任敏 邮箱：renmin@uestc.edu.cn
电话：
系别：微电子与固体电子系
职称：副教授
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教师简介
教育背景
2002.09－2009.06 清华大学，微电子学与固体电子学，博士学位
工作履历
2009.07－2017.12 电子科技大学微固学院，副教授
2018.1-今 电子科技大学电子科学与工程学院，副教授
科学研究
研究方向
研究内容1
新型硅基功率半导体器件
研究内容2
功率半导体器件的抗辐射加固技术


代表性论
1. Ren Min, Li Ze-hong, Deng Guang-min, Zhang Ling-xia, Zhang Meng, Liu Xiao-long, Xie Jia-xiong, Zhang Bo. A Novel Superjunction MOSFET with Improved Ruggedness under Unclamped Inductive Switching. Chinese Physics B. 2012.
2. Ren Min, Li Ze-hong, Liu Xiao-long, Xie Jia-xiong, Deng Guang-min, Zhang Bo. A Novel Planar VDMOS with Inhomogeneous Floating Islands. Chinese Physics B. 2011
3. M. Ren, G. M. Deng, M. Zhang, L. X. Zhang, Z. H. Li, and B. Zhang An Avalanche Current Path Optimizing Method for Superjunction MOSFET to Enhance Unclamped Inductive Switching Capability，ICCCAS 2013, Chengdu，2013. 11
4. 任敏，李泽宏，张波，邓光敏，张帅，王飞，超结VDMOS器件的研究及最新进展。2011全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会。昆明，2011.8.9-8.10
5. Zehong Li, Min Ren, Shijiang Yu, Jinping Zhang, Bo Zhang, Innovative Buried Layer Rectifier with 0.1V Ultra-low Conduction Threthold Voltage. The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), Belgium. 2012. Page(s): 105 - 108 (EI)
6. Li Zehong, Ren Min, Zhang Bo, Ma jun, Hu tao, Zhang shuai, Wang fei, Chen jian. Above 700v superjuction MOSFETs fabricated by deep trench etching and epitaxial growth, Journal of Semiconductors. Vol. 31, No. 8, 084002, 2010. (EI)


出版刊物
1. 邓宁，田立林，任敏 《半导体器件基础》（译），清华大学出版社，2008年




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