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上海微系统所在层数可控石墨烯薄膜制备方面取得重要进展_上海微系统与信息技术研究所

上海微系统与信息技术研究所 免费考研网/2018-05-05

近期,中国科学院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在层数可控石墨烯薄膜制备方面取得重要进展。课题组设计了Ni/Cu体系,并利用离子注入技术引入碳源,通过精确控制注入碳的剂量,成功实现了对石墨烯层数的调控。相关研究成果以“Synthesis of Layer-Tunable GrapheneA Combined Kinetic Implantation and Thermal Ejection Approach”为题作为背封面(Back Cover)文章发表在Advanced Functional Materials 2015年第24期上。

石墨烯以其优异的电学性能、出众的热导率以及卓越的力学性能等而被人们普遍认为是后硅CMOS时代延续摩尔定律的最有竞争力电子材料,拥有广阔的应用前景。然而,针对特殊的应用需求必须对石墨烯的层数进行精确控制。上海微系统所SOI材料课题组围绕石墨烯层数控制问题,结合Ni和Cu在CVD法中制备石墨烯的特点,利用两种材料对碳溶解能力的不同,设计了Ni/Cu体系(即在25 μm厚的Cu箔上电子束蒸发一层300 nm的Ni ),并利用半导体产业中成熟的离子注入技术将碳离子注入到Ni/Cu体系中的Ni层中,通过控制注入碳离子的剂量(即4E15 atoms/cm2剂量对应单层石墨烯,8E15 atoms/cm2剂量对应双层石墨烯),经退火后成功实现了单、双层石墨烯的制备。

与传统的CVD制备石墨烯工艺相比,离子注入技术具有低温掺杂、精确的能量和剂量控制和高均匀性等优点,采用离子注入法制备石墨烯单双层数仅受碳注入剂量的影响,与气体的体积比、衬底厚度以及生长温度无关。此外,离子注入技术与现代半导体技术相兼容,有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。

  该研究得到了国家自然科学基金委创新研究群体、优秀青年基金、中国科学院高迁移率材料创新研究团队等相关研究计划的支持。

  文章链接http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.201500981/full



图1 Advanced Functional Materials背封面(左)

  图2研究论文的实验过程及制备的单、双层石墨烯的各项性能表征(右)

  
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