【图文导读】
图1 纳米片合成示意图及电镜表征结果

(a) 纳米片合成示意图;(b) Si纳米片的SEM;(c) Si纳米片的TEM;(d-e) Si纳米片的HRTEM。
图2 Si/C纳米片的透射电镜及拉曼光谱表征结果

(a) Si/C纳米片的TEM;(b) Si/C纳米片的HRTEM;(c) Si/C纳米片的拉曼光谱图。
图3 硅基负极的电化学性能

(a)Si纳米片前三个循环的CV曲线;(b)Si/C纳米片前三个循环的CV曲线;(c)Si纳米片的恒电流充放电曲线;(d)Si/C纳米片的恒电流充放电曲线;(e)400mAg-1下商业硅颗粒、纯硅纳米片及Si/C纳米片的循环稳定性比较;(f)不同电流密度下商业硅颗粒、纯硅纳米片及Si/C纳米片的倍率性能比较;(g)4Ag-1下Si/C纳米片的循环性能。
【小结】
该文章成功报道了一种低成本宏量制备二维介孔硅纳米片的方法,同时为了进一步缓解体积改变及提高动力学行为,对其进行碳包覆处理,结构表征及优异的电化学性能证实了该方法的可行性。本研究不仅极大地改善了硅基负极的电化学性能,同时也为开发与设计独特的纳米材料用于各种能源器件提供了新思路。
来源:锂电网http://libattery.ofweek.com/2018-02/ART-36002-11001-30200951.html