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山东大学研究生导师教师简介-徐明升

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学科:微电子学与固体电子学

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徐明升,山东大学 微电子学院,副研究员,教学科研岗,博士生导师;主要从事宽禁带半导体材料生长和光电器件制备工作,第一/通讯作者发表SCI/EI收录论文十余篇,授权专利十余项,主持国家自然科学基金、博士后基金面上和特别资助等多项科研项目。
联系方式:xums@sdu.edu.cn教育经历Education Background 工作经历Work Experience
2009.92014.6
山东大学材料物理与化学工学博士学位2005.92009.6
山东大学物理学理学学士学位 2017.6至今
山东大学2014.102017.6
华南理工大学Microelectronics研究方向Research Focus 社会兼职Social Affiliations
宽禁带半导体材料(氮化镓、氧化镓、金刚石等)生长和光电器件制备,具体包括: 1、GaN基LED、HEMT外延生长及器件制备; 2、氧化镓、金刚石的电子器件制备及紫外探测应用;暂无内容版权所有?山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100 
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徐明升.Study of the Dislocation and Luminescence Intensity Distributions of Gallium Nitride LED on the Carbon-Nanotubes Patterned Sapphire Substrate.INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTROCHEMICAL SCIENCE,2019.徐明升.Effect of Beveled SiC Substrate on Light Extraction of Flip-Chip Light-Emitting Diodes.IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,2019.徐明升.Efficiency enhancement of GaN-based green light-emitting diode with PN-doped quantum barriers.Materials Express,2019.徐明升and杨再兴.Recent advances in Ga-based solar-blind photodetectors.Chin. Phys. B,2019.徐明升.Effects of spectral parameters on the light properties of red-green-blue white light-emitting diodes.Applied Optics,2019.徐明升.Influence of low temperature p-GaN layer on the optical properties of a GaN-based blue light-emitting diodes.Materials Express,2019.

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宽禁带半导体协同创新中心, 2019/09/01-2022/08/30金刚石单晶及深紫外探测器芯片技术研究, 2019/01/01-2021/12/31 版权所有?山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100 
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[1]徐明升.Study of the Dislocation and Luminescence Intensity Distributions of Gallium Nitride LED on the Carbon-Nanotubes Patterned Sapphire Substrate.INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTROCHEMICAL SCIENCE, 2014.[2]徐明升.Effect of Beveled SiC Substrate on Light Extraction of Flip-Chip Light-Emitting Diodes.IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2014.[3]徐明升.Efficiency enhancement of GaN-based green light-emitting diode with PN-doped quantum barriers.Materials Express, 2016.[4]徐明升and杨再兴.Recent advances in Ga-based solar-blind photodetectors.Chin. Phys. B, 2019.[5]徐明升.Effects of spectral parameters on the light properties of red-green-blue white light-emitting diodes.Applied Optics, 2016.[6]徐明升.Influence of low temperature p-GaN layer on the optical properties of a GaN-based blue light-emitting diodes.Materials Express, 2016.[7]徐明升.Improved efficiency of near-ultraviolet LEDs using a novel p type AlGaN hole injection layer.Superlattices and Microstructures, 2016.[8]徐明升.Temperature dependent current–voltage curves study of GaN-based blue light-emitting diode.Materials Express, 2015.[9]贾志泰,徐明升,辛倩,陶绪堂,宋爱民and刘雅璇.Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio.IEEE Electron Device Letters, 39,1696, 2018.[10]徐明升.Internal quantum efficiency improvement of InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes. 2016.共10条1/1 首页上页下页尾页
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热学/2018-2019/春学期/48课时/3.0学分/sd04030050 热学/2017-2018/春学期/48课时/3.0学分/sd04030050 半导体物理及器件/2018-2019/64课时/4.0学分/sd04030040

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热学 2018-2019 春学期48 3 sd04030050
半导体物理及器件 2018-2019 64 4 sd04030040
热学 2017-2018 春学期48 3 sd04030050
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