导师类别 硕导
性 别 男
出生年月 1981年1月
联系电话 **
通讯地址 四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号
Email wencai@swust.edu.cn

个人简介
温才，副教授，硕士研究生导师，四川省海外高层次留学人才。博士毕业于中国科学院物理研究所，2015年8月至2016年8月，曾在美国亚利桑那州立大学物理系进行国家公派学术访问。长期从事半导体光电、集成电路材料与器件的教学和科研工作。近年来，针对室温红外光电器件、广谱高效太阳能电池中存在的基础科学问题，系统深入地开展了新型硅材料室温红外应用的重要理论和关键技术研究工作。并发展了定量电子显微学图像处理方法，获取半导体原子位移、元素分布和成分含量等微观本质特性。主持、参与完成国家自然科学基金4项，其它各类科研项目20余项，项目总经费270余万元。已在Materials Research Bulletin、Journal of Applied Physics、Applied Physics A、Science China-Physics, Mechanics & Astronomy、Micron、AIP Advances、Microscopy and Microanalysis、Ultramicroscopy、Applied Surface Science、Journal of Alloys and Compounds、Optics and Laser Technology等国际知名学术刊物上发表学术论文40余篇，授权国家发明专利5项。目前担任西南科技大学理学实验中心主任、新能源技术与应用研究所副所长，光电材料与技术团队负责人。

工作经历
2009.09至今 西南科技大学理学院 讲师/副教授
2015.08-2016.8 美国亚利桑那州立大学物理系 国家公派访问****

教育经历
1999.09-2003.06 西南科技大学 材料物理专业 工学学士
2003.09-2006.06 四川大学 材料物理与化学专业 工学硕士
2006.09-2010.03 中国科学院物理研究所 凝聚态物理专业 理学博士

获奖、荣誉称号
曾获2011-2012年度“优秀共产党员”、2011-2012学年度“优秀岗位青年”，2012-2014学年度“优秀教师”等称号。
近五年在国内外学术交流情况：
1、2019.10，合肥市，2019年全国电子显微学学术会议，中国电子显微镜学会举办，邀请报告，激光超掺杂硅的结构演变和杂质运动研究。
2、2017.10，成都市，2017年全国电子显微学学术会议，中国电子显微镜学会举办，邀请报告，定量高分辨像解卷处理技术及其在外延界面中的应用。
3、2016.10，天津市，2016年全国电子显微学学术会议，中国电子显微镜学会举办，口头报告，大失配3C-SiC/Si(001)界面缺陷结构与应变弛豫。
4、2016.07，美国Columbus，2016 Microscopy & Microanalysis Meeting，美国显微学会举办，Poster，Extraction of Quantitative Information from Non-optimum-focus Aberration-corrected HRTEM Images by Image Processing。
5、2016.03，美国Phoenix，2016 MRS Spring Meeting & Exhibit，美国材料研究学会举办，口头报告和Poster，Atomic Structures of Misfit Defects at 3C-SiC/Si(001) Interface Studied by Conventional and Aberration-corrected High-resolution Transmission Electron Microscopes; Impact of Dynamical Scattering on Quantitative Contrast for Aberration-Corrected High-Resolution Transmission Electron Microscope Images。
6、2014.10，广西南宁市，2014年全国电子显微学学术会议，中国电子显微镜学会举办，优秀会议论文奖，AlSb/GaAs(001)界面层错与不全位错的像差校正高分辨透射电子显微学研究。
7、2014.08，四川成都市，5th International Conference of the Chinese Society of Micro-Nano Technology (CSMNT2014)，中国微米纳米技术学会举办，口头报告，Comparison between femtosecond and nanosecond laser pulses in microstructuring and doping of monocrystalline silicon for photovoltaic applications。
8、2013.10，重庆市，2013年全国电子显微学学术会议，中国电子显微镜学会举办，口头报告，球差矫正高分辨电子显微像的解卷处理—3C-SiC/Si(001)缺陷结构的复原。
9、2012.09，四川成都市，2012年全国电子显微学学术会议，中国电子显微镜学会举办，优秀会议论文奖，AlSb/GaAs(001)界面失配位错核心原子结构与应变分布。

社会、学会及学术兼职
美国MATERIALS RESEARCH SOCIETY Member

研究领域
1、具备优异红外性能的深能级杂质超饱和掺杂硅材料的制备和性能研究。
2、新型高效全光谱硅基太阳能电池器件实用化研究。
3、半导体材料界面、缺陷的超显微结构和性能分析。
4、基于智能铜网互联的高效太阳电池金属化关键技术研究。

科研项目
主要科研项目情况：
1、龙山学术人才科研支持计划(第六层次：青年****)，主持人，2018.06-2019.06。
2、龙山学术人才科研支持计划（重点支持），主持人，2017.06-2018.06。
3、国家自然科学基金，III-V族半导体异质外延界面原子结构与应变分布规律的高分辨电子显微学研究，主持人，2012.01-2014.12。
4、国家自然科学基金，模拟锕系核素和硫在钡硼硅酸盐玻璃陶瓷固化体中的赋存状态研究，主研人，2014.01-2016.12。
5、国家自然科学基金，蒙脱石与沸石矿物对铀尾矿库有害物的原位阻滞作用与机制，主研人，2014.01-2017.12。
6、国家自然科学基金，新型电气石伽马激发产电机理与传输方法研究，主研人，2020.01-2023.12。
7、四川省教育厅重点基金，太阳能电池用黑硅研制中关键问题的研究，主研人，2013.01-2014.12。
8、四川省教育厅一般基金，短沟道肖特基欧姆复合电极In_0.23Ga_0.77As平面耿式二极管的建模研究，主研人，2016.01-2018.12。
9、绵阳市科技局基金，全光谱高效多晶硅电池，主研人，2017.01-2017.12。
10、西南科技大学博士研究基金，光电半导体材料界面微结构的电子晶体学研究，主持人，2010.07-2013.07。
11、横向项目，掺硫硅纳米晶薄膜结构和成分的实验研究，主持人，2017.04-2019.03。
12、横向项目，爆炸桥箔研究，主持人，2019.08-2020.12。
13、四川省科技厅重点研发项目，基于智能铜网互联的高效太阳电池金属化关键技术研发，主研人，2020.01-2021.12。

发表论文
代表性论文：
(1)C. Wen, Z.Q. Shi, Z.J. Wang, J.X. Wang, Y.J. Yang, Y.J. Ma, W.B. Yang,Zinc-hyperdoped silicon nanocrystalline layers prepared via nanosecond laser melting for broad light absorption,Optics and Laser Technology, 2021, 144: 107415.
(2)C. Wen, B.Y. Cao, Z.Q. Shi, Y.J. Ma, J.X. Wang, W.B. Yang,Quantitative analysis on the oxygen diffusion in pyramidal textured surfaces of silicon and copper via transmission electron microscopy,MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 121:105464.
(3) C. Wen, Y.J. Yang, Y.J. Ma, Z.Q. Shi, Z.J. Wang, J. Mo, T.C. Li, X.H. Li, S.F. Hu, W.B. Yang, Sulfur-hyperdoped silicon nanocrystalline layer prepared on polycrystalline silicon solar cell substrate by thin film deposition and nanosecond-pulsed laser irradiation, Applied Surface Science, 2019, 476: 49–60。
(4) C. Wen, Z.Q. Shi, W.B. Yang, Doping sites observation of deep-level impurities in hyperdoped silicon via high-resolution transmission electron microscopy, Journal of Alloys and Compounds, 2019, 806: 227–238.
(5) C. Wen，Y.J. Ma，Determination of atomic-scale chemical composition at semiconductor heteroepitaxial interfaces by high-resolution transmission electron microscopy，Micron，2018，106：48-58。
(6) C. Wen，The relationship between atomic structure and strain distribution of misfit dislocation cores at cubic heteroepitaxial interfaces，Microscopy and Microanalysis，2017，23：449-459。
(7) C. Wen, W. Chen, Y.P. Chen, K.J. Liu, X.H. Li, S.F. Hu, Y.J. Yang，Thermal annealing performance of sulfur-hyperdoped black silicon fabricated using a Nd:YAG nanosecond-pulsed laser，Materials Research Bulletin，2017，93：238-244。
(8) C. Wen，David J. Smith，Impact of dynamical scattering on quantitative contrast for aberration-corrected transmission electron microscope images，Micron，2016，89：77-86。
(9)C. Wen，David J. Smith，Extraction of quantitative information from non-optimum-focus aberration-corrected HRTEM images by image processing，Microscopy and Microanalysis，2016，22（S3）：932-933。
(10)C. Wen，W. Wan，F.H. Li，D. Tang，Restoring defect structures in 3C-SiC/Si(001) from spherical aberration-corrected high-resolution transmission electron microscope images by means of deconvolution processing，Micron，2015，71：22-31。
(11) 温才，李晓红，贺小庆，段晓峰，邱荣，刘德雄，唐金龙，胡思福，Microstructuring and doping of monocrystalline silicon with femtosecond and nanosecond laser pulses，强激光与粒子束，2015，27（2）：024143。
(12) C. Wen ，B.H. Ge，Y.X. Cui，F.H. Li，J. Zhu，R. Yu，Z.Y. Cheng，Evaluation of stacking faults and associated partial dislocations in AlSb/GaAs(001) interface by aberration-corrected high-resolution transmission electron microscopy，AIP Advances，2014，4（11）：117135。
(13) C. Wen ，C. Fu，J.L. Tang，D.X. Liu，S.F. Hu，Z.G. Xing，The influence of environment temperatures on single crystalline and polycrystalline silicon solar cell performance，Science China-Physics,Mechanics & Astonomy，2012，55（2）：235-241。
(14) C. Wen ，H.D. Yang，X.H. Li ，Y.X. Cui，X.Q. He，X.F. Duan，Z.H. Li，Transmission electron microscopy investigation of crystalline silicon surface irradiated by femtosecond laser pulses in different background atmospheres，Applied Physics A-Materials Science & Processing，2012，109（3）：635-641。

科研创新
1、“一种微米级S-Si半导体合金膜及其制备方法”已申请国家发明专利（授权号：ZL7.2）。
2、“硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法” 已申请国家发明专利（授权号：ZL1.X）。
3、“太阳能电池硅片表面掺硫方法”，已授权国家发明专利（授权号：ZL6.8）。
4、“太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法”，已授权国家发明专利（授权号：ZL6.3）。
5、“双面黑晶硅高效太阳能电池”，已授权国家发明专利（授权号：ZL1.5）。

教学活动
主讲《固体物理学》、《半导体物理学》、《半导体器件与集成电路实验》、《半导体物理学实验》、《微电子技术实验》、《科技创新实践》等理论和实验课程。
指导本科生获得国家级和省级大学生创新训练计划项目共3项。

指导学生情况
求学越往后，导师的作用越大。欢迎对以下研究方向感兴趣的本科生报考硕士研究生。合作研究单位：中国科学院物理研究所，美国亚利桑那州立大学等。目前指导硕士研究生2人、优秀本科生10余人。
研究方向：
1、具备优异红外性能的深能级杂质超饱和掺杂硅材料的制备和性能研究。
2、新型高效全光谱硅基太阳能电池器件实用化研究。
3、半导体材料界面、缺陷的超显微结构和性能分析。
4、基于智能铜网互联的高效太阳电池金属化关键技术研究。

我的团队
研究团队旨在面向国家对清洁新型能源、集成电路器件的重大需求，研究清洁新型能源相关的材料与器件制备技术，并着力推进技术的产业化，为我国国民经济和社会可持续发展服务。经过不断发展建设，已形成了以新型光电半导体材料研究为基础、致力于发展新型太阳能电池、光电探测器及光导开关等光电器件的稳定研究方向。
研究团队依托西南科技大学理学院的两个实验室—激光中心与半导体工艺实验室建立。激光中心具有太瓦级钛宝石飞秒激光系统、具有放大级的Nd:YAG纳秒脉冲激光器等。半导体工艺实验室具有1000级净化间及4英寸半导体器件制备专业设备，实验面积1000 m²。
研究团队成员：
1、温才，研究所副所长（团队负责人），副教授，凝聚态物理专业
2、胡思福，****，教授，半导体器件专业
3、李晓红，研究所所长，教授，凝聚态物理、光学专业
4、唐金龙，副教授，半导体材料与器件专业
5、刘德雄，讲师，材料物理与化学专业
6、李同彩，讲师，光学专业
7、杨永佳，讲师，凝聚态物理专业
围绕光电材料与技术，实验室相关科研设备如下：
1、光电、集成电路薄膜制备设备：磁控溅射镀膜系统、真空蒸发镀膜系统等。
2、光电、集成电路材料加工设备：太瓦级钛宝石飞秒激光器、Nd:YAG纳秒脉冲激光器、程控退火炉等。
3、光电、集成电路性能检测设备：200 kV场发射透射电子显微镜、霍尔效应测试仪、四探针电阻率方阻测试仪、台阶仪等。
4、光电、集成电路器件工艺设备：100级净化间及4英寸半导体器件制备专业设备，包括：程控氧化炉、深紫外光刻机、程控硼扩散炉、程控磷扩散炉、超净去离子水设备、太阳能电池特性测试系统、晶体管特性图示仪、真空热压塑封装置、引线焊接机、丝网印刷机等。