Ling教授主要介绍了其研究团队在ZnO材料中的缺陷表征、缺陷控制以及功能缺陷的调控工程方面的工作。利用正电子湮没谱（PAS）、荧光光谱、X射线电子能谱（XPS）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM），变温霍尔测量和深能级瞬态谱（DLTS）等对ZnO中的缺陷进行了表征，并就未掺杂ZnO中与Zn空位相关的缺陷，As和Sb作为ZnO中的浅受主，以及ZnO中Cu2+-VO??-Cu1+复合缺陷的铁磁性等方面工作进行了详细介绍。
功能材料中的缺陷表征对光、电、磁等效应的理解至关重要，Ling教授介绍的缺陷表征手段及其综合应用对实验室铁电、压电、介电、电光、敏感陶瓷等材料的机理研究有重要的借鉴意义。报告引起了在场科研人员的强烈兴趣，与会人员就相关问题展开了深入的沟通和交流，取得了良好效果。
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