张国栋，男，山东省平原县人，1981年9月生，工学博士，山东大学晶体材料国家重点实验室副研究员，主要从事非氧无机功能晶体的生长和性能研究。攻读博士期间主要采用垂直Bridgman法生长了ZnGeP₂、CdSiP₂等中红外非线性光学晶体。在南洋理工大学从事博士后研究期间主要工作为新型硫卤化合物的探索及固态合成。在日本国立材料研究所从事博士后研究期间主要工作为采用液相外延法生长AlN和ScN等氮化物晶体。近年来，主持和参与了国家自然科学基金、973项目、中国博士后科学基金等科研课题，发表论文20余篇，申请并授权专利4项。
邮箱：zgd@sdu.edu.cn
电话：**
招生范围：材料、物理、化学硕士研究生，每年1-2名
主讲硕士生课程：晶体材料基础
教育背景：
2009.09-2012.06山东大学博士导师：陶绪堂教授
2004.09-2007.06山东理工大学硕士导师：刘俊成教授
2000.09-2004.06山东理工大学学士
科研与学术经历：
2016.01-至今山东大学晶体所副研究员
2014.08-2015.08 日本国立材料研究所博士后合作导师：岛村清史教授
2013.08-2014.08 新加坡南洋理工大学博士后合作导师：张其春教授
2012.10-2014.08 山东大学晶体所博士后合作导师：何京良教授
主持和参与的项目：
1.国家自然科学基金青年项目，**，新型黄铜矿结构ZnSiP₂晶体的生长及其光电转换性能研究，2017.01-2019.12，25万元，主持
2.国家自然科学基金面上项目，**，新型黄铜矿结构高效AII-Si-P₂(AII=Cd,Zn, Mg)系列中红外非线性光学晶体的生长及性能研究，2013/01-2016/12，80万元，参加
研究方向：
1.磷属黄铜矿红外晶体CdSiP₂和ZnSiP₂的生长及性能
2.新型卤化物晶体的生长及性能
3.新型无机化合物探索
发表的论文：
1.GuodongZhang,Lei Wei, Longzhen Zhang, Xuping Wang, Bing Liu, Xian Zhao, Xutang Tao*, Growth and polarized Ramanspectroscopy investigation of single crystal CdSiP₂: Experimentalmeasurements and ab initio calculations, Journal of Crystal Growth,2017, 473:28.
2.GuodongZhang*, Fumio Kawamura,Yuichi Oshima, Encarnacion Villora, Kiyoshi Shimamura, Synthesis of scandium nitride crystalsfrom indium–scandium melts, International Journal of Applied CeramicTechnology, 2016, 13(6):1134~1138.
3.Guodong Zhang, Weiwei Xiong, Lina Nie, Qichun Zhang*, Syntheses, crystal structure and optical propertiesof a novel metal chalcohalide ZnHg₃Se₂Cl₄, Journalof Solid State Chemistry, 2015, 230: 182-185.
4.GuodongZhang, Peizhou Li, Junfeng Ding, Yi Liu, Weiwei Xiong, LinaNie, Tom Wu, Yanli Zhao, Alfred TokIing Yoong, Qichun Zhang*, Syntheses,structures and magnetic properties of Mn-Ge-sulfide/selenide: effect of organicstructure-directing agent in surfactant media, Inorganic Chemistry.2014, 53(19): 10248-10256.
5.Guodong Zhang, Huapeng Ruan, Xiang Zhang, Shanpeng Wang, Xutang Tao*.Vertical Bridgman growth and optical properties of CdSiP₂ crystals. CrystEngComm,2013, 15: 4255.
6.Guodong Zhang, Xutang Tao*, Shanpeng Wang, Qiong Shi, Huapeng Ruan,Lili Chen, Growth improvement and quality evaluation of ZnGeP₂ singlecrystals using vertical Bridgman method, Journalof Crystal Growth, 2012, 352(1): 67-71.
7.Guodong Zhang, Xutang Tao*, Huapeng Ruan, Shanpeng Wang,Qiong Shi, Growth of CdSiP₂ single crystals by self-seeding verticalBridgman method. Journal of Crystal Growth,2012, 340(1): 197-201.
8.GuodongZhang, Xutang Tao*, Shanpeng Wang, Guandong Liu, Qiong Shi,Minhua Jiang, Growth and thermal annealing effect on infrared transmittance ofZnGeP₂ single crystal,Journal of Crystal Growth,2011,318(1): 717-720.
9.张国栋，李春龙, 王善朋, 张翔, 张西霞, 陶绪堂*, CdSiP₂晶体生长中光散射颗粒的研究, 无机材料学报, 2014, 29(8): 855-858.
10.张国栋，王善朋, 陶绪堂*, 红外非线性光学晶体研究进展,人工晶体学报, 2012, 41(8): 17-23.
申请并授权的专利：
1.陶绪堂，张国栋，王善朋，施琼，阮华棚，蒋民华. P族多元化合物双温区合成容器及装置，实用新型专利，专利号：ZL 4.6
2.陶绪堂，张国栋，王善朋，施琼，阮华棚，蒋民华. 磷硅镉多晶料的合成方法，发明专利，专利号：ZL3.2
3.陶绪堂，张国栋，王善朋，施琼，阮华棚，蒋民华. 磷硅镉单晶的生长方法，发明专利，专利号：ZL1.24