刘洋 邮箱:yliu1975@uestc.edu.cn
电话:
系别:集成电路与系统系
职称:教授
教师个人主页:http://faculty.uestc.edu.cn/liuyang1
教师简介
教育背景
2001.05-2005.05 新加坡南洋理工大学,微电子专业,博士学位
1994.09-1998.07 吉林大学,微电子专业,学士学位
工作履历
2014.05- 电子科技大学, 射频及微波集成电路中心主任
2008.03- 电子科技大学,教授 博士生导师
2006.08-2008.02 新加坡南洋理工大学,新加坡千禧基金****
2005.06- 2006.07 新加坡南洋理工大学,博士后研究员
学术兼职
2012.01- IEEE member
荣誉奖励
2011年,四川省****学术/技术带头人
2008年,新加坡千禧基金****
简 介
2002年至今在Nature Commnunications, Nanoscale , IEEE Trans on CAS, IEEE Trans. on VLSI, IEEE Trans. on Electron Device 等共发表SCI收录期刊文章129篇,SCI他引超过600次。获得美国专利授权一项,中国专利授权11项。2012年受美国工程院院士、IEEE fellow施敏教授邀请在其英文专著“Nonvolatile memories: materials,Device and Applications”中撰写了关于新型存储器件的一个回顾章节
科学研究
代表性论著
1. S. G. Hu, Y. Liu*, Z. Liu, T. P. Chen, J. J. Wang, Q. Yu, L. J. Deng, Y. Yin, and Sumio Hosaka “Associative memory realized by a reconfigurable memristive Hopfield neural network” Nature Communications Vol.6, pp.7522 doi: 10.1038/ncomms8522, 2015
2. Zhentao Xu, Wei Wang, Ning Ning, Wei Meng Lim, Shaogang Hu, Qi Yu and Y. Liu, "A high stability relaxation oscillator based on dynamic-threshold and switched-resistors, IEEE Trans. on VLSI Vol.23,pp.786-790 , 2015.
3. Jing Li, Shuangyi Wu, Yang, Liu*, Ning, Ning, Qi Yu, A digitaltiming mismatch calibration technique in time-interleaved ADCs, IEEE Trans. on CAS II Vol.61,pp.486-490, 2014.
4. S. G. Hu, Y. Liu*, T. P. Chen, , M. Yang, Q. Yu and S. Fung “Effect of heat diffusion during state transitions in resistive switching memory device based on nickel rich nickel oxide film” IEEE Transaction on Electronic Devices Vol.59,pp.1558-1562, 2012.
5. Q. Yu, Y. Liu*, T.P. Chen, Z. Liu, Y. F. Yu, H.W. Lei, J. Zhuand S. Fung “Flexible write-once-read-many-times memory device based on a nickel oxide thin film” IEEE Transaction on Electronic Devices Vol.59,pp.858-862, 2012.
出版刊物
1. Book Chapters:Y. Liu and T. P. Chen “Electrical properties and nonvolatile memory applications of semiconductor nanocrystals and metal nanoparticles” in “Nonvolatile memories: Materials, Devices and Applications” American Scientific Publishers,Edited by Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze, 2012. ISBN: 1-58883-250-3
2. 美国专利: T. P. Chen, Y. Liu, C. Y. Ng, and M. S. Tse, “Two-terminal solid-state memory device and two-terminal flexible memory device based on nanocrystals or nanoparticles”, US patent Pub. No.: US2006/**A1; Pub. Date; Oct. 19, 2006
主讲课程
研究方向
研究内容1
射频/微波集成电路设计
研究内容2
新型存储器件及芯片研发及应用
研究内容3
硅基光电子器件及芯片研发
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