姓名:
刘轶性别:
男
职务:
职称:
研究员/教授
通讯地址:
上海市浦东新区张江高科技园区海科路99号
邮政编码:
201210电子邮件:
liuy@sari.ac.cn


简历：
刘轶，中国科学院研究员，博士生导师，国际知名的无线射频集成电路设计专家，美国华裔教授协会理事和全日本中国人博士协会理事，欧美同学会会员。毕业于日本东京理科大学，获应用电子工学博士学位。曾经在美国加州大学师从2000年诺贝尔物理学奖获得者HERBERTKROEMER教授（现在UCSB任教）。先后在企业、高校任职，积累了丰富的生产实践经验和教学经验。在全球知名的射频功率器件公司--美国MICROSEMI公司和美国MICROCHIP公司工作十余年，发表论文三十多篇，拥有多项专利技术。
研究领域：
刘轶博士一直致力于新一代集成电路芯片为基础的高速信号通信的研究和开发，在功率放大器的拓扑结构、智能型可控电源的InGap/GaAsHBT射频功率放大器、多频段（2.4/5GHz）多芯片（MCM）模块的无线网络系统、低温共烧陶瓷(LTCC)倒装芯片封装技术等研发领域具有很深的造诣。在业界率先提出一种新颖的PA拓扑结构，为HBT/PHEMT功率放大器在无线通信(WRIELESSLAN,W-CDMA)中的应用奠定了坚实的基础，并为美国IEEE制定高速无线光通信的国际标准（IEEE802.11.a/b/g/16n/ac）提供了大量的数据。刘轶博士在1998年-2001年在UCLA期间开始研究GaAs半导体材料。相对于第一代的半导体材料CMOS，GaAs是第二代的半导体材料，在设计生产PA时，具有其独特的优越性。GaAs材料最早被美国军方使用，主要用于海军导航、通信，随着工艺技术的发展，GaAs成本的降低，在2000年前后开始逐渐进入民用，刘轶博士在2000年开始使用GaAs设计PA，是最早使用GaAs材料设计PA的设计人员之一。
社会任职：

获奖及荣誉：
1、2006年荣获美国华裔教授杰出贡献奖。
2、2004年6月在得克萨斯州的达拉斯IEEE国际微波会议上，应邀作了题为“多频段(InGaP/GaAs)砷化镓的MMIC功率放大器和RF整体模块在IEEE802.11a/b/g中的应用”的报告。
3、1998年，应美国几位科学家的邀请，到美国加州大学(UCLA)电气工程系作访问学者（教授），从事以InGap/GaAsHBT,PHEMT的新一代集成电路芯片为基础的高速信号通信的研究和开发，该项目由美国国家工程院院士,UCLA教授M.C.FRANKCHANG主导。
4、1995年，应邀出席了中国科协举办的第二届青年学术年会，主题发言并在人民大会堂受到前总书记江泽民，总书记胡锦涛，总理温家宝的亲切接见。
承担科研项目情况：
上海市科委2011年度“创新行动计划”院市合作项目：TD-LTE射频功率放大器芯片及模块研发
代表论著：
1.SingleandMulti-ModeGaAsMMICPowerAmplifiersandFront-EndModulesfor802.11a/b/gApplications：IEEEMTT-SIMS:WirelessLANSolutionsandRFFront-EndIntegrationTrends.20042.Designandimplementationof1X2MIMOFront-EndModuleforMobileWiMax：IEEEJNLTransactiononWirelessCommunication.2008
3.ClassificationandProcessingofUnknownWordsinAcademicInformationRetrieval：TheNationalConference,InformationProcessingSocietyofJapan.2002
4.Classification,Analysis,andProcessingofSynonymityandPolysemyinAcademicInformationRetrieval：TheAnnualMeetingofTheAssociationforNaturalLanguageProcessing.2000