基本信息姓名吴静远
职称讲师
联系方式见学院黄页
电子邮件jywu@dhu.edu.cn
研究方向二维材料与器件、光电探测器
个人简介淡泊以明志，宁静以致远。
学习经历起止年月学校专业学位/学历
2015/09-2017/01 英国剑桥大学 物理电子学 博士联合培养
2012/09-2019/09 东南大学 物理电子学 博士（硕博连读）
2008/09-2012/07 齐鲁工业大学 光信息科学与技术 学士
工作经历起止年月单位职称/职务
2019/10-至今 东华大学 讲师
代表性论文&科研
1. J. Y. Wu, Y. T. Chun, S. Li, T. Zhang, J. Wang, P. K. Shrestha and D. Chu, Broadband MoS2 Field-Effect Phototransistor: Ultra-high Visible-light Photoresponsivity and Negative Infrared Photoresponse, Advanced Materials, 2018, 30, **.
2. J. Y. Wu, Y. T. Chun, S. Li, T. Zhang and D. Chu, Electrical Rectifying and Photosensing Property of MoS2 Based Schottky Diode, ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 10(29), 24613-24619.
3. J. Y. Wu, X. Y. Zhang, X. D. Ma, Y. P. Qiu and T. Zhang, High Quantum-Yield Luminescent MoS2 Quantum Dots with Variable Light Emission Created via Direct Ultrasonic Exfoliation of MoS2 Nanosheets, RSC Advances, 2015, 5, 95178-95182.
4.?J. Y. Wu, M. N. Lin, L. D. Wang and T. Zhang, Photoluminescene of MoS2 Prepared by Effective Grinding-Assisted Sonication Exfoliation, Journal of Nanomaterials, 2014, 852735, 1-6.
5. J. Y. Wu, F. Li, M. Xiong, T. Zhang and X. Y. Zhang, High-Photoresponsivity MoS2/CdSe Quantum Dots Hybrid Phototransistor with Enhanced Photoresponse Speed, 2018 IEEE 13th Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2018: 1-4.
代表性专利&其他
1.?张彤，吴静远，何伟迪，苏丹，张晓阳，中空表面等离激元结构/二维材料复合多色红外探测芯片，申请中国发明专利，申请号：5.0。
2.?张彤，苏丹，张晓阳，吴静远，王善江，一种超宽带吸收的异质结太阳能电池，授权中国发明专利，授权公告号：CNB。
3.?张彤，徐佳佳，张晓阳，吴静远，单锋，马小丹，陈逾璋，一种柔性导电线路室温焊接方法，授权中国发明专利，授权公告号：CNB。