胡夏融
性别：男
学院：理学院
职称：讲师
学位：博士
学历：研究生
毕业院校：电子科技大学
联系电话：
电子邮箱：hxr2013@mail.xhu.edu.cn
办公地点：
通讯地址：
传真：






个人简介
胡夏融，男，1984年8月生，四川成都人，博士毕业于电子科技大学微电子学与固体电子学专业，后到西华大学工作至今。研究方向主要包括功率半导体器件及集成电路设计。目前以第一作者身份已发表论文共计10篇，其中：SCI期刊论文6篇，EI期刊论文2篇，国际会议2篇。本人以负责人的身份承担纵向项目包括四川省教育厅项目、四川省高校重点实验室开放基金项目、西华大学校重点基金项目等。在教学方面，为本科生讲授《集成电路原理》、《模拟集成电路设计》、《数字集成电路设计》、《半导体工艺》、《电磁场与电磁波》、《电子测量原理》、《通信原理》、《数据压缩与信源编码》、《大学物理》、《微电子工艺原理与实验》等数十门课程。




工作经历
2013.07-至今 西华大学，理学院，物理系，从事高压功率器件设计和建模方面的工作




教育经历
2009.09-2013.06: 电子科技大学，微电子与固体电子学专业，博士，主要从事LDMOS的设计和建模方向的研究2007.09-2009.06:　电子科技大学，微电子与固体电子学专业，硕士（硕博连读）中国电子科技集团公司第24研究所，模拟集成电路设计2003.09-2007.06: 电子科技大学，电子科学与技术（微电子技术），本科




研究方向
高压功率器件与智能功率集成电路设计





学术成果
本人以第一作者身份发表的期刊论文如下：
[1]Xiarong Hu, Weibo Wang, Lv Rui. The differences between N- and N+ buried layers in improving the breakdown voltage of RESURF LDMOSFETs[J].INTERNATIONALJOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS, 2019,33:e2693(SCI)
[2]Xiarong Hu, Weibo Wang, Yupin Ji, and Qing Hua. The influence of the N⁺ floating layer on the drift doping of RESURF LDMOS and its analytical model[J]. IEICE Electronics Express, 2016,13(20):1-6 (SCI)
[3]Hu Xiarong, Lv Rui. An analytical model for the vertical electric field distribution and optimization of high voltage REBULF LDMOS[J]. Chin. Phys. B, 2014, 23(12):128501(SCI)
[4] Xiarong Hu, Bo Zhang, Xiaorong Luo, and Zhaoji Li. Analytical models for the electric field distributions and breakdown voltage of triple RESURF SOI LDMOS[J]. Solid-State Electron, 2012, 69: 89-93(SCI)
[5] Xiarong Hu, Bo Zhang, Xiaorong Luo, Yongheng Jiang, and Zhaoji Li. SOI LDMOS with a variable-k dielectric trench[J]. Electron Letter, 2012, 48(19): 1235-1237(SCI)
[6] Hu Xiarong, Zhang Bo, Luo Xiaorong, Wang Yuangang, Lei Tianfei, and Li Zhaoji. A new analytical model for the surface electric field distribution and breakdown voltage of the SOI trench LDMOS[J]. Chin. Phys. B, 2012, 21(7):078502(SCI)
[7] Hu Xiarong, Zhang Bo, Luo Xiaorong, and Li Zhaoji. Universal trench design method for high voltage SOI trench LDMOS[J]. Journal of Semiconductors, 2012, 33(7):074006(EI)
[8] Hu Xiarong, Zhang Bo, Luo Xiaorong, Yao Guoliang, Chen Xi, and Li Zhaoji. A new high voltage SOI LDMOS with triple RESURF structure[J]. Journal of Semiconductors, 2011, 32(7):074006(EI)





教学工作
本人为微电子科学与工程，信息工程，通信工程专业学生主讲的课程共10门：
《集成电路原理》
《模拟集成电路设计》
《数字集成电路设计》
《微电子器件新进展》
《微电子工艺原理与实验》
《半导体工艺》
《电磁场与电磁波》
《大学物理》
《电子测量原理》
《通信原理》





荣誉奖励





社会兼职