杨振宇，男，1991年1月生，山东青岛人，中共党员，青岛大学教授，硕士生导师，青岛大学第二层次****。2014年毕业于武汉大学物理学院，获得材料物理专业理学学士学位；2019年毕业于武汉大学物理学院，获得凝聚态物理专业理学博士学位。2019年10月加入青岛大学电子信息学院。
主要研究方向：
目前本人的研究方向为二维半导体器件与应用。研究重点是通过二维半导体的异质集成构建二维半导体范德华异质结器件，探索其在结场效应晶体管、存储器、光探测器等方面的应用。发表SCI论文十余篇，其中以第一作者身份在SCI发表影响因子过十的论文四篇。
科研项目：
1.主持国家自然科学基金青年项目：**，基于肖特基接触的BP垂直异质结光伏型红外光探测器的研究。
2.参与国家重点研发计划（项目骨干）：柔性显示屏温度和寿命特性及其检测装置研发。

3.参与国家自然科学基金联合基金项目：基于铁磁金属/二维氮化硼隧穿层的二硫化钼晶体管自旋输运研究。
4.参与国家自然科学基金面上项目：高性能二维过渡族金属硫化物(MoS2、WS2)顶栅晶体管研制及相关问题研究。
5.参与国家自然科学基金面上项目：等离子处理氧化锌基薄膜晶体管的电学性能、机理及集成工艺研究。
科研论文：
1. Yang Z, Jiang B, Zhang Z, Wang Z, He X, Wan D, et al. The photovoltaic and photoconductive photodetector based on GeSe/2D semiconductor van der Waals heterostructure. Applied Physics Letters 2020, 116. （SCI二区TOP, 影响因子3.6）
2. Yang Z, Hong H, Liu F, Liu Y, Su M, Huang H, et al. High-Performance Photoinduced Memory with Ultrafast Charge Transfer Based on MoS2/SWCNTs Network Van Der Waals Heterostructure Small 2019, 15: e**.（SCI一区TOP, 影响因子10.8）
3. Yang Z, Liao L, Gong F, Wang F, Wang Z, Liu X, et al. WSe2/GeSe heterojunction photodiode with giant gate tunability. Nano Energy 2018, 49: 103-108.（SCI一区TOP, 影响因子15.5）
4. Yang Z, Liu X, Zou X, Wang J, Ma C, Jiang C, et al. Performance Limits of the Self-Aligned Nanowire Top-Gated MoS2 Transistors. Advanced Functional Materials 2017, 27: **.（SCI一区TOP, 影响因子13.3）
5. Yang Z, Wang J, Liao L. Comment on "Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed". ACS Nano 2016, 10: 1714-1715.（SCI一区TOP, 影响因子13.9）
联系方式：yangzhenyu@whu.edu.cn