导师介绍

导师姓名
冯洁
导师性别女
职务职称研究员.
所在院系微纳科学技术研究院
所属学科电子科学与技术
研究方向电子薄膜材料及其存储器应用GMR传感器及其生物检测
联系电话34205223
电子邮箱jfeng@sjtu.edu.cn

个人简介

1984和1987年毕业于四川大学，物理系，固体物理专业，分别获得理学学士和硕士学位。2000年毕业于日本东京工业大学电子物理工学专业，获工学博士学位。2001年回国。现任上海交通大学微纳科学技术研究院研究员，博士生导师。长期从事微纳电子薄膜材料及器件方面的研究，研究方向涉及非晶半导体薄膜、磁性薄膜和介质薄膜及其相关器件。近年来在微/纳电子薄膜材料方面开展了一系列研究工作，包括硫系化合物半导体薄膜、磁敏感薄膜（巨磁电阻GMR薄膜、NiFe薄膜等）、纳米电介质薄膜、存储器电极薄膜等电子薄膜材料；同时进行与上述电子薄膜相关的器件的研究。目前两个主要的研究方向，其一是巨磁电阻传感器（GMR）及其生物检测应用，包括磁敏感器件的设计、工艺实现以及信号处理，并与微流体技术结合，开发新型磁性生物芯片系统。目标是研究开发针对疾病诊断和筛查的微芯片检测系统。另一个研究方向是新型相变材料及其不挥发存储器应用研究，其它新型存储介质及其应用研究等。近5年来承担包括国家“863”计划项目，“863”计划重点项目-子项目、国家自然科学基金项目、上海市纳米专项，国际合作项目等科研项目。发表学术论文60篇，其中SCI、或EI收录论文超过36篇。获授权发明专利4项。担任英国物理学会（IOP）、美国《JournalofElectronicMaterials》杂志、德国《Appl.Phys.A》、中国《ChinesePhysicsLetters》杂志、德国《PhysicaStatusSolidi》杂志和中国《半导体学报》等杂志的特约评审人。招收博士后、博士研究生和硕士研究生，欢迎报考。
代表性论著

1.“ThermalstabilityandelectronicstructuresofN-dopedSiSbfilmsforhightemperatureapplicationsofphase-changememory”,JieFeng,YinZhang,BingchuCai,andBomyChen,AppliedPhysicsA:MaterialsScience&Processing,97(2009)507-511.2.“CharacteristicsofSi-dopedSb2Te3thinfilmsforphase-changerandomaccessmemory”,Y.Zhang,J.Feng,Z.F.Zhang,etal.,AppliedSurfaceScience,254(2008)5602-5606.3.“Designofmulti-statesstoragemediumforphasechangememory”,JieFeng,Yun-fengLai,Bao-weiQiao,Bing-chuCai,Yin-yinLin,Ting-aoTang,andBomyChen,Jpn.JournalofAppliedPhysics,vol.46,No.9A,(2007)5724-5728.4.“crystallizationprocessandamorphousstatestabilityofSi-Sb-Tefilms”,J.Feng,Y.Y.Lin,Z.F.Zhang,Y.Zhang,B.C.Cai,T.A.Tang,andB.Chen,JournalofAppliedPhysics,101(2007)074502.5.“SidopinginGe2Sb2Te5filmtoreducethewritingcurrentofphasechangememory”,J.Feng,Y.Zhang,B.W.Qiao,Y.F.Lai,Y.Y.Lin,B.C.Cai,T.A.Tang,andB.Chen,AppliedPhysicsA:MaterialsScience&Processing,87(2007)p57-62.6.“Si-Sb-TeFilmsforPhase-changeRandomAccessMemory”,BaoweiQiao,JieFeng,YunfengLai,YanfeiCai,YinyinLin,Ting-aoTang,BingchuCaiandBomyChen,SemiconductorScienceandTechnology,21,(2006)1073-1076.。7.“EffectsofSidopingonthestructuralandelectricalpropertiesofGe2Sb2Te5filmsforphasechangerandomaccessmemory”,BaoweiQiao,JieFeng,YunfengLai,etal.,AppliedSurfaceScience,252,(2006)8404-8409.8.“Stackedchalcogenidelayersusedasmulti-statestoragemediumforphasechangememory”,Y.F.Lai,J.Feng,B.W.Qiao,etal.,inpressinAppliedPhysicsA:MaterialsScience&Processing.84,(2006)21-259.“Multi-bitstorageinresetprocessofPhaseChangeRandomAccessMemory(PRAM)”,YiZhang,JieFeng,etal.,PhysicaStatusSolidi,Vol.1,Issue1,R1(1),(2007)pR28-R30.10.“ImprovementofRead/WriteCharacteristicsofSputteredBaFerriteDisksbyAddingTaintoPtUnderLayers”,J.Feng,N.Funabashi,T.Murakoso,S.NakagawaandM.Naoe,IEEETrans.Magn.36(2000)2408.