电信学院导师详细介绍
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职称研究员
学科电子科学与技术学科
专业微电子学与固体电子学
研究方向III-V族红外材料及探测器
联系方式通讯地址：上海市曹安公路4800号同济大学电信学院
邮政编码：201804
联系电话：
电子邮件：gaoyuzhu@tongji.edu.cn
简介 高玉竹，留日工学博士，主要研究领域为Ⅲ－Ⅴ族红外材料及探测器。在日本静冈大学（ShizuokaUniversity,Japan）留学期间，通过改变常规的液相外延（LPE）生长工艺，发明了熔体外延（meltepitaxy,简称ME）生长法，并用ME法在常规液相外延系统中生长出了截止波长8-12um的厚膜InAsSb（铟砷锑）单晶材料，在国际科学杂志上发表了一批论文，取得了国际承认。熔体外延被晶体生长杂志（JournalofCrystalGrowth）的编委，美国Stanford大学的R.S.Feigelson教授评价为“液相外延的一个重要的新发展”。回国后，作为项目负责人，已连续3次承担国家自然科学基金项目。发表论文40余篇，其中SCI收录论文16篇，获授权发明专利1项。2007年11月，作为优秀留学人员，参加了中共上海市委组织部、上海市人事局主办的“第二届上海留学人员成果展”。
2009年4月，教育部科技发展中心委托同济大学在上海组织专家组对高玉竹完成的“熔体外延法生长的8-12um波段的InAsSb单晶”项目进行了鉴定。鉴定会由中科院院士夏建白研究员担任专家组的组长。专家组的鉴定意见如下：熔体外延技术是该项目负责人发明的一种新的晶体生长技术，是液相外延技术的一个重要发展。InAsSb（铟砷锑）是一种新的红外材料，可用于制作室温长波红外探测器。该项目采用熔体外延法在国内率先生长出了厚度大于100um的InAsSb外延单晶，截止波长进入8-12um波段。测量结果表明，InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量，位错密度达到10的4次方cm-2量级。室温下霍尔测量得到的电学指标如下：载流子浓度为1-3×10的16次方cm-3，电子迁移率大于50000cm2/Vs。由本项目提供的InAsSb材料，制作出了2-9um波段的高灵敏度室温红外探测器。该器件为浸没型光导器件，测得的黑体探测率为2×10的8次方～1×10的9次方。综上所述，本项目为我国红外技术的发展提供了一种新材料。探测器的性能指标已达到应用水平，显示了该材料应用于室温中、长波红外探测器的良好前景。该成果的综合技术在国内处于领先地位，材料的性能指标已达到国际先进水平。
备注博／硕导
