报告题目：Physical Vapor Deposition of Metallic and Oxide Films with Desired Properties

报 告 人：陈景升 教授（新加坡国立大学）

报告时间：2015年11月26日下午 2:00

报告地点：嘉定学术活动中心102

报告人简介：

陈景升，新加坡国立大学材料科学与工程系副教授。Prof. CHEN于1999年在兰州大学近代物理系和上海原子核研究所获得博士学位，1999-2001年，在南洋理工大学从事博士后研究，2001-2007年，在新加坡数据存储研究所（DSI）作为资深研究科学家领导团队致力于1 Tbits/in2磁记录存储的新兴技术研发。2007年加入新加坡国立大学。迄今为止, 已获得由世界上最大的硬盘公司美国希捷技术超过100万美元的赞助，开发的多项技术被应用希捷产品上，并获得了新加坡科学技术部、教育部和国家研究基金会超过1200万新加坡元的资助。Prof. CHEN 目前正在领导一项900万新加坡元的项目，开发低功耗信息存储器。Prof. CHEN 的研究领域包括纳米磁性材料的信息存储、电子强关联氧化物多铁性材料、自旋电子学、纳米团簇的光学和磁学性质。他是多个期刊的编委会成员，如Scientific Reports (Nature publisher), Spin (World Scientific publisher) etc等，是SG-SPIN联盟管理委员会成员。他撰写或合著200多篇期刊论文和3本书以及十项专利，H指数为24，多次在国际会议上做邀请报告。2004 年获得陈嘉庚青年发明奖。2005 年国家数据存储研究院杰出奖。

2015发表文章：

[1]B.M. Zhang, C.J Sun, Weiming Lv, T. Venkatesan, S.M. Heald,　J.S. Chen,　G. M. Chow,” Electric-field-induced strain effects on magnetization of Pr0.67Sr0.33MnO3 film” Phys. Rev. B, accepted (2015)

[2]Rui Guo, Zhe Wang, Shengwei Zeng, Kun Han, Lisen Huang, Darrell G. Schlom, Venky Venkatesan, Ariando, Jingsheng Chen, “Functional ferroelectric tunneling junctions on silicon” Scientific Report,　Accepted (2015)

[3]D.B. Xu, C.J. Sun, T. J. Zhou, S.M. Heald, B. Sanyal, R A Rosenberg, J.S. Chen, and G. M. Chow,　“Large enhancement of magnetic moment in L10 ordered FePt thin films by Nd substitutional doping” J. Phys. D: Appl. Phys. 48,　255001 (2015).

[4]K. Gopinadhan, B. Kumar, N. Palina, M. Motapathula, I. Pallecchi, T. Sarkar, Y. Zhihua, J.Q. Chen, A. Annadi, A. Rana, A. Srivastava, D. Marre, J.S. Chen, Ariando, S. Dhar, A. Rusydi, T. Venkatesan, “Effect of Nb and Ta substitution on donor electron transport and ultrafast carrier dynamics in anatase TiO2 thin films”. Journal of Materials Chemistry C, 3, 6329　(2015).

[5]K. Gopinadhan, A. Annadi, Y.H. Kim, A. Srivastava, B. Kumar, J.S. Chen, J.M.D. Coey, Ariando, T. Venkatesan, “Gate Tunable In- and Out-of-Plane Spin-Orbit Coupling and Spin Splitting Anisotropy at LaAlO3/SrTiO3 (110) Interface”
Advanced Electronic. Materials,　1500114　(2015)

[6]P. Ho, R.F.L. Evans,　R.W. Chantrell,　G.C. Han,　G.M. Chow,　J.S. Chen, “Study of perpendicular anisotropy L10-FePt pseudo spin valves using a micromagnetic trilayer model” J.App.Phys. 117, 203901 (2015)

[7]K.F. Dong, H. H. Li, J.Y. Deng, Y. G. Peng, G. Ju, G. M. Chow, and J. S. Chen, “Crystalline ZrO2 doping induced columnar structural FePt films with larger coercivity and high aspect ratio” J.App.Phys. 117, 17D116 (2015)

[8]C. J. Li, L. Huang, T. Li, W. M. Lü, X. P. Qiu, Z. Huang, Z. Q. Liu,　S. W. Zeng, R. Guo, Y. L. Zhao, K. Zeng, J.MD. Coey, J.S. Chen, Ariando, T. Venkatesan, Ultrathin BaTiO3-based Ferroelectric Tunnel Junctions through Interface Engineering. Nano Letters 15, 2568 (2015)

[9]Wenlai Lu, Wendong Song,Ping Yang, Jun Ding, Gan Moog Chow, Jingsheng Chen, “Strain Engineering of Octahedral Rotations and Physical Properties of SrRuO3 Films”　Scientific Report 5, 10245, (2015)