姓名:
于广辉性别:
男
职务:
科室副主任职称:
研究员
学历:
博士研究生通讯地址:
长宁路865号
电话:
62511070邮政编码:
200050
传真:
62524192电子邮件:
GHYU@mail.sim.ac.cn


简历：
于广辉，男，生于1970年11月，籍贯：吉林省榆树市。1993和1996年在吉林大学电子工程系获学士和硕士学位，1999年7月中科院长春物理所获博士学位，1999年9月-2002年3月日本千叶大学博士后，2002年4月至今为中国科学院上海微系统所副研究员、研究员。在博士后工作期间，对氮化物半导体物理、材料MOCVD和MBE生长和LED器件的制备等各个方面都进行了广泛的研究，并于2001年获得了日本千叶大学的“Nanohanacompetition”奖。从2002年至今作为课题负责人承担国家863、973课题、国家重大专项、国家自然科学基金、上海市国际合作课题、上海市自然科学基金课题、上海市白玉兰人才基金、中科院课题等多项，并于2011年成功实现了氮化镓衬底技术的成果转化。目前主要研究领域包括两个方面，一是氢化物汽相外延（HVPE）方法的GaN衬底材料制备以及HVPE设备研制，二是石墨烯薄膜材料的CVD和MBE方法制备与应用研究。科技产出

研究领域：

社会任职：


获奖及荣誉：

代表论著：


承担科研项目情况：