来自国际顶级半导体公司、科研院所、投资机构和政府部门的近300位业内精英齐聚上海，展示一年来SOI领域的技术创新和重大突破，研讨FD-SOI和RF-SOI在全球物联网、5G连接、汽车电子、人工智能等领域的重要产品应用，展望了SOI技术在集成电路特征尺寸逼近物理极限的情形下的差异化竞争优势及历史机遇，特别是中国在FD-SOI和RF-SOI领域中的重要影响力和推动作用。
本次大会是连续第四年在上海召开、参会人数最多、演讲嘉宾规格最高、最具权威和最具国际影响力的SOI行业盛会，共同主办方包括SOI国际产业联盟(SOI Industry Consortium)、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)、芯原股份有限公司（VeriSilicon）、上海新傲科技股份有限公司（SIMGUI）和上海微技术工业研究院（SITRI）。中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦院士、芯原股份有限公司董事长兼总裁戴伟民、上海新傲科技股份有限公司总经理王庆宇、SOI产业联盟执行董事Carlos Mazure和SOI产业联盟共同执行董事Giorgio Cesana担任此次FD-SOI高峰论坛和RF-SOI研讨会的联合主席。
9月9日举行的上海FD-SOI高峰论坛以“基于FD-SOI的芯片设计”为主题，中国科学院院士、中科院上海微系统所所长王曦、华芯投资管理有限责任公司总裁路军与中科院微电子研究所所长叶甜春分别致开幕辞。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦院士致开幕辞
随后，三星LSI执行副总裁Jong-Shik Yoon、格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）产品管理高级副总裁 Alain Mutricy、芯原股份有限公司董事长兼总裁戴伟民、索尼物联网事业部总经理Nobuyasu Matsuoka、ARM物理IP总经理 Will Abbey、格罗方德首席技术官兼全球研发高级副总裁Gary Patton、美国商业战略公司（IBS）主席兼首席执行官Handel Jones、CEA-Leti首席执行官Marie-Noelle Semeria、复旦微电子总工程师沈磊、Invecas首席执行官Dasaradha Gude、Ineda Systems副总裁Manoher Bommena、Soitec首席执行官Paul Boudre、联芯科技高级副总裁成飞等分别从FD-SOI代工、设计服务、产品应用、IP开发和市场分析等方面做了精彩的主题演讲以及圆桌讨论。
三星LSI执行副总裁Jong-Shik Yoon主题演讲
本届FD-SOI高峰论坛可谓技术突破不断，创新亮点颇多。三星LSI以大量而坚实的工艺数据显示了28nm FD-SOI成熟度以及在可靠性、射频性能、功耗管理、芯片面积等方面的优势，并认为28nm FD-SOI将是一个长生命周期的工艺节点。截止2016年9月，三星LSI已有超过12个产品进行流片。
而格罗方德则进一步完善和优化已有的22nm FD-SOI（22FDX）技术方案，目前使用22FDX工艺的客户超过50家，明年将有10余个产品进入量产阶段。格罗方德还宣布了12nm FD-SOI（12FDX）工艺将于2019年量产的消息，未来可进一步延伸至7nm，这是业内首次明确提出多技术节点FD-SOI技术路线图。格罗方德表示12FDX能够以低于16/14nm FinFET的成本与功耗提供等同于10nm FinFET的性能；加上集成射频功能和嵌入式存储器（eNVM），12FDX将成为未来主流手机芯片、5G、VR/AR、物联网最合适的工艺选择。
CEA-Leti首席执行官Marie-Noelle Semeria主题演讲
CEA-Leti基于测试芯片的数据，对FD-SOI技术等比例缩小做出乐观预测，认为可以实现7nm技术节点。这一观点得到格罗方德CTO Gary Patton和IBS公司的创始人兼CEO Handel Jones的认同。
索尼公司开发出第一款28nm FD-SOI GPS芯片，功耗大幅降低，仅为上一代产品的23.8%。小米旗下的华米科技推出的最新一款运动手表已经采用了这款GPS芯片，显著延长了待机时间，受到市场的热捧。这款产品在会场传递展示，让所有与会者真正体验28nm FD-SOI产品，令人激动不已。
戴伟民博士全面介绍了中国FD-SOI生态系统及布局，并以中国女排在里约奥运的战绩为例，说明“重要的不是获胜次数的多少，而是在关键比赛中的获胜”，坚定认为FD-SOI将是中国半导体领域重要的差异化发展方向，在中国有着美好的未来。
FD-SOI圆桌论坛
9月10日举行的国际RF-SOI研讨会侧重“5G和物联网”这一主题， 针对即将到来的5G和物联网对于RF-SOI的需求进行了探讨。上海市科委副主任干频致开幕辞。
随后，华为战略与业务发展部总监仵嘉、博世传感器技术亚太区总裁 Leopold Beer、意法半导体（STMicroelectronics）技术和设计平台总经理Laurent Malier、新傲科技总经理王庆宇、海思市场部高级经理李伟、Smartermicro CTO李阳、CWS公司CTO Francois Clement、Soitec高级副总裁Bernard Aspar、Okmetic高级副总裁 Atte Haapalinna、格罗方德RF事业部高级处长 Peter Rabbeni、中芯国际市场部高级经理张平、华润微电子有限公司副总经理陈南翔、Soitec高级副总裁Thomas Piliszczuk、汉天下微电子总经理赖亚明、上海微技术国际合作中心（SIMTAC）技术总监杨文伟等人，分别就RF-SOI系统集成、产品设计、EDA，IC制造和SOI材料等产业链的各个环节做了专题报告以及圆桌讨论。
RF-SOI专题报告
随着智能手机的迅猛发展、5G应用的日益成熟、无处不在的物联网应用等势头的出现，RF-SOI越发显得重要，并逐渐成为上述领域的主流应用技术之一。华为、海思、博世、意法半导体、格罗方德等公司就5G、窄带物联网（NB-IoT）、可穿戴、汽车电子等技术领域，详细阐述了国外内市场发展状况和产品应用需求。基于SOI在射频和低功耗方面的突出优势，RF-SOI在智能手机射频前端、NB-IoT以及毫米波等领域具有巨大的发展空间。
针对中国RF-SOI的发展现状，新傲科技总经理王庆宇博士在会上作了题为“中国RF-SOI生态链”的演讲，分析了产业链中材料、设计、设计服务、代工、整机等各环节情况，重点介绍了硅材料集团（NSIG）在全球SOI材料领域的投资布局和新傲科技在FD-SOI和RF-SOI方面的产品和发展路线，以确保中国SOI材料的自主供应。
纵观两天的SOI会议，不论是国内外演讲嘉宾还是参会听众，普遍认同FD-SOI在5G、物联网、汽车电子等领域的巨大应用需求牵引下，其技术和成本优势将得到充分发挥，形成与FinFET技术不同的差异化产品应用和不可替代的优势；RF-SOI的应用也将更加成熟和深入；FD-SOI和RF-SOI已经初步形成融合式发展和集成化竞争优势。作为手机、家电、汽车等众多电子产品的制造和消费大国，中国毫无疑问在FD-SOI和RF-SOI领域占有举足轻重的作用，影响着未来SOI产业的发展格局。这种共识，也为众多与会的国际同行所认同。
SOI国际产业联盟授予中科院上海微系统所所长王曦院士杰出贡献奖
作为中国SOI材料的领导者、中国SOI技术特别是FD-SOI技术路线的积极倡导者和坚定推动者，论坛联合主席、中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦院士多年来对SOI产业，特别是对SOI在中国的发展做出了巨大贡献，得到国际同行的广泛认可。会议期间，SOI国际产业联盟授予了王曦院士杰出贡献奖，以表彰他对中国SOI材料及产业链做出的杰出贡献。同时，SOI国际产业联盟也授予Jean Pierre Raskin教授杰出贡献奖，以表彰他在RF-SOI前瞻性工作中做出的杰出贡献。
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