导师介绍

导师姓名
陈长鑫
导师性别男
职务职称副研究员.
所在院系微纳科学技术研究院
所属学科电子科学与技术
研究方向纳米光电与电子器件碳纳米管、石墨烯光电与电子器件
联系电话13524075901
电子邮箱chen.c.x@sjtu.edu.cn

个人简介

2007年毕业于上海交通大学微电子学与固体电子学专业并获博士学位,被评为“上海市优秀毕业生”，毕业后留校任教。主要研究方向：纳米电子和光电子器件、碳纳米管电子器件与材料、石墨烯电子器件与材料。目前主要从事碳纳米管太阳能光伏电池、碳纳米管场效应晶体管、一维纳米材料/金属电极的超声纳米焊接技术和一维纳米材料的定向排布组装技术、石墨烯电子器件与材料等研究。发表学术论文四十多篇,以第一作者在Small、IEEEElectronDeviceLetters、AppliedPhysicsLetters、IEEETransactions、Carbon、Nanotechnology等国际权威刊物上发表论文二十多篇，十篇代表论文的杂志平均影响因子为3.5，其中三篇论文被Small、AppliedPhysicsLetters、IEEETransactionsonNanotechnology杂志选为“封面文章”发表、作为“封面故事”报道，研究工作被NatureChina选为突出科研成果和专评、并被NatureNanotechnology、NaturePhotonics、NanoLetters、Small、ACSNano、AdvancedMaterials等知名杂志引用和好评。已被授权国家发明专利六项，被公开发明专利多项。受邀作为第一作者和书稿撰写者在Springer(施普林格)出版社出版英文学术专著1本。研究成果获全国百篇优秀博士学位论文奖、上海市优秀发明银奖等奖项，个人也被评为“晨星学者奖励计划”SMC优秀青年教师、上海交大“科研新星”，入选“教育部新世纪优秀人才”、“教育部霍英东高等院校青年教师基金奖励”、“上海市科技启明星”。被邀作为AppliedPhysicsLetters,IEEEElectronDeviceLetters,Carbon,Nanotechnology,IEEETransactionsonNanotechnology,Solid-StateElectronics,PhysicalReviewB,Langmuir,PhysicsLettersA,JournalofSolidStateChemistry,Industrial&EngineeringChemistryResearch,NanoscaleResearchLetters等知名杂志审稿人；国家自然科学基金委评议专家；IEEE协会、IEEE电子器件学会、美国物理学会等会员。作为项目负责人主持的项目:全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目教育部新世纪优秀人才支持计划项目国家自然科学基金面上项目教育部霍英东青年教师基金项目上海市青年科技启明星计划项目国家自然科学基金青年基金项目教育部博士学科点专项科研基金项目上海市科委AM基金项目“晨星学者奖励计划”SMC优秀青年教师项目韩国三星(Samsung)技术院“全球研究拓展(GRO)项目”作为主要参与人承担的项目:国家自然科学基金重点项目国家863项目上海市纳米科技专项重点项目国家973项目子课题奖励：获第十三届教育部霍英东高等院校青年教师基金奖励(2012);入选教育部新世纪优秀人才(2011);被评为上海交通大学首届“科研新星”(2011);获全国百篇优秀博士学位论文奖(2010);入选上海市科技启明星(2009)；获上海市优秀博士学位论文奖(2009);获第二十二届上海市优秀发明银奖（排名第一）(2009);获“晨星学者奖励计划”SMC优秀青年教师奖(2009);获“TSMCOutstandingStudentResearchAward”(2008);发表论文获中国真空学会优秀论文奖(2008年度);招生：正招收具有物理、微电子学与固体电子学、物理电子学、材料、电子科学与技术、化学、化工、机械等相关专业背景或基础的博士研究生、硕士研究生等。
代表性论著

作为第一作者发表的部分SCI英文论文：1.ChangxinChen,etal.“Nanoweldedcarbon-nanotube-basedsolarmicrocells”.Small,2008,4(9)：1313-1318.(SCI影响因子IF:7.336，杂志“封面文章”)2.ChangxinChen,etal.“Carbonnanotubephotovoltaicdevicewithasymmetricalcontacts”.AppliedPhysicsLetters,2009,94:263501.（IF:3.841,杂志“封面文章”）3.ChangxinChen,etal.“Multichannelcarbon-nanotubeFETsandcomplementarylogicgateswithnanoweldedcontacts”.IEEEElectronDeviceLetters,2006,27:852-855.(IF:2.719)4.ChangxinChen,etal.“Multichannelcarbonnanotubefield-effecttransistorswithcompoundchannellayer”.AppliedPhysicsLetters,2009,95:192110.(IF:3.841)5.ChangxinChen,etal.“Amethodforcreatingreliableandlow-resistancecontactsbetweencarbonnanotubesandmicroelectrodes”.Carbon,2007,45:436-442.(IF:4.896)6.ChangxinChen,etal.“Assessmentofopticalabsorptionincarbonnanotubephotovoltaicdevicebyelectromagnetictheory”.IEEETransactionsonNanotechnology,2009,8:303-314.（IF:2.154,杂志“封面文章”）7.ChangxinChen,etal.“UltrasonicnanoweldingofcarbonnanotubestometalElectrodes”.Nanotechnology,2006,17:2192-2197.(IF:3.652)8.ChangxinChen,etal.“Manipulationofsingle-wallcarbonnanotubesintodispersivelyalignedarraysbetweenmetalelectrodes”.JournalofPhysicsD-AppliedPhysics,2006,39,172-176.(IF:2.109)9.ChangxinChen,etal.“Carbonnanotubemulti-channeledfield-effecttransistors”.Journalofnanoscienceandnanotechnology,2006,6:3789-3793.(IF：2.194)10.ChangxinChen,etal.“Fabricationandcharacterizationoftheperformanceofmulti-channelcarbon-nanotubefield-effecttransistors”.PhysicsLettersA,2007,366:474-479.（IF：2.009)11.ChangxinChen,etal.“InvestigationofSchottky–Barriercarbonnanotubefield-effecttransistorbyanefficientsemi-classicalnumericalmodeling”.PhysicsLettersA,2009,374:309-312.(IF：2.009)12.ChangxinChen,etal.“TheoreticalsimulationontheassemblyofcarbonnanotubesbetweenelectrodesbyACdielectrophoresis”.NanoscaleResearchLetters,2009,4:157–164.(IF：2.560)13.ChangxinChen,etal.“Synthesisofcarbonnano-tubesbypulsedlaserablationatnormalpressureinmetalnano-sol”.PhysicaE:Low-dimensionalsystemsandnanostructures,2005,28:121-127.14.ChangxinChen,etal.“Field-effecttransistorswithmultiplechannelsconstructedbycarbonnanotubes”.ScienceinChina,Ser.E,2005,48:669-678.15.ChangxinChen,etal.“Reviewonoptimizationmethodsofcarbonnanotubefield-effecttransistors”.TheOpenNanoscienceJournal,2007,1:13-18.（被邀综述文章）