导师介绍

导师姓名
张澜庭
导师性别男
职务职称教授.
所在院系材料科学与工程学院
所属学科材料科学与工程
研究方向高温材料磁性材料
联系电话021-54747471
电子邮箱lantingzh@sjtu.edu.cn

个人简介

1991年毕业于上海交通大学，分别在1994年和1997年于上海交通大学获硕士和博士学位。1999-2003年在日本京都大学从事博士后研究工作。上海市有色金属学会理事，中国金属学会会员。2003年获美国第132届TMS年会墙报类论文一等奖，2005年获上海市首届浦江人才计划资助，2006年当选第六届上海交通大学教学新秀，2010年获校“三育人”先进个人称号。主要从事高温材料、能源转换相关材料和计算材料学方面的研究，研究方法包括实验和计算模拟的手段。自1991年起对金属间化合物结构和功能应用进行研究，研究了硅系金属间化合物作为超高温结构材料应用的性能；在日本主要从事热电、储氢等新能源材料的基础研究。目前以高温材料和磁性材料为主要研究方向。项目来源包括国家自然科学基金，上海市科委重大、重点项目以及国际合作项目。已发表学术论文70余篇，包括ActaMaterialia,ScriptaMaterialia,PhysicalReviewB,JournalofAppliedPhysics等，公开专利5项。
代表性论著

[1]FangXu,LantingZhang,XianpingDong,QiongzhenLiuandMatahiroKomuro,EffectofDyF3additionsonthecoercivityandgrainboundarystructureinsinteredNd-Fe-Bmagnets,ScriptaMaterialia,Vol.64,2011,pp.1137-1140.[2]O.Zhu,L.T.Zhang,J.X.Yu,A.D.Shan,J.S.Wu,andT.Nakano,FormationanddevelopmentofC40/C11blamellarstructureinNbSi2/MoSi2crystals,Intermetallics,Vol.18,2010,pp.2328-2332.[3]AnningQiu,LantingZhang,andJianshengWu,Crystalstructure,electronicstructure,andthermoelectricpropertiesofb-Zn4Sb3fromfirstprinciples,PhysicalReviewB,Vol.81,2010,035203.[4]QiongzhenLiu,LantingZhang,XianpingDong,FangXuandMatahiroKomuro,IncreasedcoercivityinsinteredNd-Fe-BmagnetswithNdF3additionsandtherelatedgrainboundaryphase,ScriptaMaterialia,Vol.61,Issue11,2009,pp.1048-1051.[5]A.N.Qiu,L.T.Zhang,A.D.ShanandJ.S.Wu,“Electronicstructure,bondingcharacterandthermoelectricpropertiesofsemiconductingrheniumsilicidewithdoping”,PhysicalReviewB,Vol.77,2008,205207[6]W.J.Mo,L.T.Zhang,Q.Z.Liu,A.D.Shan,J.S.WuandM.Komuro,“DependenceofthecrystalstructureoftheNd-richphaseonoxygencontentinanNd-Fe-Bsinteredmagnet”,ScriptaMaterialia,Vol.59,2008,pp.179-182[7]L.T.Zhang,O.Zhu,F.Zhang,A.D.ShanandJ.S.Wu,“High-temperatureoxidationofMo-rich(Mo1-xNbx)Si2pseudo-binarycompounds”,ScriptaMaterialia,Vol.57,2007,pp.305-308.[8]WenjianMo,LantingZhang,AidangShan,LijunCao,JianshengWuandMatahiroKomuro,“MicrostructureandmagneticpropertiesofNdFeBmagnetpreparedbysparkplasmasintering”Intermetallics,Vol.15,2007,pp.1483-1488.[9]Z.J.Pan,L.T.ZhangandJ.S.Wu,“ElectronicstructureandtransportpropertiesofdopedCoSisinglecrystal”,JournalofAppliedPhysics,Vol.101,2007,pp.033715-4.[10]ZhangF.,ZhangL.T.,ShanA.D.andWuJ.S.,“InsituobservationsofthepestoxidationprocessofNbSi2at1023K”,ScriptaMaterialia,Vol.53,2005,pp.653-656.