付嵛
Email:fuyu@hlmc.cn
办公地点： 上海市浦东新区良腾路6号华力2期
个人简介：
年龄40；新加坡籍；2004年获得电子科学与技术专业学士学位. 从2004 至今从事半导体光刻工艺制程工程师超过16年。

2004/06~2007/04 ;中芯国际集成电路制造(天津)有限公司光刻部Engineer
2007/04~2015/08: 联华电子(新加坡)股份有限公司光刻部Staff Engineer
2015/08~ 2018/10：联芯集成电路制造(厦门)有限公司光刻部Senior Staff Engineer
2018/10~ 至今：华力集成电路制造有限公司光刻部部长工程师（三级）

研究领域：
具有丰富的光刻区域制程经验. 精通从0.16um 到 28nm logic/e-flash/HV/HK 光刻制程工艺, 并且从2015年厦门联芯集成电路制造项目立项之初就参与建厂以及L40/L45/L28(SION/HK) 工艺研发以及华力II期新厂建设以及28LP/HK TD技术转移以及良率改善工作. 长期负责光刻部前段制程管理工作以及自动化系统研发设计具有丰富的控制及研发经验。

教学、科研简介：
1. 解决由于单晶硅薄膜高温生长时带来的光刻套刻精度不佳的问题

200mm BI-COMS 工艺特殊要求单晶硅薄膜制备.单晶硅薄膜制备过程中炉管区域生车机台温度控制异常会导致薄膜晶格热变形从而影响到光刻套刻精度, 产生线性补值校准失败从而导致产品超出光刻套刻参数管控规格. 在炉管区域协助下完成单晶硅薄膜制备过程中的热效应分析以及改善措施并且获得专利1项。
2. 机台配置合理化以及光阻用量降低以达成成本降低项目

i. 为降低TEL track机台由于P.R SB/PEB/HB 升降温导致的机台idle 时间, 依据P.R HP温度以及用量进行机台管路调配以达到光刻部机台产能改善.
ii. 依据各layer产能合理化P.R管路规划以减少idle P.R dummy cost.
iii. 更新以及合理化P.R pump以及coater recipe 以减少P.R 用量.
3. 于L90/L65 产品平台，实现AQ8 TARC替换SEAL-A1 TARC

由于环保要求, SEAL-A1 TARC需要被更加环保的新型TARC AQ8替换.与此项目负责L90/L65
process部分评估更换工作; 以及解决由于TARC更换所带来的inline、WAT指标变异以及CP下降问题
1. 厦门联芯项目FAB 建立前期准备以及L55/L40/L28 制程平台转移数据收集

1. L55/L40 制程平台于ASML 1965i机台上测试检验工作; 2. L55/L40/L45/L28 光刻区生产线健康度评估以及新平台改善项目验证; 3.L55 制程平台从ASML1400型机台移植到ASML 1965型机台以及相关OPC 合理化工作. 4. 光刻部相关制程程序以及量测程序移植; 5. Fab 自动化系统建立以及移植融合工作; 5. 新进工程师培训考核;
5. 厦门联芯项目FAB 建立前期准备以及L40/L28/HK28制程平台于新厂评估试运行
1. L40/L28/HK28制程平台量产各项参数与母厂匹配以及新改善功能于现有产品影响评估工作; 2. 在半年内完成各制程平台前端工艺流程建立以及改善(产品验证良率:>98%) .4.并于4个月内完成制程平台量产生产程序以及量测程序建立以及质量控制系统建立; 6. 完成新基础移植制程平台(M28/C28)评估验证以及量产产品流程建立。
6. 华力6厂28LP/28HK产品平台转移以及量产导入

1. 华力28LP/28HK制程平台TD光刻相应参数与技术经验移植以及平台量产模式导入；2.完成28LP/28HK制程平台工艺流程建立以及改善；3.完成28LP/HK28制程平台量产生产程序以及量测程序建立以及质量控制系统优化; 4.完成产品评估验证以及量产产品流程建立；5. 优化制程流程改善LP28 CONT loop edge OVL稳定性提高扩大量产window ；28HK PREB loop PLY step high defect window狭窄等问题。