姓名: 林兆军
　　职称: 教授
　　Email: linzj@sdu.edu.cn
　　电话: **
　　地址: 济南山东大学物理学院

　　学历
　　1980.9~1984.7: 河北大学电子系学习获学士学位.
　　1985.9~1988.7: 河北大学电子系学习获硕士学位. 硕士论文内容是有关激光辅助扩散制备浅结二极管和三极管研究.
　　1994.9~1997.7: 中国科学院半导体所学习获博士学位. 博士论文内容是半导体量子点制备和性质研究.
　　
　　科研工作经历
　　1988.9~1994.7: 河北大学电子系从事教学和科研工作.
　　1997.9~1999.9: 北京大学微电子所做博士后研究, 研究GaN电子器件的制备工艺和器件特性.
　　1999.10~2000.9: 在加拿大的McMaster University做研究，开展了InGaAsP-InP多量子阱激光器的研究工作。
　　2000.9月~2002.3: 在美国Northwestern University继续研究工作，研究工作包括：GaInAs/AlInAs量子级联激光、GaN基兰激光和发光管。
　　2002.3~2003.9: 在美国Ohio State University，从事了AlGaN/GaN异质结构肖特基接触及场效应晶体管的研制工作。
　　2003.12~现在: 山东大学物理学院工作.
　　
　　研究领域
　　AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管研究
　　近些年来，AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）一直作为半导体电子器件研究领域的热点而引起人们的广泛关注和极大兴趣。AlGaN/GaN异质结构的肖特基接触是AlGaN/GaN HFET的重要组成部分，肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变影响的机理至今还不清楚，而肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变的影响将改变AlGaN/GaN异质结构二维电子气密度等相关参数，由此对AlGaN/GaN HFET器件特性产生重要影响。我们的研究拟在通过AlGaN势垒层面极化电荷密度的分析计算，获取肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变影响的信息，研究肖特基金属电子与AlGaN势垒层界面相互作用的机制，建立肖特基金属对AlGaN/GaN异质结构AlGaN势垒层应变影响的作用模型，以此推动GaN基电子器件研究的深入和发展。该研究包括器件制备、器件特性测试和器件特性分析.
　　低维半导体材料与器件研究
　　用物理或化学方法制备低维半导体材料, 通过微电子微细加工工艺将其制备成低维器件, 研究该材料体系的电子能态结构、声子能态结构、载流子输运及器特性.
　　SenTaurus-Device模拟分析半导体器件特性
　　利用SenTaurus-Device (业界标准器件的仿真)仿真工具，模拟分析新型半导体器件的器件特性，诸如电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）和频率特性等.
　　
　　承担科研项目
　　1. 国家自然科学基金项目：肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变影响研究， 项目号：10774090, 金额：30.00万元，研究期限：2008.01-2010.12. 项目负责人:林兆军
　　2. 参与项目, 纳米材料表面生化修饰与POPS的选择性富 集；2007CB936602；973项目；2007年-2011年。参与者：林兆军
　　
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