《薄膜技术与材料》
指导研究生及博士后
累计指导硕士生4人。
承担项目
1、国家自然科学基金青年项目2项
2016.01—2018.12，二硫化钼-硅异质结材料的制备、微结构与氢气敏感性能研究（项目编号**），骨干，在研。
2012.01—2014.12，LiNbO₃/ZnO异质结的制备及电学性能（项目编号**），主持，已结题。
2、山东省自然科学基金1项
2016.06—2019.06，Pd掺杂对MoS2/Si异质薄膜光电性能调控机理研究（ZR2016AM15），主持，在研。
2010.10—2013.10，LiNbO₃/GaN异质结的制备及电学性能（项目编号ZR2010Q017），主持，已结题。
4、自主创新基金3项
2018.01—2020.12，MoS₂/Si异质薄膜的界面修饰机制和光伏性能研究（项目编号18CX02038A），主持，在研。
2015.01—2018.12，中国石油大学（华东）拔尖人才资助计划，主持，在研。
2014.05—2016.06，MoS2/Si异质薄膜的取向生长、掺杂效应及光伏性能研究（项目编号14CX05038A），主持，已结题。
荣誉称号
2015.01，中国石油大学（华东）拔尖人才
著作
1、郝兰众、韩治德、胡松青.材料物理实验，青岛，中国石油大学出版社，2018.
论文
1.L.Hao,* H. Xu, S. Dong, Y. Du, L. Luo, C. Zhang, H. Liu, Y. Wu, Y.Liu. SnSe/ SiO2/Siheterostructures for ultrahigh-sensitivity, ultrafast andbroadband optical position sensitive detectors [J]. IEEE ElectronDevice Letters, 2019, 40(1):55-57.
2.L. Hao,* H. Liu, H. Xu, S. Dong, Y. Du, Y. Wu, H. Zeng, J. Zhu, Y.Liu. Flexible Pd-WS2/Siheterojunction sensors for highly sensitive detection of hydrogenat room temperature [J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2019, 283(1):740-748.
3.L. Hao,* Y. Liu, Z. Han, Z. Xu, J. Zhu. Giant lateral photovoltaiceffect in MoS₂/SiO₂/Sip-i-n junction [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2018, 735(1):88-97.
4.L. Hao,* Y. Liu, Y. Du, Z. Chen, Z. Han, Z. Xu, J. Zhu. Highlyenhanced H₂sensing performance of few-layer MoS₂/SiO₂/Siheterojunctions by surface decoration of Pd nanoparticles [J].Nanoscale Research Letters, 2017, 12(1): 567.
5.L. Hao,* Y. Liu, Z. Han, Z. Xu, J. Zhu. Large lateral photovoltaiceffect in MoS₂/GaAsheterojunction [J]. Nanoscale Research Letters, 2017, 12(1): 562.
6.L. Hao,* W. Gao, Y. Liu, Y. Liu, Z. Han, Q. Xue, J. Zhu.Self-powered broadband, high-detectivity and ultrafastphotodetectors based on Pd-MoS₂/Siheterojunctions [J]. Physical Chemistry Chemical Physics, 2016,18(2): 1131-1139.
7.L. Hao,* Y. Liu, W. Gao, Y. Liu, Z. Han, L. Yu, Q. Xue, J. Zhu.High hydrogen sensitivity of vertically standing layered MoS₂/Siheterojunctions [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016,682(1): 29-34.
8.L. Hao,* Y. Liu, W. Gao, Y. Liu, Z. Han, L. Yu, Q. Xue, J. Zhu.Enhanced photovoltaic characteristics of MoS2/Si hybrid solarcells by metal Pd chemical doping [J]. RSC Advances, 2016, 6(2):1346-1350.
9.Y. Liu, W. Guo, X. Lu, W. Gao, G. Li, Y. Guo, J. Zhu, L. Hao*.Density functional theory study of hydrogenation of S to H₂Son Pt–Pd alloy surfaces [J]. RSC Advances, 2016, 6(8):6289-6299.
10.L. Hao,* Y. Liu, W. Gao, Z. Han, Z. Xu, Y. Liu, J. Zhu.Self-powered photosensing characteristics of amorphouscarbon/silicon heterostructures [J]. RSC Advances, 2016, 6(46):40192-40198.
11.Y. Liu, L. Hao,* W. Gao, Q. Xue, W. Guo, Z. Wu, Y. Lin, H. Zeng,J. Zhu, W. Zhang. Electrical characterization and ammonia sensingproperties of MoS₂/Sip–n junction [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2015, 631(1):105-110.
12.L. Hao,* Y. Liu, W. Gao, Z. Han, Q. Xue, H. Zeng, Z. Wu, J. Zhu,W. Zhang. Electrical and photovoltaic characteristics of MoS₂/Sip-n junctions [J]. Journal of Applied Physics, 2015, 117(11):114502.
13.Y. Liu, L. Hao,* W. Gao, Z. Wu, Y. Lin, G. Li, W. Guo, L. Yu, H.Zeng, J. Zhu, W. Zhang. Hydrogen gas sensing properties of MoS₂/Siheterojunction [J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2015,211(1): 537-543.
14.Y. Liu, L. Hao,* W. Gao, Y. Liu, G. Li, Q. Xue, W. Guo, L. Yu, Z.Wu, X. Liu, H. Zeng, J. Zhu. Growth and humidity-dependentelectrical properties of bulk-like MoS₂thin films on Si [J]. RSC Advances, 2015, 5(91): 74329-74335.
15.L. Hao,* W. Gao, Y. Liu, Z. Han, Q. Xue, W. Guo, J. Zhu, Y. Li.High-performance n-MoS₂/i-SiO₂/p-Siheterojunction solar cells [J]. Nanoscale, 2015, 7(18): 8304-8308.

专利
授权国家发明专利10项：
（1）刘云杰，郝兰众，韩治德，薛庆忠.一种以绝缘基片为衬底的碳-铝-碳半导体薄膜材料及制备方法，2018.11.20，中国，ZL6.3.
（2）郝兰众，高伟，刘云杰，韩治德，薛庆忠.一种MoS₂/Sip-n结太阳能电池器件及其制备方法，2017.06.06，中国，ZL7.1.
（3）郝兰众，高伟，刘云杰，韩治德，薛庆忠.Pd/MoS₂/SiO₂/Si/SiO₂/In多结红外光探测器件及其制备方法，2017.03.08，中国，ZL8.7.
（4）郝兰众，刘云杰，韩治德，薛庆忠.一种具有ITO/Pd双层结构复合电极的MoS2/Si异质结光伏器件及其制备方法，2017.12.15，中国，ZL3.1.
（5）郝兰众，刘云杰，高伟，韩治德，薛庆忠.一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法，2016.09.14，中国，ZL0.0.
（6）郝兰众，刘云杰，高伟，韩治德，薛庆忠.一种Pd-MoS₂异质结光伏太阳能电池器件及其制备方法，2016.09.26，中国，ZL4.3.
（7）朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里.含铁电层的GaN基增强型器件及制备方法，2015.07.01，中国，ZL2.8.
（8）朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里.铁电薄膜/缓冲层/半导体集成器件及制备方法，2016.01.20，中国，ZL9.8.
（9）朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里.一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，2013.04.03，中国，5.9.
（10）朱俊，廖秀尉，郝兰众，李言荣.半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，2013.06.12，中国，ZL4.X.