作者: aizhe123 时间: 2013-1-7 13:47
标题: 2013年半导体物理器件回忆版
首先关于2013年考研难度和以往相比没有太大变化，题目都是基本知识点，题型都是常规题型~~~
第一题：（1）计算k状态时电子速度；
（2）计算能带顶和能带低的电子有效质量；
（3）阐述有效质量的意义
第二题：（1）计算Nc, Nv（代入公式即可）；
（2）已知ni ，计算禁带宽度；
（3）已知室温下杂质一半电离，电离能已知，计算费米能级位置及掺杂浓度
第三题：（1）半导体材料与光作用时会发生哪几种跃迁过程，请简要阐述；（去年直接问光电发光效应和发光现象，今年换种问法）
（2）半导体表面势是如何形成的？表面势与哪些因素有关？
第四题：（1）计算内建电势；
（2）计算势垒区宽度和势垒电容；
（3）画出平衡时能带图及载流子浓度分布
第五题：（1）计算发射结注入效率（均匀基区）
（2）计算基区输运系数；
（3）共发射结放大系数；
（4）计算厄尔利电压
第六题：（1）计算共源极漏电流（该题MOS工作于非饱和状态）（不考虑衬底偏置）
（2）画出交流等效电路（考虑衬底偏置）（本人觉得就是07年真题交流小信号等效电路的另外一种问法）
以上就是2013真题完整回忆版，应该没有遗漏的点！！！
成绩还没出来，攒人品啊！！！
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作者: VincentLUCK 时间: 2013-1-20 15:29
基本对，第六大题源漏各串联500欧的电阻
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作者: aizhe123 时间: 2013-4-9 10:32
自己顶上去，给14年考研的学弟学妹们一个参考！！
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作者: aizhe123 时间: 2013-4-9 10:34
考上如愿已上，得到过论坛上太多师兄的帮助，现在到了回馈的时候，有需要咨询的14年874的学弟学妹，可留下QQ，我加你们！
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作者: 尼采先生 时间: 2013-7-16 12:50
赞美！一定会过的！
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作者: smooth_nic 时间: 2013-7-25 19:57
aizhe123 发表于 2013-4-9 10:34
考上如愿已上，得到过论坛上太多师兄的帮助，现在到了回馈的时候，有需要咨询的14年874的学弟学妹，可留下Q ...
QQ:669613588. 求指导！！！
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作者: 尼采先生 时间: 2013-7-26 18:14
786460257 前辈求指导！
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作者: 余晖尽落 时间: 2013-8-9 23:33
向学长请教。。扣扣：597567714
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作者: yicarus1991 时间: 2013-8-27 00:49
内容想请教学长 希望没有打扰到学长qq1135127659
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作者: Swear10086 时间: 2013-10-6 00:00
QQ:769131547
