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2013年山东大学830半导体物理考研试题(回忆版)

本站小编 免费考研网/2016-03-09

作者: 禄存X    时间: 2013-1-9 16:16
标题: 2013年山东大学物理学院830《半导体物理》较完整回忆版
本帖最后由 禄存X 于 2013-1-9 16:19 编辑

一、名词解释(每个六分,共30分)
1、金刚石结构;
2、单电子近似;
3、陷阱效应;
4、费米能级;
5、光生伏特效应。

二、简述(每个10分,共20分)
1、简述布里渊区和能带的关系;
2、简述类氢模型估计浅能级杂质电离能的方法。

三、问答(每个10分,共40分)
1、费米能级的物理意义?衡量热平衡状态的标志?
2、周期性势场中运动的电子有哪些一般属性?
3、半导体薄膜为什么既具有高透光性,又具有高的电导性?
4、暂时想不起来了,反正不是很难很偏。。。。。。

四、计算(30分)
关于霍尔效应的一个计算题,比较简单。就是题目告诉一些参数,利用公式计算载流子浓度和迁移率等。做一下第十二章的课后习题即可。

五、看图分析(30分
第四章的迁移率与浓度和温度的关系变化曲线,分析高纯和高掺杂半导体的迁移率随温度的变化的趋势及原因。比较简单。。



作者: q271886873    时间: 2013-1-10 13:47
好的 不错!


作者: 追逐晨曦的星光    时间: 2013-9-30 23:17
楼主能加一下qq吗,我想咨询一下有关的考研问题,可以吗?谢谢了。


作者: dshjyi    时间: 2014-4-4 10:37
谢谢


作者: a375588249    时间: 2014-10-12 10:59
这位学长有Q没? 交流一下

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