夏国栋老师，男，1977年12月出生于山东诸城。山东大学本科及研究生毕业，中国科学院上海光学精密机械研究所博士，韩国先进科学技术研究院、韩国浦项理工大学及香港理工大学博士后和研究员。在纳米材料、薄膜材料及半导体领域有多年的研究经历，在晶体管、存储器、太阳能电池及超级电容器等信息能源材料有原创性研究及发现。
夏国栋老师已在Advanced Materials、Nanoscale、Journal of Material Chemistry、Nanotechnology等国际SCI期刊上发表论文30余篇。
夏国栋老师已申请中国发明专利30余项，授权近10项。
夏国栋老师指导本科生在低温化学合成氧化物纳米材料方向做出了原创性的研究成果，申请了12项中国发明专利，多项已经授权。
夏国栋老师指导研究生和博士生通过全新的低温湿化学工艺开创了氧化物薄膜及器件研究方向，性能达到国际先进水平，申请发明专利18项。

夏国栋的代表性论文：
G. Xia,* S. Wang, X. Zhao, L. Zhou. High-Performance Low-Voltage Organic Transistor Memories with Room-Temperature Solution-Processed Hybrid Nanolayer Dielectrics. Journal of Material Chemistry C. 2013,1, 3291-3296.（IF=5.9）
G. Xia,* S. Wang. Solution patterning of ultrafine ITO and ZnRh₂O₄ nanowire array below 20 nm without etching process. Nanoscale 2011, 3598-3600, 3. （IF=7.8）
G. Xia,* S. Wang, S. Jeong. A universal approach for directed assembly of ultrahigh density ferromagnetic alloy nanodot array. Nanotechnology 2010, 485302, 21 (highlighted in “nanotechweb.org” 、verticalnews.com and “siliconvalleynano.com”) （IF=3.6）
G. Xia,* S. Wang, S. Zhou, J. Xu. Selective phase synthesis of high luminescence Gd₂O₃:Eu nanocrystal phosphor through direct solution combustion. Nanotechnology 2010, 345601, 21（IF=3.6）
G. Xia, S. J. Jeong, J. E. Kim, B. H. Kim, C. M. Kim, S. O. Kim. Spin coating nanopatterned multielemental materials via self-assembled nanotemplates. Nanotechnology 2009,225301, 20. （IF=3.6）
6. S. J. Jeong, G. Xia, B. H. Kim, D. O. Shin, S. H. Kwon, S. W. Kang, S. O. Kim. Universal Block Copolymer Lithography for Metals, Semiconductors, Ceramics, and Polymers. Advanced Materials 2008,1898-1904, 20. （IF=18.9）

夏国栋的代表性专利（已授权）：
夏国栋，陈力（2011级材化本科生），王素梅。一种碳包覆铁掺杂氧化锌及其快速合成方法。中国发明专利，专利号：20**
夏国栋，王岩（2011级材化本科生），王素梅。一种碳包覆镍掺杂氧化锌及其高效合成方法。中国发明专利，专利号：20**
夏国栋，刘宏（2010级材化本科生），王素梅。一种碳包覆氧化钴及其简单可控制备方法。中国发明专利，专利号：20**
夏国栋，张川江，王素梅，周鹏航（2011级材化本科生）。一种碳包覆氧化镍/金属镍及其简单合成方法。中国发明专利，专利号：20**
11. 夏国栋，姚书山，王素梅。一种氧化钴锂及其简易合成方法。中国发明专利，专利号：20**
12. 夏国栋，王素梅。一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法。发明专利，专利号：ZL 8.7
13. 夏国栋，周圣明，徐 军，张俊计。柠檬酸燃烧法直接合成Y₂O₃纳米材料的方法。发明专利，专利号：ZL 5.2
14. 夏国栋，王素梅。大规模直接合成高导电率硫化镍二维纳米片阵列的方法。发明专利，专利号：ZL 7.3
15. 夏国栋，王素梅。基于硫化镍纳米片的染料敏化太阳能电池对电极制备方法。发明专利，专利号：ZL 7.8