吴幸 职称： 教授（二级）
直属机构： 通信与电子工程学院
部门： 通信与电子工程学院
性别： 女
专业技术职务： 副院长
毕业院校： 新加坡南洋理工大学
学位： 博士
学历： 研究生
电子邮箱： xwu@cee.ecnu.edu.cn
办公地址： 华东师范大学(闵行)信息楼
通讯地址： 闵行区东川路500号华东师范大学
邮编： 200241
个人简介
吴幸教授一直从事集成电路可靠性方向，在国际顶级期刊/会议如Science、Nature子刊、IEEE EDL、IEEE TED、VLSI、IEDM等发表论文261篇，引用达到10770次(截至2024年7月)。获得授权专利76项。
社会兼职
中国国际半导体技术大会担任技术委员会委员
全国大学生集成电路创新创业大赛担任专家委员(教育部A类赛事)
IEEE国际集成电路物理与失效分析会议执行委员
学术成果
聚焦集成电路材料与微纳器件的可靠性研究。
研究平面晶体管高k栅介质层失效机理，通过原位技术直接观察氧空位缺陷诱导的导电通路形成过程，修正了可靠性模型，实现了器件寿命的精准预测。相关结果发表在IEEE TED、EDL等期刊。
研究鳍式晶体管FinFET击穿和自热耦合效应机理，通过原位定位导致失效的缺陷，明确了击穿诱导金属电迁移的机理，通过优化设计抑制电迁移，延长了器件寿命。相关工作发表在VLSI、IRPS等会议。
研究二维材料基传感器，通过原位观察缺陷在外场作用下的演化过程，揭示了影响二维材料基传感器的可靠性机理。相关结果发表在Nature子刊、Adv. Mater.等期刊。
部分代表性论文:
New Insights into TDDB in FinFET Based on Strain Analysis at the Atomistic Scale. Zuoyuan Dong; Zixuan Sun; Lan Li; Zirui Wang; Changqing Ye; Yu Yao Jialu Huang;Xiaomei Li; Xing Wu; Runsheng Wang. doi: 10.1109/IRPS48204.2025.10983565 On the Interaction Between Hot Carrier Degradation (HCD) and Electrical-Induced Breakdown (EiB) in Advanced FinFET Nodes. Yongkang Xue; Yilin Hu; Maokun Wu; Chengyang Zhang; Da Wang; Jianfu Zhang; Pengpeng Ren; Xing Wu; Runsheng Wang; Zhigang Ji; Ru Huang. doi: 10.1109/TED.2025.3543330 Degradations of Multijunction Solar Cell Revealed by Absolute Electroluminescence Imaging. Panpan Yang; Youyang Wang; Qiao Huang; Deyang Qin; Jianing Zhang; Wenjie Zhou; Guoen Weng; Xiaobo Hu; Junhao Chu; Hidefumi Akiyama; Shaoqiang Chen. doi: 10.1109/TED.2025.3546586 Ultrafast Switching Speed Demonstrated in Wafer-Scale Integration of Crystalline Undoped HfO2-Based Ferroelectrics. Zongwei ShangXiaomei LiChangqing YeHao LiPuyang CaiXing Wu*Runsheng Wang*Ming Li*Ru Huang. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c05765 Human-centred design and fabrication of a wearable multimodal visual assistance system. Jian Tang, Yi Zhu, Gai Jiang, Lin Xiao, Wei Ren, Yu Zhou, Qinying Gu, Biao Yan, Jiayi Zhang, Hengchang Bi, Xing Wu, Zhiyong Fan & Leilei Gu. https://doi.org/10.1038/s42256-025-01018-6 A 225-μW Interference-Tolerant Receiver With Shared Wireless LO and Envelope-Tracking Mixer Achieving -104-dBm Sensitivity. Heyu Ren; Liangjian Lyu; Binbin Chen; Wenjun Gong; Xing Wu; C.-J. Richard Shi; doi: 10.1109/JSSC.2024.3517337 In Situ Localization Techniques of Defects in Advanced Semiconductor Devices from Macro-Scale to Atomistic-Scale.Jialu Huang; Jingming Zhou; Zuoyuan Dong; Runsheng Wang; Junhao Chu; Xing Wu; doi: 10.1109/ICSICT62049.2024.10831395 Study on the Anti-Crack Propagation Behavior of a Submicron Pore-Enriched Elastomer Composite. Junhao Shen; Pengyang Han; Shaohua Zuo; Fuwen Shi; Canguan Gao; Zhe Yu; Hengchang Bi; Xing Wu. doi: 10.1109/IPFA61654.2024.10691079 Catching the Missing EM Consequence in Soft Breakdown Reliability in Advanced FinFETs: Impacts of Self-heating, On-State TDDB, and Layout Dependence. Zuoyuan Dong; Zixuan Sun; Xin Yang; Xiaomei Li; Yongkang Xue; Chen Luo; Puyang Cai; Zirui Wang; Shuying Wang; Yewei Zhang; Chaolun Wang; Pengpeng Ren; Zhigang Ji; Xing Wu; Runsheng Wang; Ru Huang. doi: 10.23919/VLSITechnologyandCir57934.2023.10185380
荣誉及奖励
国家级高层次人才计划
上海市高层级人才计划
上海市三八红旗手
