山东大学研究生导师教师简介-栾彩娜

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栾彩娜

(高级实验师)

教师姓名：栾彩娜
教师拼音名称：luancaina
入职时间：2005-07-16
所在单位：微电子学院
性别：女
职称：高级实验师
在职信息：在职
是否在职：1

个人简介

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教育经历

工作经历

[1] 2005.7-至今
山东大学物理与微电子学院

研究方向

物理学类其他专业

团队成员

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查号台：（86）-**
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马瑾. Epitaxial growth of SnO2 films on 6H-SiC (0 0 0 1) by MOCVD.Materials Research Bulletin.2012,47(2):253

马瑾. Structural and optical properties of heteroepitaxial beta Ga2O3 films grown on MgO (100) substrates.Thin Solid Films.2012,520:4270

马瑾. Characterization of b-Ga2O3 thin films on sapphire (0001) using metal-organic chemical vapor deposition technique.Vacuum.2012,86:1850

马瑾. Epitaxial growth of Ga2O3 thin films on MgO(110) substrate by metal–organic chemical vaporde position.Journal of crystal growth.2012,354:93

马瑾. Characterization ofb-Ga2O3 epitaxial films grown on MgO(111) substrates by metal-organic chemical vapor deposition.Materials letters.2012,87 :109

专利 MORE+

一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法

一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法

一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法

一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法

一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法

著作成果
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科研项目 MORE+

可转移的、稀土元素掺杂的Beta-氧化镓基发光二极管的制备及性能研究, 2019-04-26-2022-06-30

高质量锌锡氧化物透明导电薄膜的制备, 2007-12-01-2010-12-31

基于能带工程/应力调控的高效InGaN基红光LED的研究, 2016-08-17-2020-12-31

面向大厚度高效聚合物光伏器件的活性层形态结构和载流子复合的调控, 2015-08-17-2019-12-31

利用纳米孔（柱）阵列同时提高LED内、外量子效率的研究, 2015-01-01-2017-12-31

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马瑾. Structural and optical properties of heteroepitaxial beta Ga2O3 films grown on MgO (100) substrates.Thin Solid Films.2012,520:4270

马瑾. Characterization of b-Ga2O3 thin films on sapphire (0001) using metal-organic chemical vapor deposition technique.Vacuum.2012,86:1850

马瑾. Epitaxial growth of Ga2O3 thin films on MgO(110) substrate by metal–organic chemical vaporde position.Journal of crystal growth.2012,354:93

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一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法

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可转移的、稀土元素掺杂的Beta-氧化镓基发光二极管的制备及性能研究, 2019-04-26-2022-06-30

高质量锌锡氧化物透明导电薄膜的制备, 2007-12-01-2010-12-31

基于能带工程/应力调控的高效InGaN基红光LED的研究, 2016-08-17-2020-12-31

面向大厚度高效聚合物光伏器件的活性层形态结构和载流子复合的调控, 2015-08-17-2019-12-31

利用纳米孔（柱）阵列同时提高LED内、外量子效率的研究, 2015-01-01-2017-12-31

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论文成果

当前位置: 中文主页>>科学研究>>论文成果[1]马瑾.Epitaxial growth of SnO2 films on 6H-SiC (0 0 0 1) by MOCVD.Materials Research Bulletin, 47,253, 2012.[2]马瑾.Structural and optical properties of heteroepitaxial beta Ga2O3 films grown on MgO (100) substrates.Thin Solid Films, 520,4270, 2012.[3]马瑾.Characterization of b-Ga2O3 thin films on sapphire (0001) using metal-organic chemical vapor deposition technique.Vacuum, 86,1850, 2012.[4]马瑾.Epitaxial growth of Ga2O3 thin films on MgO(110) substrate by metal–organic chemical vaporde position.Journal of crystal growth, 354,93, 2012.[5]马瑾.Characterization ofb-Ga2O3 epitaxial films grown on MgO(111) substrates by metal-organic chemical vapor deposition.Materials letters, 87 ,109, 2012.[6]毛宏志,栾彩娜,刘建强,马瑾,肖洪地and杨小坤.Lift-Off Mechanism of GaN Thin Films with Buried Nanocavities Investigated by SEM and TEM.Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 48,3036, 2019.[7]肖洪地,栾彩娜,庞智勇,刘建强,马瑾and杨小坤.Large-area, liftoff nanoporous GaN distributed Bragg reflectors: Fabrication and application.Applied surface science, 489,849, 2019.[8]栾彩娜,刘建强,马瑾,肖洪地and赵冲冲.Fabrication and properties of wafer-scale nanoporous GaN distributed Bragg reflectors with strong phase-separated InGaN/GaN layers.JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS Journal, 789,658, 2019.[9]栾彩娜,冯先进,肖洪地,马瑾and何林安.UV-vis transparent conducting Ta-doped SnO2 epitaxial films grown by metal-organic chemical vapor deposition.Materials Research Bulletin, 118, 2019.[10]马瑾,张锡健,栾彩娜,冯先进,宋爱民and刘晓辉.Cu2O epitaxial films with domain structures prepared on Y-stabilized ZrO2 substrates by pulsed laser deposition.Ceramics International, 43,15500, 2017.[11]刘建强,栾彩娜,冀子武,肖洪地and崔积适.Structure and growth mechanism of quasi-aligned GaN layer-built nanotowers .Applied Physics Letters, 100,213101, 2012.[12]肖洪地,栾彩娜,刘建强and马瑾.Fabrication and properties of wafer-scale nanoporousGaN distributed Bragg reflectors with strong phase-separated InGaN/GaN layers.Journal of Alloys and Compounds, 789,658, 2019.[13]肖洪地,毛宏志,栾彩娜,刘建强and马瑾.Lift-Off Mechanism of GaN Thin Films with Buried Nanocavities Investigated by SEM and TEM.Journal of Electronic Materials , 48,3036, 2019.[14]冯先进,栾彩娜,马瑾and赵伟.Structural, electrical and optical properties of epitaxial Ta-doped titania films by MOCVD.CrystEngComm, 20,5395, 2018.[15]栾彩娜,冯先进,马瑾and何林安.Characterization of Rutile SnO2 Epitaxial Films Grown on MgF2 (001) Substrates by MOCVD.Crystal Research and Technology, 53, 2018.[16]冯先进,栾彩娜,马瑾and王伟广.Effect of Nb doping on structural and electrical properties of homoepitaxial rutile TiO2:Nb films.Ceramics International, 44,2432, 2018.
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一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法

2019-04-15

一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法

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一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法

2019-04-15

一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法

2019-04-15

一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法

2019-04-15

一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法

2019-04-15

一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法

2019-01-26
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当前位置: 中文主页>>科学研究>>科研项目可转移的、稀土元素掺杂的Beta-氧化镓基发光二极管的制备及性能研究,2019-04-26,2022-06-30,高质量锌锡氧化物透明导电薄膜的制备,2007-12-01,2010-12-31,基于能带工程/应力调控的高效InGaN基红光LED的研究,2016-08-17,2020-12-31,面向大厚度高效聚合物光伏器件的活性层形态结构和载流子复合的调控,2015-08-17,2019-12-31,利用纳米孔（柱）阵列同时提高LED内、外量子效率的研究,2015-01-01,2017-12-31,基于层状双氢氧化物纳米复合材料的杂化太阳能电池的制备及性能研究,2013-08-15,2017-12-31,具有纳米孔（柱）阵列的LED结构的制备及量子效率的研究,2013-01-01,2015-12-31,可调带隙铝-铟氧化物半导体薄膜材料的制备及性质研究,2012-08-17,2016-12-31,氧迁移影响下的HfO2阻变存储器机理及其制备研究,2012-07-31,2015-07-31,尺寸可控的柔性GaN基纳米薄膜的制备及特性研究,2012-01-01,2014-12-31,高效无镉太阳能电池MgZnO缓冲层特性研究,2011-07-01,2014-07-01,钴/稀土离子共掺杂ZnGa2O4纳米材料的微观结构与性能研究,2010-11-01,2013-11-01,Beta-氧化镓单晶薄膜的外延生长及性质研究,2011-01-01,2013-12-31,低温等离子体辅助MOCVD技术制备AlInN薄膜材料的生长及掺杂特性研究,2011-01-01,2013-12-31,单晶氧化锡外延薄膜的制备及性能研究,2009-01-01,2011-12-30,镓铟氧化物深紫外透明半导体薄膜的制备及特性研究,2007-01-01,2009-12-31,
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