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个人简介：


陈磊，男，1983年出生，理学博士。2011年毕业于华东师范大学微电子学与固体电子学专业，师从华东师大信息学院首任院长赖宗声教授，获博士学位。2011-2014年在中国科学院上海高等研究院微纳器件中心工作，2014年起在上海电力大学工作。
十四年集成电路设计领域经验。负责并参与完成过我国首个国家集成电路核高基重大专项，上海市科委等十余项集成电路科研项目，总项目经费超过2000万元。
另外在我校率先开拓了人工有源电磁超材料研究，近年来在可重构超材料和超表面方面研究取得了丰富成果，发表论文涵盖TOP期刊PRApplied，JAP，OE，JPD，SR等等。
电信学院首篇ESI全球1%高引论文。


项目组经费充裕，欢迎有志于集成电路设计及有源电磁超材料的同学加入。



研究领域：

成电路设计、射频集成电路与系统、电力专用芯片、有源人工电磁超材料。



教学、科研简介：

代表性成果一：我国首个集成电路国家重大专项01专项“核高基”项目《嵌入式多模、多频收发器关键IP硬核研究》，项目编号：2009ZX01034-2-2-1，SiGe IP分项目负责人。


代表性成果二：上海市科委项目《TD-LTE射频功率放大器芯片及模块研发》项目编号：Y132541D01，总体技术负责人。项目成果被展讯通信（现紫光展锐）应用于4G平台应用。
代表性成果三：2019年最新研究成果“Space-Energy Digital-Coding Metasurface Based on an Active Amplifier”在应用物理领域发表于国际顶级期刊Physical Review Applied（SCI一区，IF= 4.62，DOI: 10.1103/PhysRevApplied.11.054051）。该研究成果首次提出了基于射频功率放大器的透射式超表面，实现了对空间电磁波的幅度调制技术。2020年该论文获全球1% ESI高引论文称号。

近年来代表性论文：


1. Dual-polarization wave-front manipulation with high efficiency metasurface，AIP Advanced，SCI四区，2020.07，通讯作者
2. Light-controllable metasurface for microwave wave-front manipulation，OE，SCI二区，2020.06，第一作者
3. Optical transparent and reconfigurable metasurface with autonomous energy supply，JPD，SCI三区，2020.01，通讯作者
4. Liquid metal metasurface for flexible beamsteering，OE，SCI二区，2019.07，第一作者
5. Space-Energy Digital-Coding Metasurface Based on an Active Amplifier，PRApplied，SCI一区，2019.05，第一作者 （ESI高被引论文）
6. Dual-manipulation on wave-front based on reconfigurable water-based metasurface integrated with PIN diodes，JAP，SCI三区，2019.01，第一作者
7. Wavefront manipulation based on mechanically reconfigurable coding metasurface，JAP，SCI三区，2018.07，第一作者
8. Dual-functional tunable coding metasurface based on saline water substrate，SR，SCI三区，2018.02，第一作者
9. Monolithic Single-pole Sixteen-Throw T/R Switch for Next-generation Front-end Module，IEEE MWCL，SCI三区，2014.05，第二作者
10.用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计，固体电子学研究与进展，核心期刊，2014年2月，第一作者
11.一种应用于无线局域网802．11a／n的高功率线性功率放大器设计，固体电子学研究与进展，核心期刊，2014年6月，第一作者
12. A linear 180 nm SOI CMOS antenna switch module using integrated passive device filters for cellular applications，JOS，EI，2014年6月
13. A High-Linearity InGaP/GaAs HBT Power Amplifier for IEEE 802.11a/n，JOS，EI，2013年6月
14. An ultra-wide-band 3.1-10.6 GHz LNA design in 0.18um SiGe BiCMOS，AEU，SCI四区，2012年6月，第一作者
15. A novel high-isolation RF-SOI switch for 2.4 GHz multi-standard applications，AICSP，SCI四区，2011年5月，第一作者
16. A Fully Monolithic 0.18 um SiGe BiCMOS Power Amplifier Design，JOS，EI，2011年5月，第一作者
17. A 2.1–6 GHz SiGe BiCMOS low-noiseamplifier design for a multi-mode wideband receiver，JOS，EI，2010年5月，第一作者

指导教师荣誉：2019年度 首届集成电路创新大赛优秀指导教师。