胡伟达 研究员
胡伟达，男，1979年生，安徽庐江人，研究员，博士生导师。现工作于中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室。中国青年科技奖、英国Royal Society-Newton Advanced Fellowship、上海市优秀学术带头人、上海青年科技英才、中科院卓越青年科学家、上海市青年科技“启明星”、中科院卢嘉锡青年人才奖、中科院院长优秀奖、中科院上海分院系统****奖等人才计划和奖励获得者。Infrared Physics & Technology（Elsevier，SCI）Associate Editor、Optical and Quantum Electronics（Springer，SCI）Executive Editor、Journal of Infrared and Millimeter Waves（SCI）Editorial Board、美国SPIE DCS Defense and Security - Infrared Technology and Applications国际会议Program Committee、International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices国际会议Program Committee。主要从事红外光电探测器的机理、研制和空间应用研究。第一、通讯作者在Nature Communications、Science Advances、Advanced Materials、Nano Letters等国际SCI期刊共发表论文90余篇，授权中国发明专利18项。ESI热点论文3篇，ESI高引论文10篇。更多信息欢迎访问我的个人主页：http://www.escience.cn/people/huweida/index.html
研究生培养注重创新能力和独立科研能力训练，欢迎对科研工作有浓厚兴趣的学生报考。主要研究方向：
1）红外探测器物理、研制、及空间应用(Device physics, design, and space applications of infrared photodetectors based on HgCdTe)，及雪崩单光子探测器（Avalanche Photodiodes for single photon detections）
2）二维材料红外探测器物理与研制(Infrared photodetectors/phototransistors/photodiodes based on two-dimensional materials, such as graphene, MoS₂, PdSe, PtSe, Black Phosphorus, and Black Arsenic Phosphorus)；表面等离子体共振增强二维材料光电探测器（Surface plasmon enhanced photodetectors/phototransistors/photodiodes based on two-dimensional materials）
3）纳米线红外探测器物理与研制(Infrared photodetectors/phototransistors/photodiodes based on InAs/InAsSb-nanowires, InGaAs-nanowires, and InSb-nanowires)　　
　　所在单位: 中国科学院上海技术物理研究所
　　部门: 红外物理国家重点实验室
　　地址: 上海市玉田路500号
　　邮编: 200083
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