11月28日，中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心、上海硅酸盐所中试基地、中国科学院透明光功能无机材料重点实验室、上海市硅酸盐学会联合举办了第三十九期“会聚”时代的人工晶体讲坛，北京大学宽禁带半导体研究中心沈波教授和中国科学院半导体研究所游经碧研究员应邀作了学术报告。上海硅酸盐所副所长苏良碧，来自上海硅酸盐所、上海光机所等单位的科研人员与研究生聆听报告。报告会由中国科学院原副院长、上海张江综合性国家科学中心常务副主任、上海硅酸盐所人工晶体研究中心学术委员会主任施尔畏研究员主持。
　　沈波教授作了题为“GaN 基第三代半导体电子材料与器件”的报告。其团队提出“大失配诱导应力控制外延”的方法，有效解决了GaN和Si的巨大晶格失配和热失配，获得了世界领先水平的高沟道迁移率GaN基增强型器件与高耐压/低导通电阻GaN基增强型器件。国际上首次在GaN:C材料中测到CN的两个局域振动模，该研究成果已应用于指导华为公司GaN基功率电子产品性能的提升。近期，其团队创新性提出 SiO₂与石墨烯复合策略，实现了Si (100)上GaN的双畴结构。经过多年的研究，目前北大宽禁带半导体研究中心成功地研制出我国第一只GaN基蓝光LED 、128′128AlGaN基深紫外光电探测器阵列，第一只具有微波输出特性的GaN基HEMT电子器件、实现了电注入GaN基激光器脉冲激射，为实现我国GaN基激光器零的突破作出了贡献。
　　游经碧研究员作了题为“钙钛矿半导体光电器件”的报告。报告从钙钛矿材料的结构、优点和应用谈起，详细介绍了钙钛矿电池及发光器件的研究进展。为获得高效稳定的钙钛矿电池及发光器件，游经碧研究员团队从半导体异质结界面调控出发，提出了利用SnO₂作为电子传输层解决平面异质结钙钛矿电池的电滞问题，先后成功获得电池效率为19.9%，20.9%，23.3%、23.7%的高效钙钛矿电池。利用全无机电荷传输层（CsPbI₃/ CsPbBr₃/ CsPbIBr₂/ CsPbI₂Br等）提高钙钛矿电池稳定性，成功制备了转换效率超过18%，连续光照1000小时无明显衰减的无机钙钛矿电池。近期，其团队利用有机绝缘聚合物PVP改善发光器件电荷注入平衡以及有机小分子钝化钙钛矿表面，抑制非辐射复合的策略，获得了绿光电致发光效率超过20%的钙钛矿发光二极管。
　　报告会中，与会人员与报告人就感兴趣的问题展开了热烈的交流与讨论。

中国科学院原副院长、上海张江综合性国家科学中心常务副主任、上海硅酸盐所人工晶体研究中心学术委员会主任施尔畏研究员主持报告会

北京大学宽禁带半导体研究中心沈波教授作报告

中国科学院半导体研究所游经碧研究员作报告



交流提问现场

报告会现场