黄海猛 邮箱：hmhuang@uestc.edu.cn
电话：**
系别：微电子与固体电子系
职称：讲师
教师个人主页：http://faculty.uestc.edu.cn/hmhuang/zh_CN/index.htm


教师简介
教育经历
2009.09-2013.06
电子科技大学 | 微电子学与固体电子学 | 博士 (导师-陈星弼院士)
2007.09-2009.06
电子科技大学 | 微电子学与固体电子学 | 硕士 (导师-陈星弼院士)

工作经历
2013.07-至今
电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院） | 微电子学与固体电子学 | 讲师
科学研究
科 研
1.作为负责人主持国家自然科学基金项目一项；
2.作为负责人主持中央高校基本科研业务费项目一项；
3.参与国家自然科学基金重点项目一项、参与教育部高校博导类课题项目一项；
4.担任IEEE Transactions on Electron Devices等期刊的审稿人。
研究领域
主要研究新型功率器件和功率集成电路，包括超级结（superjunction）器件、IGBT、MCT、LDMOS等。
学术成果

在本领域国际期刊IEEE Transactions on Electron Devices等发表SCI论文6篇（JCR 2区），申请中国专利1项（第一发明人）。
部分学术成果
1.Huan Hu, Haimeng Huang and Xingbi Chen, “A novel double-RESURF SOI lateral TIGBT with self-biased nMOS for improved VCE(sat)–Eoff tradeoff relationship,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 66, no.1, pp.814-820, 2019.

2.Jun Huang, Haimeng Huang, Xinjiang Lyu and Xingbi Chen, “Simulation study of a low switching lossFD-IGBT with high dI/dt and dV/dt controllability,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 65, no.12, pp.5545-5548, 2018.
3.Songnan Guo, Haimeng Huang and Xingbi Chen, “Study of the SOI LDMOS with low conduction loss and less gate charge,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 65, no.4, pp.1645-1649, 2018.

4.Zhi Lin, Haimeng Huang and Xingbi Chen, “An improved super-junction structure with variation vertical doping profile,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 62, no.1, pp.228-231, 2015.
5.Haimeng Huang and Xingbi Chen, “Optimization of specific on-resistance of semisuperjunction trench MOSFETs with charge balance,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 60, no.3, pp.1195-1201, 2013.
6.Haimeng Huang and Xingbi Chen, “Optimization of specific on-resistance of balanced symmetric superjunction MOSFETs based on a better approximation of ionization integral,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 59, no.10, pp.2742-2747, 2012.




主讲课程
1.曾担任《半导体物理》、《信号与系统》、《微电子器件》、《电介质物理》等课程助教；
2.承担2015级、2016级微电子科学与工程本科专业《半导体物理A》课程的教学工作，2015级评教优秀（94.2）。教学中关心学生、热爱学生，注重与学生互动，深受学生喜爱；
3.2017年12月微电子与固体电子学院举办的"卓越青年教师成长计划"赛课中获得“教学进步奖”；