侯晓远
教授
1987年复旦大学博士
电话：+86-
Email：xyhou@fudan.edu.cn
个人网站/Website：链接/Link
主要经历:
1987年3月复旦大学物理系获理学博士，毕业后留校任教至今，1993年晋升为教授、博士生导师。
1988年、1993年两次获德国洪堡研究奖学金作为访问****赴德国杜依斯堡大学固体物理实验室进行合作研究。
1995－2000年度物理学报编委，中国物理快报第四届编委，中国物理学会表面物理专业委员会副主任。
1998-2005年任复旦大学应用表面物理国家重点实验室主任。
1988年获第一届霍英东优秀青年奖；1991年被国务院授予“做出突出贡献的中国博士学位获得者”的荣誉称号；1994年获国家教委“跨世纪人才基金”；1995年“国家****科学基金”；1996年获求是科技基金会“********奖”。
教学与研究领域:
教学：承担《大学物理》基础课程的教学工作，授课内容包括《光学》、《力学和热学》和《电磁学》。
研究领域：从事有机、无极半导体表面与界面物理、硅基光电子物理、材料与器件实验研究，在III-V族半导体表面原子结构和电子结构；GaAs表面钝化；异质外延生长GaN；多孔硅发光研究；有机半导体中激子和载流子行为等方面取得了丰富的研究成果。

Xiaoyuan Hou

Professor
Ph.D.(1987), Fudan University
Research Interests:
Organic functional device, organic semiconductor/metal interface interaction
Selected Publications:
1)Conductance-dependent negative differential resistance in organic memory devicesYou, YT, Wang, ML, Xuxie, HN, Wu, B, Sun, ZY, Hou, XY, Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 233301.
2)Electron conductance of N,N '-bis-(1-naphthl)-diphenyl-1,1 '-biphenyl-4,4 '-diamine at low temperatures Gao, XD, He, Y, Zhang, ST, Yin, XR, Ding, BF, Ding, XM, Hou, XY, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 133306.
3) Mechanism of charge generation in p-type doped layer in the connection unit of tandem-type organic light-emitting devices,Gao XD, Zhou J, Xie ZT, Ding BF, Qian YC, Ding XM, Hou XY, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 083304.
4) Dissociation of excitons in the C-60 film studied by transient photovoltage measurements,Sun XY, Ding BF, Song QL, Zheng XY, Ding XM, Hou XY, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 063301.
5) Buffer-layer-induced barrier reduction: Role of tunneling in organic light-emitting devices,Zhang ST, Ding XM, Zhao JM, Shi HZ, He J, Xiong ZH, Ding HJ, Obbard EG, Zhan YQ, Huang W, Hou XY, Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 425.