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张国栋，男，山东省平原县人，1981年9月生，山东大学晶体材料国家重点实验室副研究员。2012年6月获得山东大学工学博士学位，2013年8月-2014年8月在新加坡南洋理工大学从事博士后研究工作，2014年9月-2015年8月在日本国立材料研究所从事博士后研究工作。2016年1月开始在山东大学晶体材料研究所从事科研和教学工作。研究团队主要围绕红外对抗及探测领域中具有重要应用前景的光电功能晶体材料，开展晶体生长与缺陷控制、晶体物理性表征和光电器件研制以及相关的前沿探索。近年来，主持和参与了多项国家自然科学基金、973项目、装备预研、山东省重点研发计划等科研项目，发表论文30余篇，申请专利8项，授权6项。教育经历Education Background 工作经历Work Experience
2009.92012.6
山东大学材料学博士2004.92007.6
山东理工大学材料学硕士2000.92004.7
山东理工大学材料化学学士 2016.1至今
山东大学2014.82015.8
日本物质材料研究机构2013.82014.7
新加坡南洋理工研究方向Research Focus 社会兼职Social Affiliations
主要围绕光电探测与对抗领域以及核辐射探测领域中具有重要应用前景的光电功能晶体材料，开展晶体生长、光电性能研究以及相关的前沿探索。研究方向包括: 1. 红外声光晶体Hg2Br2系列的生长及性能研究。 2. 红外非线性光学晶体CdSiP2的生长及中红外激光性能研究。 3. 钙钛矿晶体CsPbBr3系列的生长及性能研究。暂无内容版权所有?山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
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主要围绕光电探测、核辐射探测以及红外对抗领域中具有重要应用前景的光电功能晶体材料，开展晶体生长与缺陷控制、晶体物理性质表征及光电器件研制以及相关的前沿探索。
研究方向包括:
1. 红外声光晶体Hg2Br2系列的晶体生长、缺陷的识别与控制、声光性能表征及AOTF研制。
2.无机卤化物钙钛矿晶体CsPbBr3系列的生长及性能研究。
3.红外非线性光学晶体CdSiP2的生长及中红外激光性能研究。
论文成果More>>
张鹏.Enhancing Carrier Transport Properties of Melt-grown CsPbBr3 Single Crystals by Eliminating Inclusions.Crystal growth & Design,20,2424,2020.Synthesis of Polycrystalline CdSiP2 with Two-Temperature Zone Method.Journal of Crystal Growth,2019.Characterization of ZnSiP2 films frown on Si substrate by liquid phase epitaxy: morphology, composition, and interface microstructure.Crystal Growth&Design,19,3681-3687,2019.A fractional crystallization technique towards pure mega-size CsPb2Br5 single crystal films.CrystEngComm,21,1352-1357,2019.张国栋and陶绪堂.Growth and polarized Raman spectroscopy investigations of single crystal CdSiP2: Experimental measurements and ab initio calculations.Journal of Crystal Growth,473,28-33,2019.张国栋,赵显,樊唯镏and李妍璐.Anisotropic thermal anharmonicity of CdSiP2 and ZnGeP2: Ab initio calculations.Journal of applied physics,2019.
专利
用于硅叠层太阳能电池的磷硅锌晶体的异质外延生长方法一种卤化亚汞单晶体的生长装置一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法一种用于大尺寸溴铅铯单晶体的可视化定向生长装置及方法
著作成果
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科研项目More>>
垂直布里奇曼法制备大尺寸核辐射探测用CsPbBr3系列晶体, 2020/05/21-2021/12/31宽禁带氧化镓单晶材料与器件, 2019/11/01-2022/12/31功能有机晶体, 2019/04/26-2022/06/30新型高效卤化物长波红外声光晶体Hg2Br2和CsPbBr3的生长及性能研究, 国家自然科学基金项目, 2019/08/16-2023/12/31, 在研新型黄铜矿结构晶体ZnSiP2的生长及其光电转换性能研究, 国家自然科学基金项目, 2016/08/17-2019/12/31, 在研新型高效中红外***的研制, 主管部门科技项目, 2017/08/01-2019/10/01, 完成
科研团队
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1. 红外声光晶体Hg2Br2系列的晶体生长、缺陷的识别与控制、声光性能表征及AOTF研制。
2.无机卤化物钙钛矿晶体CsPbBr3系列的生长及性能研究。
3.红外非线性光学晶体CdSiP2的生长及中红外激光性能研究。
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论文成果
当前位置：中文主页>>科学研究>>论文成果[1]张鹏.Enhancing Carrier Transport Properties of Melt-grown CsPbBr3 Single Crystals by Eliminating Inclusions.Crystal growth & Design, 20,2424, 2020.[2]Synthesis of Polycrystalline CdSiP2 with Two-Temperature Zone Method.Journal of Crystal Growth, 2019.[3]Characterization of ZnSiP2 films frown on Si substrate by liquid phase epitaxy: morphology, composition, and interface microstructure.Crystal Growth&Design, 19,3681-3687, 2019.[4]A fractional crystallization technique towards pure mega-size CsPb2Br5 single crystal films.CrystEngComm, 21,1352-1357, 2019.[5]张国栋and陶绪堂.Growth and polarized Raman spectroscopy investigations of single crystal CdSiP2: Experimental measurements and ab initio calculations.Journal of Crystal Growth, 473,28-33, 2017.[6]张国栋,赵显,樊唯镏and李妍璐.Anisotropic thermal anharmonicity of CdSiP2 and ZnGeP2: Ab initio calculations.Journal of applied physics, 2013.[7]张国栋,陶绪堂and王善朋.Growth of CdSiP2 single crystals by self-seeding vertical Bridgman method.Journal of crystal growth, 2012.[8]张国栋,陶绪堂and王善朋.Growth improvement and quality evaluation of ZnGeP2 single crystals using vertical Bridgman method.Journal of crystal growth, 2012.[9]张国栋.Vertical Bridgman growth and optical properties of CdSiP2 crystals.CrystEngComm, 2013.[10]张国栋.红外非线性光学晶体研究进展.《人工晶体学报》, 2012.共10条1/1 首页上页下页尾页
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