一、个人信息
姓名：平云霞
职称：副教授
专业：材料物理与化学
学历层次：博士研究生
办公室地点：行政楼1325室
电子邮箱：xyping@sues.edu.cn
研究方向：微电子材料
个人主页：http://faculty.sues.edu.cn/_s2121/main.psp
二、教育经历
2009.06 毕业于华中科技大学光学专业获博士学位
2006.07 毕业于华中科技大学光学专业获硕士学位
2004.07 毕业于鲁东大学物理学专业获学士学位
三、工作经历
2017.10-至今 上海工程技术大学数理与统计学院副教授
2012.01-2017.09 上海工程技术大学基础教学学院副教授
2009.07-2011.12 上海工程技术大学基础教学学院讲师
四、代表性论著
期刊论文：
1. Kai Yong, Yunxia Ping(通讯作者), Wei Liu, Jun Yang, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Aimin Wu, Bo Zhang. Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi2?xAlx on Si(001) by an Al interlayer mediation. 2020, 13, 015505
2. Yunxia Ping, Chunlei Hou, Chaomin Zhang, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Wei Peng, Zengfeng Di, Miao Zhang, Bo Zhang. Ti mediated highly oriented growth of uniform and smooth Ni(SiGe) layer for advanced contact metallization. Journal of Alloys and Compounds. 2017, 693, 527
3. Xiaoran Meng, Yunxia Ping(通讯作者), Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Miao Zhang, Zengfeng Di, Bo Zhang, Qingtai Zhao. Impact of Al addition on the formation of Ni germanosilicide layers under different temperature annealing. Chinese Physics B. 2017, 26, 098503
4. Yunxia Ping, Manle Wang, Xiaoran Meng, Chunlei Hou, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Miao Zhang, Zengfeng Di, Bo Zhang. Mechanism of NiSiGe epitaxial growth by Al interlayer mediation at 700。C. Acta Physica Sinica. 2016, 65, 036801
授权发明专利：
1. 平云霞，侯春雷。一种使用NiTi合金外延生长NiGe 材料的方法。
授权专利号：ZL1.8, 授权日期：2017.6
2. 平云霞，侯春雷。一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe 材料的方法。
授权专利号：ZL9.2, 授权日期：2017.5
3. 平云霞，孟骁然。一种制作NiGeSn 材料的方法。
授权专利号：ZL6.2, 授权日期：2018.11
五、代表性科研项目
1. 国家自然科学基金青年项目**
2. 国家自然科学基金专项基金**
3. 国家自然科学基金专项基金**
4. 上海市自然科学基金 14ZR**
5. 中科院国家重点实验室开放课题 SKL201602
6.上海市教委科技创新一般项目 11YZ216
六、主要荣誉奖励
1. 荣获2011-2012年度上海工程技术大学“三八红旗手”称号
2. 荣获2013-2014年度上海工程技术大学优秀共产党员称号
3. 荣获2013-2014年度上海工程技术大学“五四青年”称号