彭练矛教授做了题为“2020年之后的电子学：碳基电子学的机遇和挑战”的学术报告。报告介绍了基于一维纳米材料特别是碳纳米管的CMOS技术的发展和展望，彭教授课题组经过近十年的探索和努力，发展了无掺杂碳纳米管技术，具有广泛的国际影响力，碳纳米管晶体管被证明比其它得到演示的替代技术都具有优势。张卫教授做了“半浮栅晶体管及其应用”的学术报告，张教授研究团队将隧穿场效应晶体管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管相结合，构建成了一种名为“半浮栅”的新型基础器件，这项关于集成电路的原创性成果发表在2013年的Science杂志，也是中国科学家首次在Science上发表微电子器件领域的研究成果。
报告引起了与会者的广泛兴趣，并就高性能碳纳米管可控生长挑战、半浮栅晶体管可靠性等若干问题与彭教授、张教授进行充分的交流和探讨。报告的举办为实验室提供了一个相互学习交流的平台，在使大家得到启发的同时，为实验室将来进一步在相关领域开展合作奠定了基础。
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