黄 大 鸣 教 授
黄大鸣(Huang Da Ming)男，1957年10月生。1982年毕业于复旦大学物理系 ，获学士学位，1986年1月和1989年12月先后在美国伊里诺大学(UIUC)电机 系获硕士和博士学位。1989年12月至1991年5月在美国南佛罗里达大学 (USF)物理系从事博士后研究，1991年6月起到复旦大学物理系和应用表面 物理国家重点实验室任教，先后任副教授(1993年)，教授(1995年)，博士 生导师(1996年)，现任复旦大学物理系副主任，中国科学院红外物理国家 重点实验室、上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室客座研究员，中 国物理学会光散射专业委员会委员、副秘书长，中国电子学会半导体与集 成技术分会信息光电子学组委员，<光散射学报> <红外与毫米波学报>编委 ，国家自然科学基金委信息科学部半导体学科评审组成员。获国家教委科 技进步二等奖一项。指导博士生2名，硕士生4名，其中2名已获学位。

主要研究方向为：
半导体异质结构、量子阱和超晶格的光学性质及其 在光电子器件中的应用。近期研究课题有:SiGe/Si应变层量子阱的电子态 和发光特性；SiGe/Si应变层超晶格的结构、声子态和光散射特性；Ⅱ-Ⅵ 族宽禁带半导体和异质结构的电子态和光谱特性；Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体和 异质材料的结构、声子态和喇曼散射特性；半导体异质结构在新型光电子 器件中的应用探索。

在国内外刊物上发表论文50余篇代表性的著作有：
Excitonic absorption of modulation doped GaAs/AlGaAs quantum wells
D.Huang,et al. Phys.Rev. B38, 1246(1988).
Interference effects probed by photoreflectance spectroscopy
D. Huang, D. Mui,and H.Morkos, J. Appl. Phys. 66, 358(1989).
Carrier effects on the excitonic absorption in GaAs quantum well structures:phase-space filling
D, Huang, J.I.Chyi,and H.Morkos, Phys. Rev. B42, 5147(1990).
Crystal Structure and Raman scattering in Zn1-xMgxSe alloys
D.Huang et al., Appl.Phys. Lett. 67, 3611(1995).
Interface broadening and Raman scattering in Si1-xGex/Si superlattices
X. Liu, D. Huang, Z . Jiang, and X. Wang, Phys. Rev. B53, 4699(1996).