施尔畏研究员首先介绍了两位报告人的学术背景、科研经历、所取得的重要科研成果和学术贡献，以及中科院半导体研究所历史及在半导体研究领域的科学成就。他指出，科研人员应多了解该领域，材料制备的思想、技术、方法，乃至研究对象都应跟上时代潮流。李树深院士作了题为“半导体科学与技术”的报告。他首先介绍了半导体研究所的基本情况，包括规模、历史贡献、研究领域及机构等，并讲解了半导体所取得的包括“半导体掺杂机制研究”、“全固态激光器”、“半导体光子晶体激光器”、“大功率半导体激光器及阵列”“超辐射发光二极管及高端集成模块”、“人工神经网络芯片及专用设备”等在内的六大代表性成果。他详细介绍了国内外半导体发展状况，全面比较了国内外半导体技术水平、半导体产业规模、研发投入等，并分析了我国半导体领域发展的国际环境。最后，他解析了我国半导体技术的发展困境，即西方国家掌握着最先进的半导体技术，对中国进行限制；中国缺乏大的半导体公司和设备公司，研发投入不足；发展战略的系统性、全面性不够；基础研究不足、高端研发人才缺乏等。李树深院士的报告让大家对半导体领域发展现状有了深层次的认识。陈弘达研究员作了题为“国家重点研发计划‘战略性先进电子材料’重点专项及第三代半导体材料发展状况”的报告。他首先从重点专项实施方案编制过程、实施方案主要内容、2016年专项立项情况、2017年专项立项情况以及2018年专项指南编制情况等五个方面详细介绍了重点专项的情况。他从半导体材料发展现状及发展趋势与预测两个方面，详细介绍了第三代半导体材料发展状况，着重介绍了包括半导体照明、可见光通信、激光显示、半导体激光器、光伏新能源、电力电子器件等在内的六个部分的现状、市场规模、发展瓶颈及趋势。最后，他还预测了第三代半导体材料的前景，指出第三代半导体预计将在2020年形成规模化生产，并占领显著的市场份额，中国的水平部分将达到国际领先。
报告会中，与会人员与报告人就感兴趣的问题展开了热烈的交流与讨论。
施尔畏研究员主持报告会
李树深院士作报告
陈弘达研究员作报告
报告会现场
