蔡 群 副教授
 

办公室：科学楼 320 室 实验室：科学楼 318 室

电子邮件：qcai@fudan.edu.cn 办公室电话：65643687

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教育背景：复旦大学 学士（1987） 硕士（1990） 博士（1996）

研究领域：实验凝聚态物理，表面物理

研究方向：

1. 利用扫描探针显微术研究表面/界面结构

 surface and interface structures studied with
 scanning tunneling microscopy　2. 半导体表面金属纳米结构生长过程和物理特性

 growth and properties of metal nanostructures
 on semiconductor surface 　 3. 薄膜生长的表面原子过程

 surface atomic processes in epitixial growth　 4. 半导体表面超薄介质膜

 ultrathin dielectric films on semiconductor surface 实验设备：超高真空扫描隧道显微镜系统，扫描电镜

蔡群，副教授。女，1965年5月生。曾分别于1993年10月-1995年3月和1998年9–11月在香港科技大学物理系做访问学者，利用低能电子显微术(LEEM)从事金属表面结构和相变、原子表面扩散和薄膜生长动力学过程的实验研究。2001年9月-2002年6月在美国哈佛大学物理系做高级访问学者，主要进行离子束轰击法制备纳米孔及其表面原子过程研究。2004年9 - 12月在美国阿肯色大学物理系做访问研究，进行纳米孔结构制备及其离子束轰击物理过程研究。在复旦大学物理系表面实验室，开展过硅基超薄介质膜的生长和热稳定性研究；进行过金属硅化物纳米体系的生长和演化研究；目前正由Si表面金属硅化物纳米体系入手，研究纳米金半接触体系电传输特性。已完成2项国家自然科学基金项目和3项省部级项目。迄今已在包括Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等国际国内学术期刊上发表论文30多篇。

近期代表性论文：

1) W.Zhou, Y.Zhu, T.Ji, X.Y.Hou, Q.Cai, Formation and Evolution of Er Silicide Nanowires on Vicinal and Flat Si(001); Nanotechnology, 17 (2006) 852

2) Y.Zhu, W.Zhou, S.H.Wang, T.Ji, X.Y.Hou, Q.Cai, From Nanowires to Nanoislands: Morphological Evolutions of Er Silicide Nanostru-ctures Formed on the Vicinal Si(001) Surfacel; J. Appl. Phys., 100 (2006) 114312

3) J.Li, H.T.Yu, Z.S.Tao, J.Q.Song, T.Ding, H.N.Lou, Q.Cai, Formation and photoluminescence characteristics of Er-related nanostructures on Si(001) substrate covered with an ultrathin SiO2 film; Surf. Sci., 602 (2008) 2547

4) J.Q.Song, T.Ding, Q.Cai, Mechanism of surface leakage of nanoscale Schottky contacts between ErSi2 nanoislands and Si(001); Appl. Phys. Lett., 96 (2010) 203113

5) T.Ding, Y.Q.Wu, J.Q.Song, J.Li, H.Huang, J.Zou, Q.Cai, Crystalline structures and misfit strain inside Er silicide nanocrystals self-assembled on Si(001) substrates; Nanotechnology, 22 (2011) 245707

现有直博生2名，硕士生1名。